多層基板材料 狭ピッチ対応ハロゲンフリー 半導体パッケージ基板材料 コア材 （両面銅張） R-1515W プリプレグ R-1410W ■特長 ■用途 ●高耐熱性に優れています。 熱分解温度 390℃（5％重量減） ●高ガラス転移温度（Tg）に優れています。 DMA 250℃ ●低熱膨張に優れています。 タテ 9ppm，ヨコ 9ppm，厚さ 22ppm ●熱時剛性に優れています。 ●耐 CAF 性に優れています。 ●半導体パッケージ（主に MPU、GPU、ASIC など） ■定格 定尺寸法 （タテ×ヨコ） ＋3 1,020＋3 −0×1,020−0mm ＋3 1,220＋3 −0×1,020−0mm 銅箔厚さ 公称厚さ 0.012mm（12μm） 厚さ許容差 0.20mm ±0.025mm 0.30mm ±0.038mm 0.40mm 0.018mm（18μm） 0.50mm 0.035mm（35μm） 0.070mm（70μm） ±0.038mm 銅箔厚さを除きます。 ±0.051mm 0.60mm ±0.051mm 0.70mm ±0.076mm 0.80mm ±0.076mm 注） 公称厚さの中間に位置する厚さ許容差は、より厚い方の厚さを許容差とします。 注） 詳細寸法につきましては、別途ご相談ください。 ■性能表 試験項目 体積抵抗率 単位 MΩ・m 表面抵抗 MΩ 絶縁抵抗 MΩ 処理条件 C-96/20/65 R-1515W 実測値 4×107 C-96/20/65+C-96/40/90 1×107 C-96/20/65 C-96/20/65+C-96/40/90 5×108 3×107 C-96/20/65 2×108 C-96/20/65+D-2/100 4×107 比誘電率（1MHz） - C-96/20/65 C-96/20/65+D-24/23 5.2 5.2 比誘電率（1GHz） - C-24/23/50 4.8 誘電正接（1MHz） - C-96/20/65 C-96/20/65+D-24/23 誘電正接（1GHz） 秒 C-24/23/50 A はんだ耐熱性 引き剥がし強さ 銅箔：0.012mm（12μm） 銅箔：0.018mm（18μm） N/mm A S4 銅箔：0.035mm（35μm） 耐熱性 曲げ強度（ヨコ方向） 吸水率 耐燃性（ＵＬ法） 耐アルカリ性 A S4 A S4 N/mm2 A 0.012 0.012 0.015 120以上 0.9 0.9 1.1 1.1 1.2 1.2 300℃60分ふくれなし ％ A E-24/50+D-24/23 480 0.12 - AおよびE-168/70 浸漬 （3分） 94V-0 異常なし 注） 試験片の厚さは0.8mmです。 注） 上記試験はJIS C6481に準じます。ただし、耐燃性はUL94に、比誘電率、誘電正接の1GHzはIPC TM650 2.5.5.9によります。 （試験方法につきまして、130ページをご参照ください。） 注） 処理条件につきましては、130ページをご参照ください。 23 ●プリプレグ（保証値） R-1410W 公称厚さ 0.06mm 0.10mm 樹脂分（Resin content） 68±5％ 56±3％ 樹脂流れ（Resin flow） 25±10％ 25±10％ ※ 硬化時間（Gel time） 190±40秒 190±40秒 揮発分（Volatile content） 0.75％以下 0.6％以下 ※170℃で測定した場合。上記は暫定値です。 ■特性グラフ（参考値） ■熱膨張量（厚さ方向、板厚0.8mm） ■曲げ弾性率比較 0.0150 35 30 25 弾性率︵ ︶ 熱膨張量︵ ︶ mm 0.0100 R-1515W 20 GPa 15 当社従来品 （R-5715S） 0.0050 10 5 0.0000 0 50 100 150 200 0 250 0 50 100 温 度(℃) 150 200 250 300 温 度（℃） ■動的粘弾性 ■耐熱性 260℃ 重量減少率（TG-DTA） 10 100 2 -2.0 10 ( ) GPa 1 損 失 正 接 0 10 (tanδ) 10 1 TG︵％︶ Ｅ ´ -4.0 -6.0 -8.0 235℃ 260℃ 285℃ -10.0 10 0.1 -1 -14.0 0.01 0 50 100 150 200 250 300 10 -2 260℃重量減 R-1515W -12.0 0.2% R-1515A 50 100 0.2% 150 200 250 300 350 400 温度（℃） 温 度(℃) 24 多層基板材料 R-1515W