MMBTA94 MMBTA94 Surface mount High Voltage Transistors Hochspannungs-Transistoren für die Oberflächenmontage PNP PNP Version 2015-05-12 +0.1 1.1 -0.2 2.9 ±0.1 Type Code 1 1.3±0.1 3 2.4 ±0.2 0.4+0.1 -0.05 2 Power dissipation Verlustleistung 200 mW Plastic case Kunststoffgehäuse SOT-23 (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g 1.9±0.1 Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Dimensions / Maße [mm] 1=B 2=E 3=C Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) MMBTA94 Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung B open - VCEO 400 V Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung E open - VCBO 400 V Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open - VEBO 6V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 200 mW 1) Collector current – Kollektorstrom (dc) - IC 300 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. - ICB0 – – 100 nA - IEB0 – – 100 nA - VCEsat - VCEsat – – – – 500 mV 750 mV - VBEsat – – 750 mV Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom IE = 0, - VCB = 300 V Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom IC = 0, - VEB = 4 V Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 1) - IC = 10 mA, - IB = 1 mA - IC = 50 mA, - IB = 5 mA Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 2) - IC = 10 mA, - IB = 1 mA 1 1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MMBTA94 Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. hFE hFE hFE 100 40 25 – – – – – – CCBO – – 7 pF DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis - VCE = 10 V, - IC = 1 mA - VCE = 10 V, - IC = 10 mA - VCE = 10 V, - IC = 30 mA Collector-Base capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität - VCB = 20 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz MMBTA92 Thermal resistance junction – ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft < 500 K/W 2) RthA Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren MMBTA44 Marking - Stempelung MMBTA94 = 4D 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1) 1 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) 2 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG