QMS7301-302M0172 (2/4) Full Bridge ＩＧＢＴ Module ＰＢＭＢ２００Ｂ１２ ２００Ａ／１２００Ｖ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 110.0 4-Ø 6.5 3 4-M6 7 6 1 1 2 3 8 9 10 6 7 4 5 6 15 6 62.0 80.0 25.0 12 11 9 14 13 14 13 2 4 5 11 12 25 25 24 24 93.0 7 7 18 18 23 30.0 8 18 8-fasten tab #110 7 LABEL Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （at TC=25℃ unless otherwise specified） Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲート・エミッタ間電圧 Ｇ ate-Ｅ mitter Ｖ oltage ＤＣ １ｍｓ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＶＣＥＳ １，２００ Ｖ ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ ＩＣ ＩＣＰ ２００ ４００ Ａ １，０００ Ｗ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ(ＲＭＳ) Ｆｔｏｒ ３（３０.６） Ｎ・ｍ (kgf･cm) 絶 縁 耐 圧 (Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （at Tj=25℃ unless otherwise specified） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇ a t e - Ｅ m i t t e r Ｌ e a k a g e Ｃ u rr e n t Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ４.０ ｍＡ ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ ＩＣ= 200A,ＶＧＥ= 15V － １.９ ２.４ Ｖ ４.０ － ８.０ Ｖ － 16,600 － ｐＦ － － － － ０.２５ ０.４０ ０.２５ ０.８０ ０.４５ ０.７０ ０.３５ １.１０ μｓ ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 200mA Ｃｉｅｓ ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ ＶＣＣ= ＲＬ= ＲＧ= ＶＧＥ= 600V 3.0Ω 2Ω ±15V □ フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ（at TC=25℃） ＆ Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆ orward Ｃ urrent Ｓｙｍｂｏｌ ＤＣ １ｍｓ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ □ 熱 的 特 性 ＶＦ ｔｒｒ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（at Tj=25℃） Ｒａｔｅｄ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime Ｕｎｉｔ － ＶＧＥ(th) Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｍａｘ. － ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇ ate-Ｅ mitter Ｔ hreshold Ｖ oltage 上 昇 時 間 ターンオン時間 下 降 時 間 ターンオフ時間 Ｔｙｐ. ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V ＶＣＥ(sat) スイッチング時間 Ｓ w i t c h in g Ｔ im e Ｍｉｎ. ＩＣＥＳ コ レ ク タ ・ エ ミ ッ タ 間 飽 和 電 圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ２００ ４００ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ａ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 400A/μs － ０.２ ０.３ μｓ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ － － － － ０.１２５ ０.２４０ ℃／Ｗ ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 Ｔ hermal Ｉ mpedance Ｓｙｍｂｏｌ ＩＧＢＴ Ｄiode Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case ＰＢＭＢ２００Ｂ１２ Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25℃ 400 12V I C=100A 10V 15V Collector Current I C (A) 300 9V 200 8V 100 7V 0 0 2 TC=25℃ 16 Collector to Emitter Voltage V CE (V) V GE =20V 4 6 8 14 200A 12 10 8 6 4 2 0 10 0 4 Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 12 10 8 6 4 2 8 12 16 RL=3Ω TC=25℃ 16 700 14 600 12 500 10 400 8 VCE =600V 300 6 400V 200 4 200V 100 2 0 20 0 300 600 900 1200 0 1500 Total Gate Charge Qg (nC) Gate to Emitter Voltage V GE (V) Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 100000 50000 VGE =0V f=1MHZ TC=25℃ 20000 Cies 10000 5000 Coes 2000 1000 1.4 V CC=600V R G= 2.0 Ω V GE =±15V TC=25℃ 1.2 Switching Time t (μs) Capacitance C (pF) 20 1 tOFF 0.8 tf 0.6 0.4 500 Cres 200 100 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 0.2 0 tON tr 0 Collector to Emitter Voltage V CE (V) 50 100 Collector Current IC (A) 日本インター株式会社 150 200 Gate to Emitter Voltage V GE (V) 200A 4 16 800 400A 14 0 12 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) TC=125℃ 16 0 8 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) I C=100A 400A ＰＢＭＢ２００Ｂ１２ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 400 10 VCC=600V I C=200A VGE =±15V TC=25℃ TC=125℃ toff tr 2 Forward Current I F (A) Switching Time t (μs) 5 TC=25℃ ton 1 tf 0.5 0.2 300 200 100 0.1 0.05 1 2 5 10 20 50 100 0 200 1 2 3 4 Series Gate Impedance R G (Ω) Forward Voltage V F (V) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area 1000 1000 IF=200A TC=25℃ 500 R G=2Ω V GE=±15V TC≦125℃ 500 200 Collector Current I C (A) 200 trr 100 50 20 IRrM 100 50 20 10 5 2 1 0.5 10 0.2 200 400 600 800 1000 0.1 1200 0 400 800 Fig.11- Transient Thermal Impedance 1 5x10 -1 2x10 FRD -1 IGBT 1x10 -1 5x10 -2 2x10 -2 1x10 -2 5x10 -3 2x10 -3 TC=25℃ 1x10 -3 1 Shot Pulse 5x10 -4 10 -5 1200 Collector to Emitter Voltage V CE (V) -di/dt (A/μs) (℃/W) 0 (J-C) 5 Transient Thermal Impedance Rth Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) 0 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 Time t (s) 日本インター株式会社 1 10 1 1600