QS043-402-（2/5） ＰＨＭＢ６００ＢＳ１２ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｓｉｎｇｌｅ ６００ Ａ，１２００Ｖ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＰＨＭＢ６００ＢＳ１２Ｃ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 110 4 - Ø6.5 93 ± 0 .2 5 2 -M8 4 - Ø6.5 4 2 -M6 108 93 9 4 62 1 14 16 48 2 20 2 80 (E) 4 (C) 1 20 20 62 ± 0 .2 5 1 (E) 2 3 3 (G) 3 13 21 24 2 -M4 29 29 20 11 25.5 23 LABEL 7 7 LABEL 23 - 0.5 36 +1.0 - 0.5 25.5 +1.0 13 2 -M4 PH MB600BS12 PH MB600BS12C Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage Ｒａｔｅｄ Ｓｙｍｂｏｌ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＶＣＥＳ １，２００ Ｖ ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ ＩＣ ＩＣＰ ６００ １，２００ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ３，６００ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ（ＲＭＳ） ＤＣ １ｍｓ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque □ 電 気 的 特 性 Ｂusbar to Ｔerminals Ｆｔｏｒ ３（３０.６） PHMB600BS12 Ｍ４ Ｍ８ １ ４（１４ ３） PHMB600BS12C １０ ５(１０７) ３（３０.６） Ｎ・ｍ Ｍ４ １ ４（１４ ３） (kgf･cm) Ｍ６ ３(３０ ６) ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V － － ６.０ ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 600A,ＶＧＥ= 15V － ２.３ ２.７ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 600mA ４.０ － ８.０ Ｖ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent Ｓｙｍｂｏｌ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime 上 昇 時 間 ターンオン時間 下 降 時 間 ターンオフ時間 Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime Ｕｎｉｔ ｍＡ Ｃｉｅｓ ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 37,800 － ｐＦ ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ ＶＣＣ= 600V ＲL= 1.0Ω ＲG= 2.7Ω ＶＧＥ= ±15V － － － － ０.２５ ０.４０ ０.２５ ０.８０ ０.４５ ０.７０ ０.３５ １.１０ μｓ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＤＣ １ｍｓ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ６００ １,２００ Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｕｎｉｔ Ａ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＶＦ ＩＦ= 600A,ＶＧＥ= 0V － ２.２ ２.６ Ｖ ｔｒｒ ＩＦ= 600A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 1200A/μs － ０.２ ０.３ μｓ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ － ０.０３５ ℃／Ｗ ０.０７１ － 00 日本インター株式会社 QS043-402-（3/5） ＰＨＭＢ６００ＢＳ１２ ＰＨＭＢ６００ＢＳ１２Ｃ Fig.1- Output Characteristics (Typical) 12V VGE=20V T C=125°C 1200 VGE=20V 11V 15V 10V 800 600 9V 400 8V 12V 11V 15V 1000 Collector Current I C (A) 1000 Collector Current I C (A) Fig.2- Output Characteristics (Typical) T C=25°C 1200 10V 800 600 9V 400 200 8V 200 7V 7V 0 0 1 2 3 4 0 5 0 1 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 1200A 600A 12 10 8 6 4 2 0 4 8 12 16 600A 10 8 6 4 2 0 4 8 16 14 100000 12 500 10 400 8 VCE =600V 6 400V 4 200V 100 0 0 1000 2000 3000 20 4000 VGE=0V f=1MHZ T C=25°C Cies Capacitance C (pF) 600 200 16 Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 300000 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) RL =1.0( TC=25°C 300 12 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 700 1200A 12 0 20 IC=300A 14 Gate to Emitter Voltage VGE (V) 800 5 T C=125°C 16 14 0 4 Fig.4- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) T C=25°C IC=300A 3 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 2 30000 10000 Coes 3000 1000 2 300 0 5000 100 Cres 0.1 0.2 Total Gate Charge Qg (nC) 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 Collector to Emitter Voltage VCE (V) 00 日本インター株式会社 QS043-402-（4/5） ＰＨＭＢ６００ＢＳ１２ ＰＨＭＢ６００ＢＳ１２Ｃ Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 2 VCC=600V RG=2.7 ( VGE=±15V T C=25°C Resistive Load tOFF 1.2 tf 0.8 0 1 toff ton 0.3 tf tr (V CE) 0.1 tON 0.4 VCC=600V IC=600A VGE=±15V T C=25°C Resistive Load 3 Switching Time t (µs) 1.6 Switching Time t (µs) Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 5 tr(V CE) 0 100 200 300 400 500 0.03 600 1 3 Collector Current IC (A) Fig.9- Collector Current vs. Switching Time Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time 10 VCC=600V RG=2.7 ( VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 1 tf tON 0.3 tr(Ic) 0.1 2 1 toff 0.5 ton 0.2 tf 0.1 tr(IC ) 0.03 0.01 VCC=600V IC=600A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 5 Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) tOFF 0.05 0 200 400 600 0.02 800 1 3 Collector Current IC (A) 10 30 Series Gate Impedance RG (( ) Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss 250 1000 VCC=600V RG=2.7( VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 200 Switching Loss ESW (mJ/Pulse) Switching Loss ESW (mJ/Pulse) 30 Series Gate Impedance RG (( ) 10 3 10 EON 150 100 EOFF ERR 50 0 VCC=600V IC=600A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 300 EON EOFF 100 ERR 30 10 0 200 400 600 800 1000 1 Collector Current IC (A) 3 10 30 Series Gate Impedance RG (() 00 日本インター株式会社 QS043-402-（5/5） ＰＨＭＢ６００ＢＳ１２ ＰＨＭＢ６００ＢＳ１２Ｃ Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical) Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) 1000 Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) 1200 1000 T C=125°C 800 600 400 200 0 1 2 3 trr 300 IRrM 100 30 4 0 600 1200 Forward Voltage VF (V) 1800 2400 3000 3600 -di/dt (A/µs) Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area 2000 RG=2.7 ( , VGE=±15V, T C=125°C 1000 300 Collector Current I C (A) 0 100 30 10 3 1 0.3 0.1 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.16- Transient Thermal Impedance 3x10 -1 Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (°C/W) Forward Current I F (A) T C=25°C IF=600A T C=25°C T C=125°C FRD 1x10 -1 IGBT 3x10 -2 1x10 -2 3x10 -3 T C=25°C 1x10 -3 1 Shot Pulse 3x10 -4 10 -5 10-4 10-3 10 -2 10 -1 1 10 1 Time t (s) 00 日本インター株式会社