NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 2SD965 HD965 █ 芯片简介 █ 芯片图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C089AJ-00-XXX 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：890×890µm 2 焊位尺寸：B 极 230×230µm；E 极 170×170µm 电极金属：铝 背面金属：金 封装形式：TO-92 █ 极限值（Ta=25℃） T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温……………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率……………………………………0.75W V CB O ——集电极—基极电压…………………………… 40V V CEO ——集电极—发射极电压………………………… 20V V EBO ——发射极—基极电压……………………………… 7V I C ——集电极电流………………………………………… 5A █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 ICBO 集电极—基极截止电流 100 nA VCB=10V, IE=0 IEBO 发射极—基极截止电流 100 nA VEB=7V, VCEO 集电极-发射极电压 20 V IC=1mA，IB=0 VEBO 发射极-基极电压 7 V IE=10μA，IC=0 hFE1 直流电流增益 180 hFE2 直流电流增益 150 VCE（sat） 集电极—发射极饱和电压 fT 特征频率 Cob 共基极输出电容 件 IC=0 VCE=2V, IC=0.5A 800 VCE=2V, IC=2A 1 150 50 V IC=3A, IB=0.1A MHz VCB=6V, IE=50mA pF VCB=20V,IE=0, f=1MHz