NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON 对应国外型号 S8550 H8550 █ 芯片简介 TRANSISTOR █ 芯片图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A063AJ-00-XXX 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：600×600µm 2 焊位尺寸：B 极 130×150µm；E 极 140×130µm 电极金属：铝 背面金属：金 封装形式：TO-92 █ 极限值（Ta=25℃） T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温……………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率…………………………………1W V CBO ——集电极—基极电压………………………………-40V V CEO ——集电极—发射极电压……………………………-25V V EBO ——发射极—基极电压………………………………-6V I C ——集电极电流………………………………………-1.5A █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 ICBO 集电极—基极截止电流 -0.1 μA VCB=-35V, IE=0 IEBO 发射极—基极截止电流 -0.1 μA VEB=-6V, IC=0 HFE 直流电流增益 85 500 件 VCE=-1V, IC=-100mA 40 VCE=-1V, IC=-800mA VBE（ON） 基极—发射极导通电压 -1.0 V VCE=-1V, IC=-10mA VCE(sat） 集电极—发射极饱和电压 -0.5 V IC=-800mA, IB=-80mA VBE(sat) 基极—发射极饱和电压 -1.2 V IC=-800mA， IB=-80mA BVCBO 集电极—基极击穿电压 40 V IC=-100μA，IE=0 BVCEO 集电极—发射极击穿电压 25 V IC=-2mA，IB=0 BVEBO 发射极—基极击穿电压 6 V IE=-100μA，IC=0 fT 特征频率 100 MHz VCE=-10V, IC=-50mA