BCV26 PNP PNP

BCV26
BCV26
Surface Mount Darlington Si-Epi-Planar Transistors
Si-Epi-Planar Darlington-Transistoren für die Oberflächenmontage
PNP
PNP
Version 2015-05-12
Type
Code
1
1.3±0.1
3
2.4 ±0.2
0.4
+0.1
-0.05
Power dissipation – Verlustleistung
+0.1
1.1 -0.2
2.9 ±0.1
2
±0.1
1.9
Dimensions - Maße [mm]
1=B
2=E
3=C
200 mW
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
BCV26
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
B open
- VCEO
30 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
E open
- VCBO
40 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
- VEBO
10 V
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
200 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
- IC
500 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
4000
10000
20000
–
–
–
–
–
–
1.0 V
–
–
1.5 V
2
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis )
- VCE = 5 V, - IC = 1 mA
- VCE = 5 V, - IC = 10 mA
- VCE = 5 V, - IC = 100 mA
hFE
hFE
hFE
–
2
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. )
- IC = 100 mA, - IB = 0.1 mA
- VCEsat
2
Base-Emitter saturation voltage – Basis-Emitter-Sättigungsspannung )
- IC = 100 mA, - IB = 0.1 mA
1
2
- VBEsat
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BCV26
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
- VCB = 30 V, (E open)
- ICBO
–
–
100 nA
- IEBO
–
–-
100 nA
fT
–
220 MHz
–
Emitter-Base-cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
- VEB = 10 V, (C open)
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
- IC = 5 mA, - VCE = 30 V, f = 100 MHz
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
< 420 K/W 1)
RthA
120
[%]
100
80
60
40
20
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature 1)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG