2sd2045 ds jp

C
等価回路
2SD2045
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ
VCEO
120
6
6(パルス10)
10max
μA
V
IEBO
VEB＝6V
10max
mA
V
V(BR)CEO
IC＝10mA
120min
A
hFE
VCE＝2V, IC＝3A
2000min
A
VCE(sat)
IC＝3A, IB＝3mA
1.5max
VBE(sat)
IC＝3A, IB＝3mA
2.0max
V
150
℃
fT
VCE＝12V, IE＝−1A
50typ
MHz
−55∼＋150
℃
COB
VCB＝10V, f＝1MHz
70typ
pF
Tj
ø3.3±0.2
イ
ロ
V
1.75
1.05 +0.2
-0.1
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
30
10
3
10
–5
3
–3
0.5typ
5.5typ
1.5typ
A
(V C E =2V)
1
2
3
4
5
0
6
0.5
0.1
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
1
5
10
50
0
100
(V C E =2V)
1000
500
1000
500
5˚
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C/W)
直流電流増幅率 h F E
5000
12
C
˚C
25 C
0˚
3
–
100
100
50
0.03
0.1
0.5
1
50
0.03
5 6
0.1
0.5
1
56
f T – I E 特性（代表 例 ）
度）
ス温
ース温
ケー
C（
1
0.5
0.2
1
10
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
˚C （ ケ
5
10000
Typ
2
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
(V CE =2V)
10000
1
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
ベース電流 I B (mA)
h FE – I C 特性（代表例 ）
5000
0
度）
）
温度
2
2A
−30
4A
1
3
ース
I C =8A
4
（ケ
2
2
5˚C
A
12
A
.4 m
I B= 0
3
5
A
0.5m
4
1
E
6
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
0.7m
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
A
2m
5m
20mA
3
0
3.35
製品質量 約6.5g
イ．品名
ロ．ロット番号
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
1
直流電流増幅率 h F E
C
1.5
A
1m
5
0
4.4
B
V CE ( s at) – I B 特 性（ 代 表 例 ）
6
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
1.5
VCC
(V)
0.8
2.15
5.45±0.1
I C – V CE 特性（代 表 例 ）
3.45 ±0.2
3.0
50(Tc＝25℃)
5.5±0.2
3.3
PC
15.6±0.2
V
W
1
IB
Tstg
VCB＝120V
25˚
IC
ICBO
0.8±0.2
V
単位
5.5
120
規格値
1.6
VCBO
外形図 FM100(T03PF)
(Ta＝25℃)
試 験 条 件
記 号
9.5±0.2
単 位
VEBO
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
記 号
用途：ソレノイド、モータ駆動、一般用
23.0±0.3
■絶対最大定格
(2.5kΩ)(200Ω) E
16.2
ダーリントン
B
100
1000
時間 t(ms)
AS O曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
P c – Ta定 格
(V CE =12V)
50
20
120
10
Typ
付
最大許容損失 P C (W)
板
コレクタ電流 I C (A)
熱
遮断周波数 f T (MH Z )
放
放熱板なし
自然空冷
30
大
0.5
限
1
無
40
40
s
60
1m
80
DC
ms
5
10
100
20
10
20
0.1
0
–0.05 –0.1
–0.5
–1
エミッタ電流 I E (A)
144
–5 –6
0.05
3
放熱板なし
5
10
50
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
200
0
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150