ONSEMI NSB9435T1G

NSB9435T1G
High Current Bias Resistor
Transistor
PNP Silicon
Features
http://onsemi.com
• Collector −Emitter Sustaining Voltage −
•
•
•
•
•
VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc
High DC Current Gain −
= 125 (Min) @ IC = 0.8 Adc
hFE
= 90 (Min) @ IC = 3.0 Adc
Low Collector −Emitter Saturation Voltage −
VCE(sat) = 0.275 Vdc (Max) @ IC = 1.2 Adc
= 0.55 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
SOT−223 Surface Mount Packaging
ESD Rating − Human Body Model: Class 1B
− Machine Model: Class B
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
POWER BJT
IC = 3.0 AMPERES
BVCEO = 30 VOLTS
VCE(sat) = 0.275 VOLTS
COLLECTOR 2,4
BASE
1
EMITTER 3
MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏ
ÏÏÏ
ÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
Symbol
Value
Unit
VCEO
30
Vdc
Collector−Base Voltage
VCB
45
Vdc
Emitter−Base Voltage
VEB
± 6.0
Vdc
Base Current − Continuous
IB
1.0
Adc
Collector Current
IC
3.0
5.0
Adc
3.0
24
1.56
W
mW/_C
W
0.72
W
– 55 to
+ 150
_C
Rating
Collector−Emitter Voltage
− Continuous
− Peak
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25_C
Total PD @ TA = 25_C mounted on 1″ sq.
(645 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd
material
Total PD @ TA = 25_C mounted on 0.012″
sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd
material
Operating and Storage Junction
Temperature Range
PD
TJ, Tstg
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010
September, 2010 − Rev. 6
1
SOT−223
CASE 318E
STYLE 1
MARKING DIAGRAM
AYW
9435R G
G
1
A
= Assembly Location
Y
= Year
W
= Work Week
9435R = Device Code
G
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping†
NSB9435T1G
SOT−223
(Pb−Free)
1000/Tape & Reel
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
Publication Order Number:
NSB9435T1/D
NSB9435T1G
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Thermal Resistance
Junction−to−Case
Junction−to−Ambient on 1″ sq.(645 sq. mm) Collector pad on FR−4 board material
Junction−to−Ambient on 0.012″ sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR−4 board material
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8″ from case for 5 s
Value
RqJC
RqJA
RqJA
42
80
174
TL
260
Unit
_C/W
_C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
Min
Typ
Max
30
−
−
6.0
−
−
−
−
−
−
20
200
−
−
700
−
−
−
0.155
−
−
0.210
0.275
0.550
−
−
1.25
−
−
1.10
125
110
90
220
−
−
−
−
−
7.5
10
12.5
−
100
150
−
135
−
−
110
−
Unit
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏ
ÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏ
ÏÏÏ
ÏÏÏ
ÏÏÏ
ÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ
OFF CHARACTERISTICS
Collector−Emitter Sustaining Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 0 Adc)
VCEO(sus)
Emitter−Base Voltage
(IE = 50 mAdc, IC = 0 Adc)
VEBO
Collector Cutoff Current
(VCE = 25 Vdc)
(VCE = 25 Vdc, TJ = 125°C)
ICER
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc)
IEBO
Vdc
Vdc
mAdc
mAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 1)
Collector−Emitter Saturation Voltage
(IC = 0.8 Adc, IB = 20 mAdc)
(IC = 1.2 Adc, IB = 20 mAdc)
(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc)
VCE(sat)
Base−Emitter Saturation Voltage
(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc)
VBE(sat)
Base−Emitter On Voltage
(IC = 1.2 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
VBE(on)
DC Current Gain
(IC = 0.8 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
(IC = 1.2 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
(IC = 3.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
hFE
Resistor
R1
Vdc
Vdc
Vdc
−
kW
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0 Adc, f = 1.0 MHz)
Cob
Input Capacitance
(VEB = 8.0 Vdc)
Cib
Current−Gain − Bandwidth Product (Note 2)
(IC = 500 mA, VCE = 10 V, Ftest = 1.0 MHz)
fT
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2%.
