CAS100H12AM1

CAS100H12AM1
VDS1200 V
1200V，100A碳化硅
半桥模块
Z-FETTM MOSFET和Z-RecTM二极管
ID (TC= 100˚C) 100 A
RDS(on)
特点
•
•
•
•
•
•
封装
超低损耗
高耐用性
高频率工作
二极管零反向恢复电流
MOSFET零关断尾电流
VF和VDS（on）下的正温度系数
系统优势
•
•
•
•
•
16 mΩ
系统紧凑、轻巧
高效工作
过电压保护减少
易于控制晶体管栅极
散热要求降低
应用
•
•
•
•
•
大功率变流器
电机驱动
太阳能逆变器
不间断电源（UPS）和开关模式电源（SMPS）
感应加热
部件号
封装
标识
CAS100H12AM1
半桥模块
CAS100H12AM1
最大额定值（TC = 25˚C，除非另有指定）
S100H12A
技术数据表: CA
M1修订版本-
符号
参数
值
单位
VDS
漏源电压
1200
V
VGS
栅源电压
-5/+20
V
165
A
ID
连续漏极电流
ID(pulse)
脉冲漏极电流
400
A
结温
150
˚C
-55到+125
˚C
TJ
TC ,TSTG
表面温度和储存温度范围
105
测试条件
VGS = 20V, TC=25˚C
VGS = 20V, TC=100˚C
脉冲宽度tP = 1ms
受限于Tjmax，TC = 25˚C
Visol
表面隔离电压
6000
V
LStray
杂散电感
<15
nH
M
安装扭矩
2.94
Nm
G
重量
200
g
间隔
12.2
mm
端子到端子
17.3
mm
端子到端子
20.2
mm
端子到基板
爬电距离
若有更改，恕不另行通知。
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说明
AC, t=1min
沿焊盘到焊片的最大路径测得
1
电气特性（TC = 25˚C，除非另有指定）
符号
V(BR)DSS
VGS(th)
参数
最小值
典型值
最大值
1200
漏源击穿电压
栅极阈值电压
单位
V
2.0
2.5
2.6
3.1
零栅极电压漏极电流
IGSS
栅源泄漏电流
RDS(on)
V
1.8
5
500
50
1250
16
20
20
24
31
gfs
跨导
Ciss
输入电容
9500
Coss
输出电容
600
Crss
反向传输电容
EON
接通切换能量
EOff
关断切换能量
RG
QG
μA
μA
mΩ
S
32
pF
65
(25ºC)
(125ºC)
(25ºC)
(125ºC)
VDS = VGS, ID = 50mA
VDS = VGS, ID = 5mA, TJ = 150ºC
图6
VDS = VGS, ID = 50mA, TJ = 150ºC
0.25
接通电阻
注
VDS = VGS, ID = 5mA
2.4
IDSS
测试条件
VGS, = 0V, ID = 100uA
VDS = 1200V, VGS = 0V
VDS = 1200V, VGS = 0V, TJ = 150ºC
VGS, = 20V, VDS = 0V
VGS = 20V, ID = 20A
VGS = 20V, ID = 20A, TJ = 150ºC
VDS = 20V, ID = 100A
VDS = 20V, ID = 100A, TJ = 150ºC
图4
图5
VDS = 800V, VGS = 0V
f = 1MHz, VAC = 25mV
2.4
2.0
mJ
1.3
1.4
mJ
VDD = 600V, VGS = -5V/+20V
ID = 100A, RG = 5Ω
电感负载
内部栅极电阻
1.25
Ω
f = 1MHz, VAC = 25mV
栅极电荷
490
nC
VDD= 600V, ID= 100A
图10
续流SiC肖特基二极管特性
1.8
2.2
V
VSD
二极管正向电压
QC
总电容电荷
1.6
μC
tRR
反向恢复时间
47
ns
ERR
反向恢复能量
0.5
mJ
2.5
400
总电容
图9
IF = 100A, VR = 600V
diF/dt = 2200A/μs, TJ = 25ºC
VR=0V, f = 1MHz
5000
C
IF = 100A
IF = 100A, TJ = 150ºC
pF
VR=200V, f = 1MHz
VR=400V, f = 1MHz
300
热特性
