NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR D880 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C126AG-01 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1260×1260µm 2 焊位尺寸：B 极 308×308µm 2；E 极 308×385µm 2 电极金属：铝 背面金属：银 典型封装：2SD880，HD880 █ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-220） Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温………………………………………………150℃ P C ——集电极耗散功率…………………………………30W VCBO——集电极—基极电压…………………………… 60V VCEO——集电极—发射极电压………………………… 60V VEBO——发射极—基极电压………………………………7V IC——集电极电流………………………………………… 3A IB——基极电流………………………………………… 0.3A █ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-220） 参数符号 符 号 说 明 VCE(sat) VBE(on) fT Cob 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 集电极—发射极击穿电压 直流电流增益 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极导通电压 特征频率 共基极输出电容 tON tSTG tF 导通时间 载流子贮存时间 下降时间 ICBO IEBO BVCEO hFE 最小值 典型值 最大值 单 位 100 100 60 60 20 µA µA 300 0.4 0.7 3 70 0.8 1.5 0.8 1 1 V V MHz pF µs µs µs 测 试 条 件 VCB=60V，IE=0 VEB=7V，IC=0 IC=50mA，IB=0 VCE=5V，IC=0.5A VCE=5V，IC=3A IC=3A，IB=0.3A VCE=5V，IC=0.5A VCE=5V，IC=0.5A VCB=10V，IE=0， f=1.0 MHz VCE=30V，IC=2A IB1=-IB2=0.2A