单 N 沟道 MOSFET ELM17412GA-S ■概要 ■特点 ELM17412GA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电 ·Vds=30V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=2.1A (Vgs=10V) ·Rds(on) ＜ 90mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) ＜ 100mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) ＜ 160mΩ (Vgs=2.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 Vds Vgs 30 ±12 V V Id 2.1 1.7 A 1 A 2 W 1 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 10 0.625 0.400 Pd 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg - 55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 记号 t≦10s 稳定状态 稳定状态 Rθja Rθjl ■引脚配置图 1 最大值 200 单位 ℃/W 200 130 250 160 ℃/W ℃/W ■电路图 SC-70-6(俯视图) 6 典型值 175 5 2 4 3 引脚编号 引脚名称 1 DRAIN 2 3 DRAIN GATE 4 5 6 SOURCE DRAIN DRAIN 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 备注 1 3 单 N 沟道 MOSFET ELM17412GA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=16V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 30 1 Ta=55℃ 5 100 栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.0 导通时漏极电流 Id(on) 10 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 Vsd Is 输入电容 输出电容 Ciss Coss 反馈电容 栅极电阻 Crss Rg 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 Qg Qgs 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 Qgd td(on) tr 关闭延迟时间 关闭下降时间 td(off) tf 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 trr Qrr V Vgs=4.5V, Vds=5V 1.5 1.8 μA nA V A 69 90 108 130 Vgs=4.5V, Id=1.3A Vgs=2.5V, Id=1A Vds=5V, Id=2.1A 78 130 8.5 100 160 Is=1A, Vgs=0V 0.8 1.0 2.5 V A 270 Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz 226 39 pF pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 29 1.4 Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=2.1A 3.0 0.4 Vgs=5V, Vds=15V 1.2 2.8 2.1 4.0 3.0 nC ns ns RL=7.1Ω, Rgen=6Ω 17.4 2.1 21.0 3.0 ns ns If=2.1A, dlf/dt=100A/μs If=2.1A, dlf/dt=100A/μs 9.1 3.4 11.0 4.0 ns nC Vgs=10V Id=2.1A Ta=125℃ mΩ S 1.7 3.6 pF Ω nC nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM17412GA-S ■标准特性和热特性曲线 10 15 10V 3.5V 4V 6V 8 3V 6 9 Id(A) Id (A) 12 6 4 Vgs=2.5V 125°C 25°C 2 3 0 0 0 1 2 3 4 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 3.5 160 Rds(on) (m� ) Normalized On-Resistance 1.8 140 Vgs=2.5V 120 Vgs=4.5V 100 80 Vgs=10V 60 0 1 2 3 4 5 Vgs=4.5V 1.6 1.4 Vgs=10V Id=2.1A 1.2 Vgs=2.5V Id=1A 1 0.8 6 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 180 160 1.0E+00 Id=2.1A 140 1.0E-01 125°C Is (A) Rds(on) (m� ) Id=1.3A 120 125°C 1.0E-02 100 25°C 1.0E-03 25°C 80 1.0E-04 60 1 2 3 4 5 6 7 8 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 1.0E-05 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 单 N 沟道 MOSFET ELM17412GA-S 400 5 300 Capacitance (pF) Vgs (Volts) 350 =10V Vds=15V ID=2.2A Id=2.1A 4 3 2 Ciss 250 200 150 100 1 50 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 0 3.5 0 100.0 Power (W) Id (Amps) 1ms Rds(on) limited 10ms 100m 1.0 10s 12 8 4 1s DC 1 10 0 0.1 100 Vds (Volts) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 1 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=250°C/W 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 15 Tj(max)=150°C Ta=25°C 16 10.0 0.1 10 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 20 Tj(max)=150°C Ta=25°C 0.1 5 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 0.1 P Pd 0.01 0.001 0.00001 T Ton Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000