符号
参数
最小值
典型值
最大值
RthJCM
MOSFET从结点到表面的热阻
0.16
0.19
RthJCD
二极管从结点到表面的热阻
0.35
0.37
单位
测试条件
注
K /W
模块应用说明：SiC MOSFET模块的开关速度超出了通常与基于IGBT的模块相关联的速度。因此，必须采取特殊预防措施来实现最佳性能。栅极驱动与模
块外壳之间的互连必须尽可能短。这将产生最佳切换时间并避免潜在的器件振荡。此外，必须尽力确保模块和链路电容器之间保持最小电感，以避免过度的
VDS过冲。
2
CAS100H12AM1修订版本-
典型性能
100
100
80
80
੔ࠢ‫੄׌‬ID (A)
120
੔ࠢ‫੄׌‬ID (A)
120
60
40
VGS = 10 V
20
60
40
20
VGS = 5 V
VGS = 5 V, 0 V
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
0.5
1
1.5
图1. 典型输出特性TJ = 25ºC
2.5
3
3.5
4
图2. 典型输出特性TJ = 150ºC
1.4
100
1.2
݆၆߈֩RDS (ON)
120
੔ࠢ‫੄׌‬ID (A)
2
੔჻‫׌‬࿦VDS (V)
੔჻‫׌‬࿦VDS (V)
80
60
40
1
VGS = 20 V
0.8
0.6
0.4
20
0.2
VGS = 5 V, 0 V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
0
4
25
50
੔჻‫׌‬࿦VDS (V)
75
100
125
150
໕؋TJ (C)
图3. 典型输出特性 TJ = - 55ºC
图4. 归一化导通电阻与温度
120
4
3.5
80
ᚙᆸ‫׌‬࿦VGS(th) (V)
100
੔ࠢ‫੄׌‬ID (A)
VGS = 0 V
VDS = 20 V
60
40
ID = 50 mA
3
2.5
ID = 5 mA
2
1.5
1
20
0.5
0
0
0
2
4
6
8
10
ᅉ჻‫׌‬࿦VGS (V)
图5. 典型传输特性
3
CAS100H12AM1修订版本-
12
14
16
-75
-50
-25
0
25
50
75
໕؋TJ (˚C)
图6. 典型阈值电压与温度
100
125
150
典型性能
700
180
160
600
140
500
400
ID (A)
PD (W)
120
300
100
80
60
200
40
100
20
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
໕؋TJ (˚C)
80
100
120
140
160
໕؋TJ (˚C)
图7. 功耗降额曲线
图8. 连续电流降额曲线
100
3.0
90
2.5
ऻܵ෩‫ݿ‬EON‫ވ‬EOFF (mJ)
‫੄׌ܹࠢف‬ISD (A)
80
70
60
50
40
30
20
EON
2.0
1.5
EOFF
1.0
0.5
10
0.0
0
0
0.5
1
1.5
‫ܹࠢف‬ᆢལ‫׌‬࿦VSD (V)
图9. 典型二极管接通
4
CAS100H12AM1修订版本-
2
2.5
0
25
50
75
100
໕؋TJ (˚C)
图10. 电感切换能量与温度
125
150
封装尺寸（mm）
ཛ'B'
[՚२ᇓྒྷ֢෕
ਜњ૯
(4x) R 6.35
REF
ཛ'A'
‫׌‬჻ଊॺĥҫ൮๱Ħ
ĥॵպჹ‫ר‬Ħ
ĥ҆σе৬Ħ
5
CAS100H12AM1修订版本-
封装尺寸（mm）
[
੆࢜ઈଟ
቏཰ઈ໙ഫ؋
[
62ઈଟ
቏཰ઈ໙ഫ؋
ཛ'B'
е৬5:1
ཛ'A'
е৬3:1
5()
6
CAS100H12AM1修订版本-
቏཰
PP
቏պ
PP
电路图
D1
M1
RG(int)
D1
G1
6.8V
22V
G1 RTN
S1/D2
M2
RG(int)
D2
G2
6.8V
22V
G2 RTN
S2
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7
CAS100H12AM1修订版本-
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4600 Silicon Drive
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