2sa1492 ds jp

2SA1492
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC3856とコンプリメンタリ)
−100max
μA
V
IEBO
VEB=−6V
−100max
μA
−6
V
V(BR)CEO
IC=−50mA
−180min
V
−15
A
hFE
−4
IB
130(Tc=25℃)
PC
150
Tj
−55∼+150
Tstg
50min※
VCE=−4V, IC=−3A
A
VCE(sat)
IC=−5A, IB=−0.5A
fT
VCE=−12V, IE=0.5A
20typ
MHz
℃
COB
VCB=−10V, f=1MHz
500typ
pF
℃
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
5.45±0.1
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
–40
4
–10
–10
5
–1
1
0.6typ
0.9typ
0.2typ
–50mA
–1
–5
I C =–10A
I B =–20mA
12
–5
–10
(ケ
ース
温度
)
(ケー
ス温度
)
−30
˚C ( ケ
ース温
度)
–0 .1 A
–2
5˚C
A
コレクタ電流 I C (A)
–0
.4A
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
A
–1
(V C E = – 4V)
–15
6A
– 0 .2
–5A
–3
0
–4
0
–0.5
–1.0
h FE – I C 特性(代 表 例 )
Typ
50
–1
25 ˚C
– 30 ˚C
50
–0.1
–0.5
–1
f T – I E 特性(代 表 例 )
3m
10
–10
0m
s
s
100
s
C
–0.1
–3
付
–1
–0.5
板
10
D
–5
m
熱
10
P c – Ta定 格
放
コレクタ電流 I C (A )
20
1000 2000
大
遮断周波数 f T (MH Z )
100
時間 t(ms)
限
20
10
無
Typ
1
1
130
10
エミッタ電流 I E (A)
0.1
–40
30
0.1
–10 –15
0.5
ASO 曲 線( 単 発 パ ル ス )
(V CE = – 12V)
0
0.02
–5
1
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
–2
3
125 ˚C
20
–0.02
–5 –10 –15
–1
θ j-a – t特 性
200
100
100
–0.5
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V C E = – 4V)
直流電流増幅率 h FE
直流電流増幅率 h FE
300
–0.1
0
–2.0
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE = – 4V)
10
–0.02
–1.5
ベース電流 I B (A)
過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C/W)
–2
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
最大許容損失 P C (W)
–1
1.4
E
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
– 3
0
C
製品質量 約6.0g
イ.品名
ロ.ロット番号
V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 )
–10
0
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
B
RL
(Ω)
コレクタ電流 I C (A)
2
3
1.05 +0.2
-0.1
VCC
(V)
–0.
ø3.2±0.1
V
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
I C – V CE 特性(代 表 例 )
2.0±0.1
ロ
− 2.0max
W
–15
イ
4.8±0.2
2 5 ˚C
VEBO
15.6±0.4
9.6
1.8
−180
VCB=−180V
5.0±0.2
VCEO
ICBO
2.0
V
単位
4.0
−180
規格値
19.9±0.3
VCBO
外形図 MT-100(TO3P)
(Ta=25℃)
試 験 条 件
記 号
4.0max
単 位
IC
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記 号
20.0min
■絶対最大定格
用途:オーディオ、一般用
50
放熱板なし
自然空冷
–10
–100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
–200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150
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