2sc3263 ds jp

2SC3263
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SA1294とコンプリメンタリ)
V
IEBO
VEB＝5V
100max
μA
5
V
V(BR)CEO
IC＝25mA
230min
V
15
A
hFE
VCE＝4V, IC＝5A
50min※
V
A
VCE(sat)
IC＝5A, IB＝0.5A
2.0max
PC
130(Tc＝25℃)
W
fT
VCE＝12V, IE＝−2A
60typ
MHz
Tj
150
℃
COB
VCB＝10V, f＝1MHz
250typ
pF
−55∼＋150
℃
※ランク O(50∼100), Y(70∼140)
5.45±0.1
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
60
12
5
10
–5
500
–500
0.30typ
2.40typ
0.50typ
mA
50mA
1
I C =10A
I B =20mA
0
0
1
2
3
0
4
0
0.5
1.0
1.5
0
2.0
50
0.1
0.5
1
5
100
25 ˚C
– 30 ˚C
50
10
0.02
10 15
0.1
コレクタ電流 I C (A)
0.5
1
5
10 15
1
0.5
0.1
1
10
100
1000 2000
時間 t(ms)
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性（代表 例 ）
度）
3
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C/W)
直流電流増幅率 h FE
直流電流増幅率 h FE
125 ˚C
Typ
2
θ j-a – t特 性
(V C E =4V)
200
200
1
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
(V CE =4V)
10
0.02
0
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性（代表 例 ）
100
5
5A
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
ス温
5
10
ケー
10 0m A
2
温
度
温度 ）
）
A
C（
200m
ス
10
ー
mA
5˚
コレクタ電流 I C (A)
400
ケ
600
(V C E =4V)
15
3
A
C（
1.0
12
5A
1.4
E
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
コレクタ電流 I C (A)
1.
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
0A
3.
0A
C
製品質量 約6.0ｇ
イ．品名
ロ．ロット番号
V CE ( sat) – I B 特 性 （ 代 表 例 ）
I C – V CE 特性（代表 例 ）
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
B
VCC
(V)
2.
2
3
1.05 +0.2
-0.1
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
15
ø3.2±0.1
0˚
Tstg
2.0±0.1
ロ
ース
4
IB
イ
4.8±0.2
−3
VEBO
15.6±0.4
9.6
1.8
μA
5.0±0.2
100max
（ケ
230
VCB＝230V
˚C
VCEO
ICBO
2.0
V
単位
4.0
230
規格値
19.9±0.3
VCBO
外形図 MT-100(TO3P)
(Ta＝25℃)
試 験 条 件
記 号
4.0max
単 位
IC
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
記 号
20.0min
■絶対最大定格
用途：オーディオ、一般用
25
LAPT
AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
P c – Ta定 格
(V CE =12V)
130
40
10
付
コレクタ電流 I C (A )
板
0.1
–0.1
–1
エミッタ電流 I E (A)
64
50
放熱板なし
自然空冷
20
0
–0.02
熱
0.5
放
1
大
40
DC
5
限
60
s
100
10
Typ
m
無
遮断周波数 f T (MH Z )
80
最大許容損失 P C (W)
100
–10
3
10
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
300
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150