2sa1673 ds jp

2SA1673
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC4388とコンプリメンタリ)
IEBO
VEB=−6V
−10max
μA
−6
V
V(BR)CEO
IC=−50mA
−180min
−15
A
hFE
150
Tj
−55∼+150
Tstg
−2.0max
A
VCE(sat)
IC=−5A, IB=−0.5A
W
fT
VCE=−12V, IE=0.5A
20typ
MHz
℃
COB
VCB=−10V, f=1MHz
500typ
pF
℃
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
V
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
–40
4
–10
–10
5
–1
1
0.6typ
0.9typ
0.2typ
I C – V CE 特性(代 表 例 )
A
–0 .1 A
(V CE = – 4V)
–15
–50mA
–2
–1
–10
–5
I C =–10A
12
I B =–20mA
–5A
–1
–2
–3
0
–4
0
–0.5
–1.0
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
h FE – I C 特性(代表例 )
Typ
50
–1
25 ˚C
– 30 ˚C
50
–0.1
–0.5
–1
f T – I E 特性(代表 例 )
–10 –15
0.5
0.1
1
10
100
3m
10
–10
20
s
80
s
C
板
付
放熱板なし
自然空冷
熱
–0.5
放
–1
60
大
–2
限
10
D
–5
m
0m
s
無
コレクタ電流 I C (A)
Typ
40
20
–0.2
0.1
1
エミッタ電流 I E (A)
26
10
–0.1
–3
1000 2000
P c – Ta定 格
–40
10
0
0.02
100
時間 t(ms)
AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス )
(V CE = – 12V)
30
遮断周波数 f T (MH Z )
–5
1
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
–2
3
125 ˚C
20
–0.02
–5 –10 –15
–1
θ j-a – t特 性
200
100
100
–0.5
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V C E = – 4V)
直流電流増幅率 h F E
直流電流増幅率 h FE
300
–0.1
0
–2.0
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE = – 4V)
10
–0.02
–1.5
ベース電流 I B (A)
過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W)
0
最大許容損失 P C (W)
0
製品質量 約6.5g
イ.品名
ロ.ロット番号
E
(ケ
ース
温度
)
(ケー
ス温度
)
– 0 .2
–10
–5
C
5˚C
–
3.35
0.4A
コレクタ電流 I C (A)
6A
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
コレクタ電流 I C (A)
–0.
0.65 +0.2
-0.1
1.5
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
– 3
A
4.4
B
V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 )
+0.2
-0.1
5.45±0.1
1.5
RL
(Ω)
0.8
2.15
5.45±0.1
VCC
(V)
–1
1.75
1.05
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
–15
ø3.3±0.2
イ
ロ
3.0
85(Tc=25℃)
PC
3.45 ±0.2
3.3
−4
IB
V
50min※
VCE=−4V, IC=−3A
5.5±0.2
)
VEBO
0.8±0.2
V
15.6±0.2
5.5
μA
1.6
−10max
ス温度
−180
VCB=−180V
(ケー
VCEO
ICBO
− 3 0 ˚C
V
単位
2 5 ˚C
−180
規格値
9.5±0.2
VCBO
外形図 FM100(TO3PF)
(Ta=25℃)
試 験 条 件
記 号
23.0±0.3
単 位
IC
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記 号
16.2
■絶対最大定格
用途:オーディオ、一般用
–10
–100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
–200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150
Similar pages