2sa1295 ds jp

2SA1295
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC3264とコンプリメンタリ)
単位
VCB=−230V
−100max
μA
VCEO
−230
V
IEBO
VEB=−5V
−100max
μA
VEBO
−5
V
V(BR)CEO
IC=−25mA
−230min
V
IC
−17
A
hFE
VCE=−4V, IC=−5A
IB
−5
A
VCE(sat)
IC=−5A, IB=−0.5A
W
fT
VCE=−12V, IE=2A
35typ
MHz
℃
COB
VCB=−10V, f=1MHz
500typ
pF
℃
※ランク O(50∼100), Y(70∼140)
V
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
–60
12
–5
–10
5
–500
500
0.35typ
1.50typ
0.30typ
V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 )
I C – V CE 特性(代 表 例 )
–1 00 mA
–50mA
–2
–1
I C =–10A
–1
–2
–3
–5
–5A
I B =–20mA
0
–10
)
0mA
mA
–200
温度
A
–5
0
製品質量 約18.4g
イ.品名
ロ.ロット番号
–15
0m
–30
–10
E
(V C E = – 4V)
12
5˚C
(ケ
25
ース
˚C
コレクタ電流 I C (A)
–50
3.0 +0.3
-0.1
5.45±0.1
C
–17
A
1.0
コレクタ電流 I C (A)
–
0.65 +0.2
-0.1
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
– 3
.5A
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
A
.0
–3
–15
–1
2
3
B
RL
(Ω)
0A
ロ
5.45±0.1
VCC
(V)
.
–2
イ
1.05 +0.2
-0.1
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
–17
9
0
–4
0
–0.5
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
–1.0
–1.5
0
–2.0
0
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性(代表 例 )
200
–0.8
–1.6
–2.4
–3.2
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE = – 4V)
)
−55∼+150
Tstg
2-ø3.2±0.1
温度
150
Tj
2.1
ース
200(Tc=25℃)
PC
24.4±0.2
50min※
− 2.0max
6.0±0.2
36.4±0.3
7
ICBO
規格値
(ケ
V
外形図 MT-200
(Ta=25℃)
試 験 条 件
0˚C
−230
記 号
21.4±0.3
単 位
VCBO
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
4.0max
記 号
20.0min
■絶対最大定格
用途:オーディオ、一般用
−3
LAPT
(V C E = – 4V)
2
200
10
–0.02
–0.1
25 ˚C
100
50
–0.5
–1
–5
50
– 30 ˚C
10
–0.02
–10 –17
過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W)
Typ
100
直流電流増幅率 h FE
直流電流増幅率 h F E
125 ˚C
–0.1
–0.5
–1
–5
–10 –17
1
0.5
0.1
1
10
100
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性(代 表 例 )
1000 2000
時間 t(ms)
ASO 曲 線( 単 発 パ ル ス )
P c – Ta定 格
(V CE = – 12V)
60
200
–40
10
D
m
s
160
C
1
エミッタ電流 I E (A)
16
10
–0.05
–3
–10
付
0.1
80
40
–0.1
0
0.02
板
放熱板なし
自然空冷
熱
–1
–0.5
120
放
20
最大許容損失 P C (W)
p
大
Ty
限
40
コレクタ電流 I C (A)
–5
無
遮断周波数 f T (MH Z )
–10
–100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
–300
5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150
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