シングル P チャンネル MOSFET ELM321604A-S ■概要 ■特長 ELM321604A-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-40V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-43A ・ Rds(on) < 16mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 20mΩ (Vgs=-7V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 記号 ドレイン - ソース電圧 Vds Vgs ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Id Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 アバランシェ電流 アバランシェエネルギー 最大許容損失 L=0.1mH Tc=25℃ Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 -40 ±20 -43 V V A -34 Idm Ias -130 -40.8 A A Eas 83 50 32 mJ -55 ～ 150 ℃ Pd Tj, Tstg 3 W ■熱特性 項目 記号 最大接合部 - ケース 最大接合部 - 周囲温度 Rθjc Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 単位 2.5 75.0 ℃/W ℃/W 備考 ■回路 � TO-252-3(TOP VIEW) ��� � � 端子番号 1 2 端子記号 GATE DRAIN 3 SOURCE � 4-1 � � シングル P チャンネル MOSFET ELM321604A-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V Idss -40 V Vds=-32V, Vgs=0V -1 Vds=-30V, Vgs=0V Ta=125℃ -10 ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vds=-5V, Vgs=-10V -1.5 -130 ±100 nA -2.2 -3.0 V A Rds(on) Vgs=-10V, Id=-25A Vgs=-7V, Id=-15A 13 16 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=-5V, Id=-25A 24 ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is If=-25A, Vgs=0V ドレイン - ソースオン状態抵抗 動的特性 入力容量 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 Ciss Vgs=0V, Vds=-15V Coss f=1MHz Crss Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Qg Qgs Qgd Vgs=-10V, Vds=-20V Id=-25A td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-20V td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω ターン ・ オフ立ち下がり時間 tf 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 trr Qrr If=-20A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4-2 μA 16 20 -1.3 -43 1 mΩ 1 S 1 V A 1 2350 480 pF pF 310 4.3 pF Ω 42 nC 2 9 10 nC nC 2 2 15 43 62 ns ns ns 2 2 2 50 ns 2 43 31 ns nC シングル P チャンネル MOSFET ELM321604A-S ■標準特性と熱特性曲線 4-3 シングル P チャンネル MOSFET ELM321604A-S � � � � � � � � � 4-4