PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 9012 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A047BJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：470×470µm 2 焊位尺寸：B 极 103×103µm2，E 极 98×98µm2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：SS9012，H9012，8550S █ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92） Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温………………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率………………………………625mW VCBO——集电极—基极电压……………………………-40V VCEO——集电极—发射极电压…………………………-20V VEBO——发射极—基极电压………………………………-5V I C ——集电极电流……………………………………-700mA █ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-92） 参数符号 符 号 说 明 ICBO IEBO hFE 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 VCE(sat） VBE(sat) VBE(on) BVCBO BVCEO BVEBO 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极饱和电压 基极—发射极导通电压 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 最小值 典型值 最大值 80 40 -0.6 -40 -20 -5 单位 -0.1 -0.1 390 µA µA -0.6 -1.2 -0.73 V V V V V V 测 试 条 件 VCB=-25V，IE=0 VEB=-3V，IC=0 VCE=-1V，IC=-50mA VCE=-1V，IC=-500mA IC=-500mA，IB=-50mA IC=-500mA，IB=-50mA VCE=-1V，IC=-10mA IC=-100µA，IE=0 IC=-1mA，IB=0 IE=-100µA，IC=0