elm321604a

シングル P チャンネル MOSFET
ELM321604A-S
■概要
■特長
ELM321604A-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-40V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-43A
・ Rds(on) < 16mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 20mΩ (Vgs=-7V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
記号
ドレイン - ソース電圧
Vds
Vgs
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
アバランシェ電流
アバランシェエネルギー
最大許容損失
L=0.1mH
Tc=25℃
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
-40
±20
-43
V
V
A
-34
Idm
Ias
-130
-40.8
A
A
Eas
83
50
32
mJ
-55 ~ 150
℃
Pd
Tj, Tstg
3
W
■熱特性
項目
記号
最大接合部 - ケース
最大接合部 - 周囲温度
Rθjc
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
単位
2.5
75.0
℃/W
℃/W
備考
■回路
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TO-252-3(TOP VIEW)
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�
�
端子番号
1
2
端子記号
GATE
DRAIN
3
SOURCE
�
4-1
�
�
シングル P チャンネル MOSFET
ELM321604A-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
Idss
-40
V
Vds=-32V, Vgs=0V
-1
Vds=-30V, Vgs=0V
Ta=125℃
-10
ゲート漏れ電流
Igss Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vds=-5V, Vgs=-10V
-1.5
-130
±100 nA
-2.2 -3.0
V
A
Rds(on)
Vgs=-10V, Id=-25A
Vgs=-7V, Id=-15A
13
16
順方向相互コンダクタンス
Gfs
Vds=-5V, Id=-25A
24
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Vsd
Is
If=-25A, Vgs=0V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
動的特性
入力容量
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
Ciss
Vgs=0V, Vds=-15V
Coss
f=1MHz
Crss
Rg
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
Qgs
Qgd
Vgs=-10V, Vds=-20V
Id=-25A
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-20V
td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tf
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
trr
Qrr
If=-20A, dlf/dt=100A/μs
備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4-2
μA
16
20
-1.3
-43
1
mΩ
1
S
1
V
A
1
2350
480
pF
pF
310
4.3
pF
Ω
42
nC
2
9
10
nC
nC
2
2
15
43
62
ns
ns
ns
2
2
2
50
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2
43
31
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シングル P チャンネル MOSFET
ELM321604A-S
■標準特性と熱特性曲線
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4-3
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シングル P チャンネル MOSFET
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ELM321604A-S
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4-4
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