2SA1295 シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC3264とコンプリメンタリ) 単位 VCB＝−230V −100max μA VCEO −230 V IEBO VEB＝−5V −100max μA VEBO −5 V V(BR)CEO IC＝−25mA −230min V IC −17 A hFE VCE＝−4V, IC＝−5A IB −5 A VCE(sat) IC＝−5A, IB＝−0.5A W fT VCE＝−12V, IE＝2A 35typ MHz ℃ COB VCB＝−10V, f＝1MHz 500typ pF ℃ ※ランク O(50∼100), Y(70∼140) V IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (mA) IB2 (mA) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) –60 12 –5 –10 5 –500 500 0.35typ 1.50typ 0.30typ V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ） I C – V CE 特性（代 表 例 ） –1 00 mA –50mA –2 –1 I C =–10A –1 –2 –3 –5 –5A I B =–20mA 0 –10 ） 0mA mA –200 温度 A –5 0 製品質量 約18.4g イ．品名 ロ．ロット番号 –15 0m –30 –10 E (V C E = – 4V) 12 5˚C （ケ 25 ース ˚C コレクタ電流 I C (A) –50 3.0 +0.3 -0.1 5.45±0.1 C –17 A 1.0 コレクタ電流 I C (A) – 0.65 +0.2 -0.1 I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） – 3 .5A コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) A .0 –3 –15 –1 2 3 B RL (Ω) 0A ロ 5.45±0.1 VCC (V) . –2 イ 1.05 +0.2 -0.1 ■代表的スイッチング特性（エミッタ接地） –17 9 0 –4 0 –0.5 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) –1.0 –1.5 0 –2.0 0 ベース電流 I B (A) h FE – I C 特性（代表 例 ） 200 –0.8 –1.6 –2.4 –3.2 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ） (V CE = – 4V) ） −55∼＋150 Tstg 2-ø3.2±0.1 温度 150 Tj 2.1 ース 200(Tc＝25℃) PC 24.4±0.2 50min※ − 2.0max 6.0±0.2 36.4±0.3 7 ICBO 規格値 （ケ V 外形図 MT-200 (Ta＝25℃) 試 験 条 件 0˚C −230 記 号 21.4±0.3 単 位 VCBO ■電気的特性 (Ta＝25℃) 規 格 値 4.0max 記 号 20.0min ■絶対最大定格 用途：オーディオ、一般用 −3 LAPT (V C E = – 4V) 2 200 10 –0.02 –0.1 25 ˚C 100 50 –0.5 –1 –5 50 – 30 ˚C 10 –0.02 –10 –17 過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W) Typ 100 直流電流増幅率 h FE 直流電流増幅率 h F E 125 ˚C –0.1 –0.5 –1 –5 –10 –17 1 0.5 0.1 1 10 100 コレクタ電流 I C (A) コレクタ電流 I C (A) f T – I E 特性（代 表 例 ） 1000 2000 時間 t(ms) ASO 曲 線（ 単 発 パ ル ス ） P c – Ta定 格 (V CE = – 12V) 60 200 –40 10 D m s 160 C 1 エミッタ電流 I E (A) 16 10 –0.05 –3 –10 付 0.1 80 40 –0.1 0 0.02 板 放熱板なし 自然空冷 熱 –1 –0.5 120 放 20 最大許容損失 P C (W) p 大 Ty 限 40 コレクタ電流 I C (A) –5 無 遮断周波数 f T (MH Z ) –10 –100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) –300 5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta( ˚C) 125 150