elm17412ga

单 N 沟道 MOSFET
ELM17412GA-S
■概要
■特点
ELM17412GA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=30V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=2.1A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 90mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 100mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) < 160mΩ (Vgs=2.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Vds
Vgs
30
±12
V
V
Id
2.1
1.7
A
1
A
2
W
1
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
10
0.625
0.400
Pd
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≦10s
稳定状态
稳定状态
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
1
最大值
200
单位
℃/W
200
130
250
160
℃/W
℃/W
■电路图
SC-70-6(俯视图)
6
典型值
175
5
2
4
3
引脚编号
引脚名称
1
DRAIN
2
3
DRAIN
GATE
4
5
6
SOURCE
DRAIN
DRAIN
4-1
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D
G
S
备注
1
3
单 N 沟道 MOSFET
ELM17412GA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=16V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
30
1
Ta=55℃
5
100
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.0
导通时漏极电流
Id(on)
10
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
Vsd
Is
输入电容
输出电容
Ciss
Coss
反馈电容
栅极电阻
Crss
Rg
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
Qg
Qgs
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
Qgd
td(on)
tr
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off)
tf
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
V
Vgs=4.5V, Vds=5V
1.5
1.8
μA
nA
V
A
69
90
108
130
Vgs=4.5V, Id=1.3A
Vgs=2.5V, Id=1A
Vds=5V, Id=2.1A
78
130
8.5
100
160
Is=1A, Vgs=0V
0.8
1.0
2.5
V
A
270
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
226
39
pF
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
29
1.4
Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=2.1A
3.0
0.4
Vgs=5V, Vds=15V
1.2
2.8
2.1
4.0
3.0
nC
ns
ns
RL=7.1Ω, Rgen=6Ω
17.4
2.1
21.0
3.0
ns
ns
If=2.1A, dlf/dt=100A/μs
If=2.1A, dlf/dt=100A/μs
9.1
3.4
11.0
4.0
ns
nC
Vgs=10V
Id=2.1A
Ta=125℃
mΩ
S
1.7
3.6
pF
Ω
nC
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
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单 N 沟道 MOSFET
ELM17412GA-S
■标准特性和热特性曲线
10
15
10V
3.5V
4V
6V
8
3V
6
9
Id(A)
Id (A)
12
6
4
Vgs=2.5V
125°C
25°C
2
3
0
0
0
1
2
3
4
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
3.5
160
Rds(on) (m� )
Normalized On-Resistance
1.8
140
Vgs=2.5V
120
Vgs=4.5V
100
80
Vgs=10V
60
0
1
2
3
4
5
Vgs=4.5V
1.6
1.4
Vgs=10V
Id=2.1A
1.2
Vgs=2.5V
Id=1A
1
0.8
6
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+01
180
160
1.0E+00
Id=2.1A
140
1.0E-01
125°C
Is (A)
Rds(on) (m� )
Id=1.3A
120
125°C
1.0E-02
100
25°C
1.0E-03
25°C
80
1.0E-04
60
1
2
3
4
5
6
7
8
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
4-3
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1.2
单 N 沟道 MOSFET
ELM17412GA-S
400
5
300
Capacitance (pF)
Vgs (Volts)
350
=10V
Vds=15V
ID=2.2A
Id=2.1A
4
3
2
Ciss
250
200
150
100
1
50
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
3.5
0
100.0
Power (W)
Id (Amps)
1ms
Rds(on)
limited
10ms
100m
1.0
10s
12
8
4
1s
DC
1
10
0
0.1
100
Vds (Volts)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
1
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=250°C/W
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
15
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
16
10.0
0.1
10
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
0.1
5
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
0.1
P
Pd
0.01
0.001
0.00001
T
Ton
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
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100
1000
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