SFH 300 SFH 300 FA .NPN-Silizium-Fototransistor SFH 300 SFH 300 FA feof6652 feo06652 Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from Bereich von 420 nm bis 1130 nm (SFH 300) und bei 880 nm (SFH 300 FA) ● Hohe Linearität ● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse ● Gruppiert lieferbar 420 nm to 1130 nm (SFH 300) and of 880 nm (SFH 300 FA) ● High linearity ● 5 mm LED plastic package ● Available in groups Anwendungen ● Computer-Blitzlichtgeräte ● Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Applications ● Computer-controlled flashes ● Photointerrupters ● Industrial electronics ● For control and drive circuits Semiconductor Group 240 10.95 SFH 300 SFH 300 FA Typ (*vorher) Type (*formerly) Bestellnummer Ordering Code Typ (*vorher) Type (*formerly) Bestellnummer Ordering Code SFH 300 (*BP 103 B) Q62702-P1189 SFH 300 FA (*BP 103 BF) Q62702-P1193 SFH 300-2 (*BP 103 B-2) Q62702-P85-S2 SFH 300 FA-2 (*BP 103 BF-2) Q62702-P1192 SFH 300-3 (*BP 103 B-3) Q62702-P85-S3 SFH 300 FA-3 (*BP 103 BF-3) Q62702-P1057 SFH 300-41) (*BP 103 B-4) Q62702-P85-S4 SFH 300 FA-4 (*BP 103 BF-4) Q62702-P1058 1) 1) Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group. Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s TS 260 °C Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom t ≤ 3 s TS 300 °C Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 35 V Kollektorstrom Collector current IC 50 mA Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current ICS 100 mA Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage VEC 7 V Semiconductor Group 241 SFH 300 SFH 300 FA Grenzwerte Maximum Ratings (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 200 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 375 K/W Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 300 SFH 300 FA 870 Einheit Unit Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 420 ... 1130 730 ... 1120 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 0.12 0.12 mm2 Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area L×B L×W 0.5 × 0.5 0.5 × 0.5 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 4.1 ... 4.7 4.1 ... 4.7 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 25 ± 25 Grad deg. Kapazität, VEC = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance CCE 6.5 6.5 pF Dunkelstrom Dark current VCE = 35 V, E = 0 ICEO 5 (≤ 100) 5 (≤ 100) nA Semiconductor Group 242 nm SFH 300 SFH 300 FA Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit -2 -3 -4 IPCE 0.63 ... 1.25 1 ... 2 ≥ 1.6 mA IPCE 3.4 5.4 8.6 mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ t r, t f 7.5 10 10 µs Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) × 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2 VCEsat 130 140 150 mV Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V SFH 300: Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V 1) 1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Semiconductor Group 243 SFH 300 SFH 300 FA Relative spectral sensitivity, SFH 300 Srel = f (λ) Relative spectral sensitivity, SFH 300 FA Srel = f (λ) Dark current ICEO/ICEO25o = f (TA), VCE = 25 V, E = 0 Photocurrent IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V Dark current ICEO = f (VCE), E = 0 Collector-emitter capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0 Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 244