2. fT = |hFE| S ftest
http://onsemi.com
2
pF
pF
MHz
NSB9435T1G
1000
0.25
hFE, DC CURRENT GAIN
VCE(sat), COLLECTOR−EMITTER
SATURATION VOLTAGE (V)
0.3
IC = 3.0 A
0.2
0.15
25°C
100
0.1
1.2 A
0.8 A
0.05
0
TA = 150°C
−55°C
0.5 A
0.25 A
0.001
0.01
0.1
10
1
VCE = 1.0 V
0.1
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 2. DC Current Gain
1000
10
TA = 150°C
V, VOLTAGE (V)
hFE, DC CURRENT GAIN
10
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 1. Collector Saturation Region
25°C
100
10
1
−55°C
VCE = 4.0 V
0.1
1
VCE(sat)
0.1
0.01
10
VBE(sat)
1
IC/IB = 10
1.0E−01
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
1.0E+00
1.0E+01
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 3. DC Current Gain
Figure 4. “ON” Voltages
1.0E+00
1.2
VBE(sat)
1
V, VOLTAGE (V)
V, VOLTAGE (V)
VCE(sat)
1.0E−01
1.0E−01
1.0E+00
0.8
25°C
0.6
TA = 155°C
0.4
0.2
IC/IB = 50
1.0E−02
−55°C
1.0E+01
0
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
1
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 5. “ON” Voltages
Figure 6. VBE(on) Voltage
http://onsemi.com
3
10
NSB9435T1G
10
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Cob, OUTPUT CAPACITANCE (pF)
1000
100
10
f = 1 MHz
TA = 25°C
1
0.1
10
1
0.5 ms
5.0 ms
1.0
100 ms
0.1
0.01
BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT (Single Pulse)
SECONDARY BREAKDOWN LIMIT
0.001
100
0.1
Figure 7. Output Capacitance
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
TC
2.0
1.0
TA
50
75
100
100
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and secondary
breakdown. Safe operating area curves indicate IC − VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 8 is based on TJ(pk) = 150_C; TC is
variable depending on conditions. Secondary breakdown
pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
v 150_C. TJ(pk) may be calculated from the data in
Figure 10. At high case temperatures, thermal limitations
will reduce the power that can be handled to values less than
the limitations imposed by secondary breakdown.
3.0
25
10
Figure 8. Active Region Safe Operating Area
4.0
0
1.0
VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
125
150
T, TEMPERATURE (°C)
r(t), EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL
RESISTANCE (NORMALIZED)
Figure 9. Power Derating
1.0
D = 0.5
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
RqJA(t) = r(t) qJA
qJA = 174°C/W
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) - TA = P(pk) qJA(t)
SINGLE PULSE
0.001
0.0001
0.0001
0.001
0.01
1.0
0.1
t, TIME (seconds)
Figure 10. Thermal Response
http://onsemi.com
4
10
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
100
1000
NSB9435T1G
PACKAGE DIMENSIONS
SOT−223 (TO−261)
CASE 318E−04
ISSUE N
D
b1
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
4
HE
1
2
3
b
e1
e
A1
C
q
A
0.08 (0003)
DIM
A
A1
b
b1
c
D
E
e
e1
L
L1
HE
E
q
L
STYLE 1:
PIN 1.
2.
3.
4.
L1
MIN
1.50
0.02
0.60
2.90
0.24
6.30
3.30
2.20
0.85
0.20
1.50
6.70
0°
MILLIMETERS
NOM
MAX
1.63
1.75
0.06
0.10
0.75
0.89
3.06
3.20
0.29
0.35
6.50
6.70
3.50
3.70
2.30
2.40
0.94
1.05
−−−
−−−
1.75
2.00
7.00
7.30
10°
−
MIN
0.060
0.001
0.024
0.115
0.009
0.249
0.130
0.087
0.033
0.008
0.060
0.264
0°
INCHES
NOM
0.064
0.002
0.030
0.121
0.012
0.256
0.138
0.091
0.037
−−−
0.069
0.276
−
MAX
0.068
0.004
0.035
0.126
0.014
0.263
0.145
0.094
0.041
−−−
0.078
0.287
10°
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
SOLDERING FOOTPRINT*
3.8
0.15
2.0
0.079
2.3
0.091
2.3
0.091
6.3
0.248
2.0
0.079
1.5
0.059
SCALE 6:1
mm Ǔ
ǒinches
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
ON Semiconductor and
are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice
to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability
arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.
“Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All
operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights
nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should
Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates,
and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death
associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal
Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
LITERATURE FULFILLMENT:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303−675−2175 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303−675−2176 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada
Email: [email protected]
N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free
USA/Canada
Europe, Middle East and Africa Technical Support:
Phone: 421 33 790 2910
Japan Customer Focus Center
Phone: 81−3−5773−3850
http://onsemi.com
5
ON Semiconductor Website: www.onsemi.com
Order Literature: http://www.onsemi.com/orderlit
For additional information, please contact your local
Sales Representative
NSB9435T1/D