NPN SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HE13005 █ ＨＩＧＨ ＶＯＬＴＡＧＥ ＳＷＩＴＣＨ ＭＯＤＥ ＡＰＰＬＩＣＩＣＡＴＩＯＮ High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Montor Control █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-220AB T stg ——Storage Temperature………………………… －65~150℃ T j ——Junction Temperature……………………………… 150℃ PC——Collector Dissipation（T c=25℃）…………………… 75W VCBO ——Collector-Base Voltage…………………………… 700V VCEO——Collector-Emitter Voltage………………………… 400V 1―Base，B VEBO ——Emitter-Base Voltage……………………………… 9V 2―Collector，C 3―Emitter, E IC——Collector Current（DC）………………………………… 4A IC——Collector Current（Pulse）……………………………… 8A IB——Base Current……………………………………………2A █ 电参数（Ta=25℃） Symbol Min Typ ４００ Ｖ ＩＣ＝１０ｍＡ，ＩＢ＝０ １ ｍＡ ＶＥＢ＝９Ｖ， ＩＣ＝０ HFE（1） DC Current Gain １０ ４０ ＶＣＥ＝５Ｖ， ＩＣ＝１０Ａ HFE（2） ８ ４０ ＶＣＥ＝５Ｖ， ＩＣ＝２Ａ VCE(sat1) Collector- Emitter Saturation Voltage ０．５ Ｖ ＩＣ＝１Ａ， ＩＢ＝０．２Ａ VCE(sat2) ０．６ Ｖ ＩＣ＝２Ａ， ＩＢ＝０．５Ａ VCE(sat3) １ Ｖ ＩＣ＝４Ａ， ＩＢ＝１Ａ VBE(sat1) Base-Emitter Saturation Voltage １．２ Ｖ ＩＣ＝１Ａ， ＩＢ＝０．２Ａ VBE(sat2) １．６ Ｖ ＩＣ＝２Ａ， ＩＢ＝０．５Ａ Output Capacitance ６５ ｐＦ ＶＣＢ＝１０Ｖ，ｆ＝０．１ＭＨｚ Current Gain-Bandwidth Product ４ ＭＨｚ ＶＣＥ＝１０Ｖ， ＩＣ＝０．５Ａ BVCEO IEBO Cob fT Characteristics Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter Cut-off Current Max Unit Test Conditions tON Turn-On Time ０．８ μＳ tSTG Storage ４ μＳ ＶＣＣ＝１２５Ｖ， ＩＣ＝２Ａ ０．９ μＳ ＩＢ１＝－ＩＢ２＝０．４Ａ tF Fall Time Time hFE Classification： H1（10--16） H2（14--21） H3（19--26） H4（24--31） H5（29--40） Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. NPN SILICON TRANSISTOR HE13005 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. NPN SILICON TRANS ISTOR HE13005