BCV26 BCV26 Surface Mount Darlington Si-Epi-Planar Transistors Si-Epi-Planar Darlington-Transistoren für die Oberflächenmontage PNP PNP Version 2015-05-12 Type Code 1 1.3±0.1 3 2.4 ±0.2 0.4 +0.1 -0.05 Power dissipation – Verlustleistung +0.1 1.1 -0.2 2.9 ±0.1 2 ±0.1 1.9 Dimensions - Maße [mm] 1=B 2=E 3=C 200 mW Plastic case Kunststoffgehäuse SOT-23 (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) BCV26 Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open - VCEO 30 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open - VCBO 40 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open - VEBO 10 V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 200 mW 1) Collector current – Kollektorstrom (dc) - IC 500 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. 4000 10000 20000 – – – – – – 1.0 V – – 1.5 V 2 DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ) - VCE = 5 V, - IC = 1 mA - VCE = 5 V, - IC = 10 mA - VCE = 5 V, - IC = 100 mA hFE hFE hFE – 2 Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ) - IC = 100 mA, - IB = 0.1 mA - VCEsat 2 Base-Emitter saturation voltage – Basis-Emitter-Sättigungsspannung ) - IC = 100 mA, - IB = 0.1 mA 1 2 - VBEsat Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BCV26 Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom - VCB = 30 V, (E open) - ICBO – – 100 nA - IEBO – –- 100 nA fT – 220 MHz – Emitter-Base-cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom - VEB = 10 V, (C open) Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz - IC = 5 mA, - VCE = 30 V, f = 100 MHz Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft < 420 K/W 1) RthA 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG