2013年3月期 決算説明会 2013年5月13日 2013年3月期決算について 1 2013年3月期決算サマリー (単位：百万円) 2012年3月期 2013年3月期 増 減 高 40,272 36,417 △3,855 営 業 利 益 △4,101 1,469 ＋5,570 当期純利益 △9,098 1,721 ＋10,819 売 上 ・主力のベースライン製品は堅調に推移するも、受託生産販売が大幅に減少。 ・事業構造改革の成果（固定費圧縮）により、利益は計画を大幅に上回る。 ・2013年3月期平均為替レート：1US$＝¥82.33 2 2013年3月期セグメント別業績 (単位：百万円) 増 減 増減率 12年3月期 13年3月期 40,272 36,417 △3,855 △9.6% マイクロ波管・周辺機器 3,521 3,022 △498 △14.2% マイクロ波応用製品 2,578 2,705 ＋127 ＋4.9% 34,172 30,688 △3,483 △10.2% △4,101 1,469 ＋5,570 450 370 △79 △95 177 ＋272 － △2,705 2,360 ＋5,066 － 売 上 高 半導体 営 業 利 益 マイクロ波管・周辺機器 マイクロ波応用製品 半導体 － △17.7% ※各セグメント営業利益は、調整額控除前の営業利益 3 2013年3月期売上高（前期比） (百万円) 50,000 40,272 36,417 40,000 3,521 (△9.6%) 2,578 30,000 3,022 2,705 9,111 20,000 5,308 2,810 2,421 5,543 5,924 半導体 34,172 30,688 （25,061） （25,148） (△10.2%) 10,000 16,707 16,802 0 2012年3月期 バイポーラ モス 2013年3月期 光半導体・マイクロ波デバイス その他 SAW マイクロ波応用製品 マイクロ波管・周辺機器 4 業績推移（四半期別） 連結売上 (百万円) 12,000 連結営業利益/純利益 (百万円) 1,000 その他 マイクロ波管・周辺機器 マイクロ波応用製品 光半導体・マイクロ波デバイス モス バイポーラ 500 事業構造改革 9,000 0 ▲500 6,000 ▲1,000 主要製品 ▲1,500 3,000 ▲2,000 営業利益 純利益 0 ▲2,500 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 2Q 3Q 4Q (2011年3月期) (2012年3月期) (2013年3月期) 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 2Q 3Q 4Q (2011年3月期) (2012年3月期) (2013年3月期) 5 2013年3月期営業利益分析 （百万円） 2,000 1,000 1,469 2012年 3月期 0 その他 +1,308 △1,000 棚卸資産 廃棄減等 +1,240 △2,000 △3,000 △4,000 △5,000 2013年 3月期 減価償却費減 +1,842 △4,101 △6,000 減収影響他 △1,810 △7,000 人件費減 +2,990 △8,000 6 2013年3月期費用等実績（前期比） (百万円) 12年3月期 13年3月期 増 減 増減率 費 16,635 13,646 費 7,762 7,214 減価償却費 3,546 1,705 △1,842 △51.9% 研究開発費 4,769 3,361 △1,408 △29.5% 設 備 投 資 3,091 2,199 △892 △28.8% 人 経 件 △2,990 △17.9% △548 △7.0% 7 2014年3月期計画について 8 2014年3月期計画 (百万円) 14年3月期（計画） 増 減 13年3月期 上 期 下 期 通 期 増減率 高 36,417 20,000 22,000 42,000 5,583 15.3% 営 業 利 益 1,469 850 1,650 2,500 1,031 70.1% 当期純利益 1,721 700 1,400 2,100 379 22.0% 売 上 ・計画上の為替レート：1US$＝¥85.00 9 2014年3月期売上高計画（前期比） (百万円) 50,000 42,000 (+15.3%) 40,000 3,020 36,417 3,190 3,022 2,705 5,080 30,000 5,308 3,570 2,421 6,490 5,924 20,000 半導体 30,688 35,790 （25,148） （28,460） (+16.6%) 10,000 18,400 16,802 0 2013年3月期 バイポーラ モス 2014年3月期 計画 光半導体・マイクロ波デバイス その他 SAW マイクロ波応用製品 マイクロ波管・周辺機器 10 2014年3月期売上高計画（前期比）（3） (百万円) 42,000 45,000 (+15.3%) 40,000 35,000 30,000 4,200 36,417 3,022 2,705 既存品 36,185 既存品 37,800 5,308 25,000 2,421 20,000 5,924 FORWARD 20 +4.4% 15,000 10,000 16,802 5,000 0 2013年3月期 バイポーラ モス 光半導体・マイクロ波デバイス 2014年3月期 計画 その他 マイクロ波応用製品 マイクロ波管・周辺機器 FORWARD 20 11 2014年3月期営業利益分析 （百万円） 5,000 人件費増 △444 減価償却費増 △425 4,000 その他 △677 3,000 2,500 2,000 1,469 増収影響他 +2,577 1,000 0 2014年 3月期 2013年 3月期 12 2014年3月期費用等計画（前期比） (百万円) 13年3月期 14年3月期 （計画） 費 13,646 14,090 444 3.2% 費 7,214 8,300 1,086 15.1% 減価償却費 1,705 2,130 425 24.9% 研究開発費 3,361 3,950 589 17.5% 設 備 投 資 2,199 2,400 201 9.1% 人 経 件 増 減 増減率 13 損益分岐点売上高推移 （百万円） 損益分岐点売上高 50,000 45,008 44,484 40,000 35,418 37,877 固定費 30,000 20,000 28,781 前期比 28,220 22,774 10,000 24,620 ＋1,846 (＋8.1%) 0 11年3月期 12年3月期 13年3月期 14年3月期 （計画） 14 設備投資額推移 (百万円) 4,000 減価償却費 3,500 3,000 2013年度の主な投資案件 エヌ・ジェイ・アール福岡 THAI NJR 佐賀エレクトロニックス 一般管理・補助(IT等) 半導体 マイクロ波応用製品 マイクロ波管・周辺機器 3,546 3,091 FORWARD 20 新技術・新事業向け 621 2,400 2,500 2,199 2,130 2,000 1,230 1,705 その他 生産維持等 1,500 549 1,000 DEFENSE 20 500 THAI工場拡張及び インフラ更新等 0 2011年度 2012年度 2013年度計画 15 今後の成長戦略 16 当社を取り巻く事業環境 ■ 歴史的な円高 （激変する為替水準） ■ 世界的な景気減速 （一部改善の兆しも、予断できず） ■ 主要顧客の変容 （加速する半導体業界再編） 17 計画達成のための施策 １．事業構造改革の完遂 「固定費圧縮」によるコスト競争力向上 ２．成長戦略（売上拡大） DEFENSE 20 FORWARD 20 18 DEFENSE 20 ベースライン製品の強化、拡充 19 FORWARD 20 20 FORWARD 20 コアテクノロジーとビジネス展開 SAW Foundry （ＪＲＣ＋ＸＸ） MEMS GaAs NJRC Technologies Foundry Thin film service Technologies マイクロ波 関連 Microwave-related 21 FORWARD 20 FORWARD 20 売上高計画 (百万円) 5,000 4,200 4,500 4,000 3,500 MEMS 3,000 2,500 Wi-Fi 通 信 市場 2,000 1,500 SAW関係 1,000 500 0 13年3月期 14年3月期 計画 22 FORWARD 20 SAW事業の事業構造 日本無線からの事業移管 ＋ ファウンドリービジネス Wafer Process （前工程） Package Assembly （後工程） SAW製品 電子部品 メーカー ファウンドリー 高周波モジュール（FEM） 事業への展開 23 FORWARD 20 MEMSマイクとアプリケーション例 モジュール メーカー 当社製品 セットメーカー NJD3002 MEMSﾏｲｸｾﾝｻｰ. ﾏｲｸｱﾝﾌﾟ スマートフォン タブレットPC 周辺機器等 NJU72082 24 FORWARD 20 電子部品メーカーとの協業 能動部品 半導体 (Active) Module 受動部品 (Passive) 協業（Collaboration） 抵抗 コンデンサー コイル SAW 進む小型、薄型、 大量生産、そして低価格化 半導体技術で達成 TOTAL SOLUTION スマホ・タブレット市場等への対応 25 NEW TECHNOLOGY FORWARD 20 次世代パワーデバイス（SJ MOSFET） SJ MOSFETの位置付け GaN 技術開発・量産の状況 High end GaN SiC Middle end GaN SJ MOS SiC Low end DMOS SJ MOS DMOS IGBT 200V ㈱デンソー ライセンス契約 SJ MOS ＞ 1200V 600V PC向け その他の市場 DMOS FET Multi Epi SJ FET Trench埋込Epi 100% 約50% 約25% 26 THIA NJR THAI NJR（半導体後工程工場）拡張 Ｎ Thai NJR 敷地面積: 54,566 m2 新工場 敷地面積: 3,528 m2 現工場 敷地面積: 9,957 m2 63m 56m 351m 着工： 2013年4月 完成： 2014年1月 THAI NJR 58m 170m 239m 27 ご清聴ありがとうございました。 28