QS043-402-20393（2/5） ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｓｉｎｇｌｅ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 108 93 4 - Ø6.5 2 -M6 (C) 1 (G) 3 1 14 16 48 2 4 20 (E) 2 9 62 □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ (E) 4 ＰＨＭＢ４００Ｅ６ ４００Ａ，６００Ｖ 3 24 2 -M4 20 29 25.5 13 11 7 23 LABEL Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage Ｒａｔｅｄ Ｓｙｍｂｏｌ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＶＣＥＳ ６００ Ｖ ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ ＩＣ ＩＣＰ ４００ ８００ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ １４７０ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ ＤＣ １ｍｓ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電 気 的 特 性 ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ（ＲＭＳ） ３（３０．６） Ｆｔｏｒ Ｍ４ １．４（１４．３） Ｍ６ ３（３０．６） Ｎ・ｍ (kgf･cm) ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 600V,ＶＧＥ= 0V － － １.０ ｍＡ ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 400A,ＶＧＥ= 15V － ２.１ ２.６ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 400mA ４.０ － ８.０ Ｖ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime 上 昇 時 間 ターンオン時間 下 降 時 間 ターンオフ時間 Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 20,000 － ｐＦ ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ ＶＣＣ= ＲＬ= ＲＧ= ＶＧＥ= － － － － ０.１５ ０.３０ ０.１０ ０.４０ ０.３５ ０.８５ ０.２５ ０.８０ μｓ 300V 0.75Ω 3.0Ω ±15V ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｃｉｅｓ ＤＣ １ｍｓ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ４００ ８００ Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｕｎｉｔ Ａ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＶＦ ＩＦ= 400A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ ｔｒｒ ＩＦ= 400A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 800A/μs － ０.１５ ０.２５ μｓ Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － Ｍａｘ. ０.０８５ ０.２０ Ｕｎｉｔ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case （Tc測定点チップ直下） ℃／Ｗ 00 日本インター株式会社 QS043-402-20393（3/5） ＰＨＭＢ４００Ｅ６ Fig.1- Output Characteristics (Typical) Fig.2- Output Characteristics (Typical) T C=25°C 800 VGE=20V 700 VGE=20V 12V 700 15V 11V 500 400 10V 300 9V 200 12V 15V 600 Collector Current I C (A) 600 Collector Current I C (A) T C=125°C 800 11V 500 10V 400 300 9V 200 8V 100 0 100 8V 0 1 2 3 4 0 5 0 1 Collector to Emitter Voltage VCE (V) 800A 400A 12 10 8 6 4 2 0 0 4 8 12 16 IC=200A 14 400A 10 8 6 4 2 0 20 0 4 8 300 12 250 10 VCE =300V 8 200V 6 100V 4 30000 Cies 10000 Coes 3000 Cres 1000 2 50 0 VGE=0V f=1MHZ T C=25°C 100000 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 14 100 20 Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) Capacitance C (pF) RL =0.75( TC=25°C 150 16 300000 16 200 12 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 350 800A 12 Gate to Emitter Voltage VGE (V) 400 5 T C=125°C 16 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) IC=200A 4 Fig.4- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) T C=25°C 14 3 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 2 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 1600 300 0.1 Total Gate Charge Qg (nC) 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 Collector to Emitter Voltage VCE (V) 00 日本インター株式会社 QS043-402-20393（4/5） ＰＨＭＢ４００Ｅ６ Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1 0.6 tf 0.4 2 tON 0.2 1 0.5 toff 0.2 tr(V CE) ton tf 0.1 0.05 tr(VCE) 0 VCC=300V IC=400A VGE=±15V T C=25°C Resistive Load 5 Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) 10 VCC=300V RG=3.0 ( VGE=±15V T C=25°C Resistive Load tOFF 0.8 Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 0 100 200 300 400 500 0.02 600 1 3 Collector Current IC (A) Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time 10 VCC=300V RG=3.0( VGE=±15V T C=125°C Inductive Load tOFF tON tf 0.1 tr(Ic) 0.01 VCC=300V IC=400A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 5 2 Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) 1 1 0.5 toff 0.2 ton 0.1 tf 0.05 0.001 0 100 200 300 400 500 0.02 600 tr(IC ) 1 3 Collector Current IC (A) 30 Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss 1000 VCC=300V RG=3.0 ( VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 30 EOFF EON 20 ERR 10 0 100 200 300 400 500 600 Switching Loss ESW (mJ/Pulse) 40 Switching Loss ESW (mJ/Pulse) 10 Series Gate Impedance RG (( ) Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss 0 30 Series Gate Impedance RG (( ) Fig.9- Collector Current vs. Switching Time 10 10 VCC=300V IC=400A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 300 EON 100 EOFF 30 ERR 10 3 1 1 3 10 30 Series Gate Impedance RG (( ) Collector Current IC (A) 00 日本インター株式会社 QS043-402-20393（5/5） ＰＤＭＢ４００Ｅ６ Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical) Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) T C=25°C 1000 Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) 400 200 0 1 2 3 500 trr 200 100 50 20 10 4 IRrM 0 400 800 Forward Voltage VF (V) 1200 1600 2000 2400 -di/dt (A/µs) Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area 2000 RG=3.0( , VGE=±15V, T C<125°C 1000 500 200 Collector Current I C (A) 0 IF=400A T C=25°C T C=125°C T C=125°C 600 100 50 20 10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0 200 400 600 800 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.16- Transient Thermal Impedance 1 Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (°C/W) Forward Current I F (A) 800 FRD 3x10 -1 IGBT 1x10 -1 3x10 -2 1x10 -2 3x10 -3 T C=25°C 1x10 -3 1 Shot Pulse 3x10 -4 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 10 1 Time t (s) 00 日本インター株式会社