2sd1785 ds jp

C
等価回路
2SD1785
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ(2SB1258とコンプリメンタリ)
ICBO
VCEO
120
V
IEBO
VEBO
6
V
V(BR)CEO
A
hFE
A
VCE(sat)
W
fT
150
℃
COB
−55∼+150
℃
V
2000min
1.5max
IC=2A, IB=3mA
V
VCE=12V, IE=−0.1A
100typ
MHz
VCB=10V, f=1MHz
70typ
pF
1.35±0.15
1.35±0.15
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
30
10
3
10
–1.5
3
–3
0.5typ
5.5typ
1.5typ
I C – V CE 特性( 代 表 例 )
A
2
0
4
0
6
0.3
1
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
5
10
50
1000
500
12
0.5
1
5
C
˚
25
1000
500
C
–3
0˚
C
100
50
30
0.03 0.05 0.1
100
0.1
5˚
10
コレクタ電流 I C (A)
0.5
1
5
10
度)
温度
1
0.5
1
10
100
1000
時間 t(ms)
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性(代 表 例 )
2
5
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C /W)
直流電流増幅率 h FE
直流電流増幅率 h FE
5000
p
1
θ j-a – t特 性
(V C E =2V)
10000
10000
Ty
0.4
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE =2V)
0.03
0
100
ベース電流 I B (mA)
h FE – I C 特性(代 表 例 )
5000
ース
ス温
I B =0.3mA
0
)
)
度
温
ス
2
(ケ
4A
2A
1
4
−3
2
I C =6 A
ー
0 .4 m A
ケ
4
C(
A
A
0 .5 m
5˚
0 .7 m
6
2
12
1mA
コレクタ電流 I C (A)
1 .5 m
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
A
m
20
5m
(V CE =2V)
8
2mA
A
3m
6
コレクタ電流 I C (A)
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
3
m
製品質量 約2.0g
イ.品名
ロ.ロット番号
B C E
V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 )
8
10
2.4±0.2
2.2±0.2
VCC
(V)
A
0.85 +0.2
-0.1
0.45 +0.2
-0.1
2.54
2.54
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
A
ø3.3±0.2
イ
ロ
0˚C
Tstg
mA
4.2±0.2
2.8 c0.5
ケー
Tj
10max
120min
10.1±0.2
˚C(
1
PC
VEB=6V
IC=10mA
VCE=2V, IC=3A
30(Tc=25℃)
IB
μA
25
6(パルス10)
IC
10max
VCB=120V
4.0±0.2
V
0.8±0.2
120
単位
±0.2
VCBO
外形図 FM20(T0220F)
(Ta=25℃)
規格値
試 験 条 件
記 号
3.9
単 位
8.4±0.2
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記 号
用途:ソレノイド、リレー、モータ駆動、シリーズレギュレータ、一般用
16.9±0.3
■絶対最大定格
(2.5kΩ)(200Ω) E
13.0min
ダーリントン
B
AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス )
P c – Ta定 格
(V CE =12V)
30
20
120
10
板
付
コレクタ電流 I C (A)
熱
遮断周波数 f T (MH Z )
放
放熱板なし
自然空冷
大
0.5
20
限
1
無
ms
C
s
10
50
D
1m
5
最大許容損失 P C (W)
Typ
100
10
0.1
放熱板なし
2
0
–0.05
–0.1
–0.5
–1
エミッタ電流 I E (A)
138
–5
–8
0.05
3
5
10
50
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
200
0
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150
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