单 P 沟道 MOSFET ELM342004A-N ■概要 ■特点 ELM342004A-N 是 P 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=-40V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-8.7A ·Rds(on) < 20mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 32mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 项目 漏极 - 源极电压 记号 Vds 栅极 - 源极电压 Vgs Ta=25℃ 漏极电流（定常） Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） 崩溃电流 Id 如没有特别注明时 ,Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 -40 V ±20 -8.7 V A -7.0 Idm Ias -45 -45 A A 3 4 崩溃能量 L=0.1mH Eas 103 mJ 容许功耗 Tc=25℃ Tc=70℃ Pd 2.5 1.6 W Tj, Tstg -55 ~ 150 ℃ 结合部温度及保存温度范围 ■热特性 项目 最大结合部 - 封装热阻 记号 Rθjc 25 最大结合部 - 环境热阻 Rθja 50 ■引脚配置图 典型值 最大值 单位 备注 ℃/W ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 1 引脚名称 SOURCE 2 3 SOURCE SOURCE 4 5 6 GATE DRAIN DRAIN 7 8 DRAIN DRAIN 4 -1 D G S 单 P 沟道 MOSFET ELM342004A-N ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时 ,Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss -40 V Vds=-32V, Vgs=0V -1 Vds=-30V, Vgs=0V, Ta=55℃ -10 Vds=0V, Vgs=±20V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vds=-5V, Vgs=-10V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Vgs=-10V, Id=-8A Vgs=-4.5V, Id=-6A Vds=-5V, Id=-8A -1.5 -45 -1.9 15 23 30 μA ±100 nA -3.0 V A 1 mΩ 1 S 1 -1.3 -1.9 V A 1 -45 A 3 20 32 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is 二极管脉冲电流 Ism 动态特性 输入电容 输出电容 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=-30V, f=1MHz 2670 392 pF pF 反馈电容 柵极抵抗 开关特性 Crss Rg 280 4.65 pF Ω 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs 50 10 nC nC 2 2 Qgd td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-30V 13 10 20 nC ns ns 2 2 2 td(off) RL=1Ω, Id=-8A, Rgen=6Ω tf trr If=-8A, dIf/dt=100A/μs Qrr 55 30 26 ns ns ns 2 2 17 nC 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 If=-8A, Vgs=0V Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-20V Id=-8A 备注： 占空比≤2%; 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 2. 独立于工作温度; 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制; 4. Vdd=-20V. 开始温度Tj=25℃。 4 -2 单 P 沟道 MOSFET ELM342004A-N ■标准特性和热特性曲线 � � � � � � � � � � � � � � � 4 -3 单 P 沟道 MOSFET � � � � � � � � � � � � � ELM342004A-N 4 -4