elm34414aa

シングル N チャンネル MOSFET
ELM34414AA-N
■概要
■特長
ELM34414AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=15A
・ Rds(on) < 8mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 12mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Ta=90℃
パルス ・ ドレイン電流
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
30
V
±20
V
15
Id
Idm
Tc=25℃
Tc=90℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
A
12
50
A
2.5
2.0
- 55 ~ 150
3
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
記号
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
50
単位
℃/W
備考
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
2
端子記号
SOURCE
SOURCE
3
4
5
SOURCE
GATE
DRAIN
6
7
8
DRAIN
DRAIN
DRAIN
5-1
�
�
�
シングル N チャンネル MOSFET
ELM34414AA-N
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
ゲート漏れ電流
Igss
最大寄生ダイオード連続電流
ダイオード パルス電流
動的特性
Gfs
Vsd
V
Vds=24V, Vgs=0V
1
Vds=20V, Vgs=0V, Ta=55℃
10
Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Vgs=10V, Id=15A
ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on)
Vgs=4.5V, Id=12A
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
30
Vds=15V, Id=15A
If=3A, Vgs=0V
μA
±100 nA
1.0
1.5
6.8
8.8
3.0
V
8.0
mΩ
12.0
60
1.1
S
V
Is
3
A
Ism
6
A
1
1
1
3
入力容量
出力容量
帰還容量
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Crss
1900
530
120
pF
pF
pF
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
18.0 28.0
4.2
nC
nC
2
2
ゲート - ドレイン電荷
Qgd
5.4
nC
2
Vgs=10V, Vds=15V, Id=15A
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V, Id=1A
10
24
ns
ns
2
2
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=15Ω, Rgen=6Ω
tf
trr
If=3A, dlf/dt=100A/μs
48
12
50
ns
ns
ns
2
2
備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1%
5-2
80
������ ������������
シングル N チャンネル MOSFET
������������
ELM34414AA-N
�������
■標準特性と熱特性曲線
Output Characteristics
Transfer Characteristics
50
40
45
35
ID - Drain Current(A)
ID - Drain Current(A)
35
VGS=10thru 4V
40
30
25
20
15
10
3V
5
0
0
1
2
3
4
30
25
20
15
TC=125° C
10
25° C
5
0
0.0
5
VDS- Drain-to-Source Voltage(V)
0.5
1.0
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
VGS- Gate-to-Source Voltage(V)
On-Resistance vs. Drain Current
0.015
2500
0.012
2000
C- Capacitance(pF)
rDS(on) - On-Resistance(�)
1.5
-55° C
VGS=4.5V
0.009
VGS=10V
0.006
0.003
Capacitance
f = 1 MHz
VGS=0V
Ciss
1500
1000
Coss
500
Crss
0.000
0
10
20
30
ID - Drain Current(A)
40
0
50
rDS(on) - On-Resistance(�)
(Normalized)
VGS- Gate-to-Source Voltage(V)
2.00
VDS=10V
ID=15A
6
4
2
0
4
8
12
12
18
24
30
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
0
6
VDS- Drain-to-Source Voltage(V)
Gate Charge
8
0
16
20
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
-50
24
Qg - Total Gate Charge(nC)
VGS=10V
ID=15A
-25
0
25
50
75
100
TJ- Junction Temperature(° C)
�
�
5-3
125
150
������ ������������
シングル N
チャンネル MOSFET
������������
ELM34414AA-N
On-Resistance vs.Gate-to-Source Voltage
Source-Drain Diode Forward Voltage
0.040
rDS(ON) - On-Resistance(�)
IS - Source Current(A)
60
TJ=150° C
10
TJ=25° C
0.032
0.024
0.016
0.000
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VSD- Source-to-Drain Voltage(V)
ID=15A
0.008
1.2
0
Threshold Voltage
6
8
10
Single Pulse Power
50
ID = 250�A
0.2
40
0.0
Power(W)
VGS(th) Variance(V)
4
VGS - Gate-to-Source Voltage(V)
0.4
-0.2
-0.4
30
TA=25° C
20
10
-0.6
-0.8
-50
-25
0
25
50
75
100
TJ- Temperature(° C)
0
10-2
125 150
Safe Operating Area, Junction-to Ambient
100�s,10�s
Limited by rDS(on)
10
1ms
1
10ms
100ms
0.1
1s
TA=25°C
Single Pulse
10s
dc,100s
0.01
0.1
1
10-1
1
Time(sec)
100
ID - Drain Current(A)
2
10
100
VDS- Drain-to-Source Voltage(V)
�
5-4
10
������ ������������
シングル N
チャンネル MOSFET
������������
ELM34414AA-N
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Normalized Effective Transient
Thermal Impedance
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
PDM
0.05
t1
0.02
10
-4
10
t1
1. Duty Cycle, D�= t2
2. R� J�A(t) = 50�° CW
3. TJM - TA =�PDM�*�R� �JA(t)
4. Surface Mounted
Single Pulse
0.01
t2
-3
10
-2
10
-1
1
Square Wave Pulse Duration (sec)
� �
5-5
10
100
600
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