PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 649A 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A080BJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：800×800µm 2 焊位尺寸：B 极 124×124µm 2；E 极 221×110µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：2SB649A，HS649A，H649A █ 极限值（Ta=25℃）（TO-126、TO-126ML） Tstg——贮存温度…………………………………-55~150℃ Tj——结温…………………………………………… 150℃ PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）………………… 20W PC——集电极功率耗散（TA=25℃）……………………1W VCBO——集电极—基极电压…………………………-180V VCEO——集电极—发射极电压………………………-160V V EBO ——发射极—基极电压……………………………-5V IC——集电极电流………………………………………-1.5A █ 电参数（Ta=25℃）（TO-126、TO-126ML） 参数符号 符 号 说 明 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO hFE 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 直流电流增益 VCE(sat) VBE fT Cob 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极电压 特征频率 共基极输出电容 最小值 典型值 最大值 -180 -160 -5 -10 300 60 30 -1 -1.5 140 27 单位 V V V µA 测 试 条 件 IC=-1mA，IE=0 IC=-10mA，IB=0 IE=-1mA，IC=0 VCB=-160V，IE=0 VCE=-5V，IC=-150mA VCE=-5V，IC=-500mA V IC=-500mA，IB=-50mA V VCE=-5V，IC=-150mA MHz VCE=-5V，IC=-150mA pF VCB=-10V,IE=0，f=1MHz