IGBT 50 A 1200 V ■回路図 CIRCUIT PHMB50B12CL ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING （単位 Dimension：mm） 3：C 1：G 2：E 質量：約35g ■最大定格 Maximum Ratings（TC＝25℃） 記号 Symbol 定 格 値 Rated Value 単位 Unit コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage VCES 1200 V ゲート・エミッタ間電圧 Gate-Emitter Voltage VGES ±20 V DC IC 0050 1ms ICP 0100 コレクタ損失 Collector Power Dissipation PC 0250 W 接合温度 Junction Temperature Range Tj −40∼＋150 ℃ 保存温度 Storage Temperature Range Tstg −40∼＋125 ℃ 絶縁耐圧 （端子−ベース間，AC１分間） Isolation Voltage（Terminal to Base, AC１min.） Viso 2500 V （RMS） Ftor 1.4（14.3） N・m （kgf・cm） 項 目 Item コレクタ電流 Collector Current 締付トルク Mounting Torque ベース取付部 Module Base to Heatsink 端子部 Busbar to Terminal A ■電気的特性 Electrical Characteristics（TC＝25℃） 項 目 Characteristic コレクタ遮断電流 Collector-Emitter Cut-Off Current ゲート漏れ電流 Gate-Emitter Leakage Current コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-Emitter Saturation Voltage ゲートしきい値電圧 Gate-Emitter Threshold Voltage 入力容量 Input Capacitance 上昇時間 Rise Time ターン・オン時間 スイッチング時間 Turn-On Time Switching Time 下降時間 Fall Time ターン・オフ時間 Turn-Off Time 記号 Symbol 条 件 Test Conditions 最小 Min. 標準 Typ. 最大 Max. 単位 Unit ICES VCE＝1200V, VGE＝0V ─ ─ 1.00 mA IGES VGE＝±20V, VCE＝0V ─ ─ 1.00 μA （sat） VCE IC＝50A, VGE＝15V ─ 1.9 2.40 V （th） VGE VCE＝5V, IC＝50mA 4.0 ─ 8.00 V VCE＝10V, VGE＝0V, f＝1MHz ─ 4200 ─ pF ─ 0.25 0.45 ─ 0.40 0.70 ─ 0.25 0.35 ─ 0.80 1.10 Cies tr ton tf VCC＝600V RL＝12Ω RG＝20Ω VGE＝±15V toff ─ 386 ─ μs Ｉ Ｇ Ｂ Ｔ モ ジ ュ ー ル ■熱的特性 Thermal Characteristics 項 目 Characteristic 熱抵抗 Thermal Impedance 記号 Symbol IGBT 条 件 Test Conditions 接合部−ケース間 Junction to Case （j-c） Rth 最小 Min. 標準 Typ. 最大 Max. 単位 Unit ─ ─ 0.43 ℃/W ■定格・特性曲線 Fig. 1 Output Characteristics（Typical） Fig. 2 Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage（Typical） TC=25㷄 100 I C=25A 15V Collector Current I C (A) 75 9V 50 8V 25 7V 0 0 2 TC=25㷄 16 10V 12V Collector to Emitter Voltage V CE (V) VGE =20V 4 6 8 14 50A 12 10 8 6 4 2 0 10 0 4 Fig. 3 Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage（Typical） Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 12 10 8 6 4 2 4 8 12 20 16 RL=12㱅 TC=25㷄 16 700 14 600 12 500 10 8 400 VCE =600V 6 300 400V 4 200 200V 2 100 0 0 20 0 50 100 Gate to Emitter Voltage V GE (V) 150 200 250 300 350 Total Gate Charge Qg (nC) Fig. 5 Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage（Typical） Fig. 6 Collector Current vs. Switching Time（Typical） 1.4 20000 VGE=0V f=1MHZ TC=25㷄 10000 VCC=600V R G=20㱅 VGE=㫧15V TC=25㷄 1.2 Cies 5000 Switching Time t (㱘s) Capacitance C (pF) tOFF 2000 1000 Coes 500 200 Cres 1 0.8 tf 0.6 0.4 100 tON 0.2 50 tr 20 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 0 200 Collector to Emitter Voltage VCE (V) 0 10 20 30 Collector Current IC (A) ─ 387 ─ 40 50 Gate to Emitter Voltage V GE (V) 50A 0 16 800 100A 14 0 12 Fig. 4 Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage（Typical） TC=125㷄 IC=25A 8 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 16 100A Fig. 7 Series Gate Impedance vs. Switching Time（Typical） Fig. 8 Reverse Bias Safe Operating Area（Typical） 10 500 VCC=600V IC=50A VGE=㫧15V TC=25㷄 R G=20㱅 VGE =㫧15V TC㻡125㷄 200 100 toff Collector Current I C (A) Switching Time t (㱘s) 5 ton 2 1 tr 0.5 tf 0.2 50 20 10 5 2 1 0.5 0.1 0.2 0.05 5 10 20 50 100 200 0.1 300 0 400 800 1200 1600 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Series Gate Impedance RG (㱅) Fig. 9 Transient Thermal Impedance (㷄/W) 5x10 -1 Transient Thermal Impedance Rth 1 (J-C) 5 2 IGBT 2x10 -1 1x10 -1 5x10 -2 2x10 -2 1x10 -2 TC=25㷄 5x10 -3 2x10 -3 10 -5 1 Shot Pulse 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 10 1 Time t (s) Ｉ Ｇ Ｂ Ｔ モ ジ ュ ー ル ─ 388 ─