QS043-402-20389 （2/5） ＰＤＭＢ６００Ｅ６ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ ６００Ａ，６００Ｖ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 7(G2) 6(E2) 6 5 5(E1) 4(G1) 4 1 9 6 5 4 16 25 24 24 9 16 16 9 16 8 23 LABEL 7 7 23 LABEL 30 +1.0 - 0.5 +1.0 30 - 0.5 8 16 25 9 16 7 3 2 25 25 4-Ø 6.5 62 11 13 20 7 3 2 15 6 62 ± 0 .2 5 1 6 (C1) 3 3-M6 80 13 20 (E2) 2 108 93 ± 0 .2 5 14 11 14 11 14 4-Ø6.5 11 (C2E1) 1 110 93 ± 0 .2 5 14 11 14 11 14 15 6 48 ± 0 .2 5 3-M6 6 □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＰＤＭＢ６００Ｅ６Ｃ PDMB600E6 PDMB600E6C Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage Ｒａｔｅｄ Ｓｙｍｂｏｌ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＶＣＥＳ ６００ Ｖ ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ ＩＣ ＩＣＰ ６００ １,２００ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ２,０８０ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ（ＲＭＳ） Ｆｔｏｒ ３（３０．６） Ｎ・ｍ (kgf･cm) ＤＣ １ｍｓ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 600V, ＶＧＥ= 0V － － １.０ ｍＡ ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 600A,ＶＧＥ= 15V － ２.１ ２.６ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 600mA ４.０ － ８.０ Ｖ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance Ｃｉｅｓ ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 30,000 － ｐＦ スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ ＶＣＣ= ＲＬ= ＲＧ= ＶＧＥ= － － － － ０.１５ ０.３０ ０.１０ ０.４０ ０.３５ ０.８５ ０.２５ ０.８０ μｓ 上 昇 時 間 ターンオン時間 下 降 時 間 ターンオフ時間 Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent 300V 0.5Ω 2.0Ω ±15V ＤＣ １ｍｓ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ６００ １,２００ Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｕｎｉｔ Ａ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＶＦ ＩＦ= 600A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ ｔｒｒ ＩＦ= 600A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 1200A/μs － ０.１５ ０.２５ μｓ Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － Ｍａｘ. ０.０６ ０.１４ Ｕｎｉｔ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case （Tc測定点チップ直下） ℃／Ｗ 00 日本インター株式会社 QS043-402-20389 （3/5） ＰＤＭＢ６００Ｅ６ ＰＤＭＢ６００Ｅ６Ｃ Fig.1- Output Characteristics (Typical) Fig.2- Output Characteristics (Typical) T C=25°C 1200 VGE=20V VGE=20V 12V 15V 1000 T C=125°C 1200 12V 15V 1000 800 600 10V 400 11V Collector Current I C (A) Collector Current I C (A) 11V 9V 800 200 600 10V 400 9V 200 8V 8V 0 0 1 2 3 4 0 5 0 1 Collector to Emitter Voltage VCE (V) 1200A 600A 12 10 8 6 4 2 0 0 4 8 12 16 IC=300A 14 600A 10 8 6 4 2 0 20 0 4 8 12 250 10 VCE =300V 8 200V 6 100V 100 20 4 VGE=0V f=1MHZ T C=25°C 100000 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 14 300 Cies 30000 Coes 10000 Cres 3000 1000 2 50 0 300000 Capacitance C (pF) RL =0.5( TC=25°C 150 16 Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 16 200 12 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 350 1200A 12 Gate to Emitter Voltage VGE (V) 400 5 T C=125°C 16 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) IC=300A 4 Fig.4- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) T C=25°C 14 3 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 2 0 500 1000 1500 2000 0 2500 300 0.1 Total Gate Charge Qg (nC) 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 Collector to Emitter Voltage VCE (V) 00 日本インター株式会社 QS043-402-20389 （4/5） ＰＤＭＢ６００Ｅ６ ＰＤＭＢ６００Ｅ６Ｃ Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1 0.6 tf 0.4 2 tON 0.2 0 1 0.5 toff 0.2 ton tr (V CE) tf 0.1 0.05 tr(V CE) 0 VCC=300V IC=600A VGE=±15V T C=25°C Resistive Load 5 Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) 10 VCC=300V RG=2.0 ( VGE=±15V T C=25°C Resistive Load tOFF 0.8 Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 150 300 450 600 750 0.02 900 1 3 Collector Current IC (A) tON tf 0.1 tr(Ic) VCC=300V IC=600A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 5 2 Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time 10 VCC=300V RG=2.0( VGE=±15V T C=125°C Inductive Load tOFF 1 30 Series Gate Impedance RG (( ) Fig.9- Collector Current vs. Switching Time 10 10 0.01 1 0.5 toff 0.2 ton tr(IC ) tf 0.1 0.05 0.001 0 150 300 450 600 750 0.02 900 1 3 Collector Current IC (A) Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss 1000 VCC=300V RG=2.0( VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 60 EOFF EON 40 ERR 20 0 150 300 450 600 750 900 Switching Loss ESW (mJ/Pulse) Switching Loss ESW (mJ/Pulse) 30 Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss 80 0 10 Series Gate Impedance RG (( ) VCC=300V IC=600A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 300 EON 100 EOFF 30 ERR 10 3 1 1 Collector Current IC (A) 3 10 30 Series Gate Impedance RG (( ) 00 日本インター株式会社 QS043-402-20389 （5/5） ＰＤＭＢ６００Ｅ６ ＰＤＭＢ６００Ｅ６Ｃ Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) T C=25°C Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 1000 800 600 400 200 1 2 3 500 trr 200 100 IRrM 50 20 4 0 600 1200 Forward Voltage VF (V) 1800 2400 3000 3600 -di/dt (A/µs) Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area 5000 RG=2.0 ( , VGE=±15V, T C<125°C 2000 1000 500 Collector Current I C (A) 0 200 100 50 20 10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0 200 400 600 800 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.16- Transient Thermal Impedance 1 Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (°C/W) Forward Current I F (A) 1000 0 IF=600A T C=25°C T C=125°C T C=125°C Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) 1200 3x10 -1 FRD 1x10 -1 IGBT 3x10 -2 1x10 -2 3x10 -3 T C=25°C 1x10 -3 1 Shot Pulse 3x10 -4 10 -5 10-4 10-3 10 -2 10 -1 1 10 1 Time t (s) 00 日本インター株式会社