2sc3857 ds jp

2SC3857
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (2SA1493とコンプリメンタリ)
200
V
VCEO
200
単位
ICBO
VCB=200V
100max
μA
V
IEBO
VEB=6V
100max
μA
6
V
V(BR)CEO
IC=50mA
200min
V
15
A
hFE
VEBO
5
IB
VCE=4V, IC=5A
50min※
IC=10A, IB=1A
3.0max
V
VCE=12V, IE=−0.5A
20typ
MHz
VCB=10V, f=1MHz
250typ
pF
A
VCE(sat)
PC
150(Tc=25℃)
W
fT
Tj
150
℃
COB
−55∼+150
℃
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
Tstg
6.0±0.2
36.4±0.3
24.4±0.2
2.1
2-ø3.2±0.1
9
21.4±0.3
規格値
7
VCBO
外形図 MT-200
(Ta=25℃)
試 験 条 件
記 号
イ
ロ
2
4.0max
単 位
IC
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記 号
20.0min
■絶対最大定格
用途:オーディオ、一般用
3
5.45±0.1
B
VCC
(V)
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
60
12
5
10
–5
0.5
–0.5
0.3typ
2.4typ
0.4typ
3
A
(V CE =4V)
A
400m
12
0
1
2
3
0
4
0
1
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
2
3
Typ
125 ˚C
25 ˚C
100
50
0.5
1
5
20
0.02
10 15
コレクタ電流 I C (A)
0.1
0.5
10 15
D
100
10ms
s
120
熱
板
付
10
放
2
80
40
0.1
–10
大
放熱板なし
自然空冷
限
1
無
5
0.5
10
m
s
s
20
C
3m
0m
コレクタ電流 I C (A)
10
Typ
1000
P c – Ta定 格
10
30
–1
10
160
20
エミッタ電流 I E (A)
1
時間 t(ms)
50
40
–0.1
0.1
AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス )
(V CE =12V)
80
5
0.5
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性 (代表 例 )
0
–0.02
1
1
最大許容損失 P C (W)
0.1
– 30 ˚C
50
ケース
2
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C /W)
直流電流増幅率 h F E
直流電流増幅率 h FE
(V C E =4V)
300
100
2
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
300
1
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE =4V)
20
0.02
0
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性(代表 例 )
遮断周波数 f T (MH Z )
0
4
˚C (
10A
5A
0
温度)
度)
5
I C =15A
−30
1
ス温
I B =50mA
ケー
5
10
C(
10 0m A
2
˚C
10
5˚
20 0m A
コレクタ電流 I C (A)
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
25
6
m
00
E
15
コレクタ電流 I C (A)
1A
C
製品質量 約18.4g
イ.品名
ロ.ロット番号
V CE ( sat) – I B 特 性 ( 代 表 例 )
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
1.
5A
15
3.0 +0.3
-0.1
5.45±0.1
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
I C – V CE 特性 (代表 例 )
0.65 +0.2
-0.1
1.05 +0.2
-0.1
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
300
5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150
2000
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