elm342004a

单 P 沟道 MOSFET
ELM342004A-N
■概要
■特点
ELM342004A-N 是 P 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=-40V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=-8.7A
·Rds(on) < 20mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 32mΩ (Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
漏极电流(定常)
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
崩溃电流
Id
如没有特别注明时 ,Ta=25℃
规格范围
单位
备注
-40
V
±20
-8.7
V
A
-7.0
Idm
Ias
-45
-45
A
A
3
4
崩溃能量
L=0.1mH
Eas
103
mJ
容许功耗
Tc=25℃
Tc=70℃
Pd
2.5
1.6
W
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
结合部温度及保存温度范围
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
记号
Rθjc
25
最大结合部 - 环境热阻
Rθja
50
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
备注
℃/W
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
1
引脚名称
SOURCE
2
3
SOURCE
SOURCE
4
5
6
GATE
DRAIN
DRAIN
7
8
DRAIN
DRAIN
4 -1
D
G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM342004A-N
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时 ,Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
-40
V
Vds=-32V, Vgs=0V
-1
Vds=-30V, Vgs=0V, Ta=55℃
-10
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vds=-5V, Vgs=-10V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Vgs=-10V, Id=-8A
Vgs=-4.5V, Id=-6A
Vds=-5V, Id=-8A
-1.5
-45
-1.9
15
23
30
μA
±100
nA
-3.0
V
A
1
mΩ
1
S
1
-1.3
-1.9
V
A
1
-45
A
3
20
32
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
二极管脉冲电流
Ism
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-30V, f=1MHz
2670
392
pF
pF
反馈电容
柵极抵抗
开关特性
Crss
Rg
280
4.65
pF
Ω
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
50
10
nC
nC
2
2
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-30V
13
10
20
nC
ns
ns
2
2
2
td(off) RL=1Ω, Id=-8A, Rgen=6Ω
tf
trr
If=-8A, dIf/dt=100A/μs
Qrr
55
30
26
ns
ns
ns
2
2
17
nC
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
If=-8A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-10V, Vds=-20V
Id=-8A
备注:
占空比≤2%;
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
2. 独立于工作温度;
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制;
4. Vdd=-20V. 开始温度Tj=25℃。
4 -2
单 P 沟道 MOSFET

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ELM342004A-N
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■标准特性和热特性曲线
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
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


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
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4 -3
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
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P 沟道 MOSFET

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

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
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ELM342004A-N
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

4 -4

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