2sc3264 ds jp

2SC3264
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SA1295とコンプリメンタリ)
単位
VCB=230V
100max
μA
VCEO
230
V
IEBO
VEB=5V
100max
μA
VEBO
5
V
V(BR)CEO
IC=25mA
230min
V
IC
17
A
hFE
VCE=4V, IC=5V
IB
5
A
VCE(sat)
IC=5A, IB=0.5A
2.0max
V
200(Tc=25℃)
W
fT
VCE=12V, IE=−2A
60typ
MHz
Tj
150
℃
COB
VCB=10V, f=1MHz
250typ
pF
−55∼+150
℃
※ランク O(50∼100), Y(70∼140)
2-ø3.2±0.1
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
60
12
5
10
–5
0.5
–0.5
0.30typ
2.40typ
0.50typ
17
A
60
0mA
15
50mA
1
I C =10A
I B =20mA
0
0
1
2
3
5
5A
0
4
0
0.5
1.0
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
1.5
0
2.0
0
)
2
3
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE =4V)
200
1
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性(代表 例 )
温度
10 0m A
10
)
A
温度
200m
2
5˚C
(ケ
25
ース
˚C
A
10
5
E
(V CE =4V)
12
400m
3.0 +0.3
-0.1
5.45±0.1
C
17
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
1.0
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
3
0.65 +0.2
-0.1
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
3
15
2
3
製品質量 約18.4g
イ.品名
ロ.ロット番号
V CE (sat) – I B 特 性 ( 代 表 例 )
I C – V CE 特性 (代 表 例 )
A
1.5
ロ
B
RL
(Ω)
A
イ
5.45±0.1
VCC
(V)
0
2.
9
1.05 +0.2
-0.1
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
A
.0
2.1
ース
Tstg
24.4±0.2
50min※
PC
6.0±0.2
36.4±0.3
7
ICBO
規格値
(ケ
V
外形図 MT-200
(Ta=25℃)
試 験 条 件
0˚C
230
記 号
21.4±0.3
単 位
VCBO
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
4.0max
記 号
20.0min
■絶対最大定格
用途:オーディオ、一般用
−3
LAPT
(V C E =4V)
3
200
100
100
Typ
50
過渡熱抵抗 θ j -a ( ˚C/W)
直流電流増幅率 h F E
25 ˚C
– 30 ˚C
50
1
0.5
10
10
0.02
0.1
0.5
1
5
10 17
0.02
0.1
コレクタ電流 I C (A)
0.5
1
5
10 17
0.1
1
10
100
f T – I E 特性(代表 例 )
1000 2000
時間 t(ms)
コレクタ電流 I C (A)
AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス )
P c – Ta定 格
(V CE =12V)
40
100
200
10
–1
エミッタ電流 I E (A)
–10
3
10
80
40
0.1
–0.1
付
放熱板なし
自然空冷
板
0.5
熱
1
120
放
コレクタ電流 I C (A)
5
20
0
–0.02
160
大
40
s
限
Typ
60
m
DC
10
無
遮断周波数 f T (MH Z )
80
最大許容損失 P C (W)
直流電流増幅率 h F E
125 ˚C
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
300
5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
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