elm53405ca

单 P 沟道 MOSFET
ELM53405CA-S
■概要
■特点
ELM53405CA-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=-30V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=-3.6A
·Rds(on) < 145mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 180mΩ (Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
Vds
Vgs
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
-30
V
±20
V
-3.6
-2.4
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
容许功耗
-15
1.25
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
A
A
W
0.80
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
Rθja
稳定状态
■引脚配置图
典型值
最大值
120
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
单位
℃/W
2
引脚编号
1
2
引脚名称
GATE
SOURCE
3
DRAIN
G
S
5- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 P 沟道 MOSFET
ELM53405CA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Vgs=0V, Id=-250μA
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
-1
Vds=-24V, Vgs=0V, Ta=85℃
-30
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
V
Vds=-24V, Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
正向跨导
-30
-1.0
-10
μA
±100
nA
-2.5
V
A
Vgs=-10V, Id=-2.8A
Vgs=-4.5V, Id=-2.4A
Vds=-5V, Id=-4A
132
168
10
145
180
Is=-1.5A, Vgs=0V
-0.7
-1.3
-1.5
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
170
50
30
pF
pF
pF
2.5
0.8
nC
nC
1.0
5
10
nC
ns
10
10
5
16
16
10
ns
ns
ns
mΩ
S
V
A
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
Ciss
Coss
Crss
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
Vgs=-4.5V, Vds=-15V
Id=-2.5A
导通延迟时间
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
RL=7.5Ω, Id=-2A
td(off)
Rgen=1Ω
tf
Vgs=-10V, Vds=-15V
5- 2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
AFP2303A
Alfa-MOS
30V P-Channel
Technology
Enhancement Mode MOSFET
单 P 沟道 MOSFET
ELM53405CA-S
Typical Characteristics
■标准特性和热特性曲线
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Rev.B May 2011
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Enhancement Mode MOSFET
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■测试电路和波形
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