elm14430aa

シングル N チャンネル MOSFET
ELM14430AA-N
■概要
■特長
ELM14430AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=18A (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 5.5mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 7.5mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
30
V
±20
V
18
Id
15
80
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
3.0
2.1
- 55 ~ 150
A
1
A
2
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
t ≦10s
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
最大接合部 - リード
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
Typ.
31
Max.
40
単位
℃/W
59
75
℃/W
16
24
℃/W
備考
1
3
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
2
端子記号
SOURCE
SOURCE
3
4
5
SOURCE
GATE
DRAIN
6
7
8
DRAIN
DRAIN
DRAIN
4- 1
D
G
S
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14430AA-N
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
30
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=24V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.0
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
80
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Rds(on)
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
Crss
Rg
総ゲート電荷 (10VV)
総ゲート電荷 (4.5V)
ゲート - ソース電荷
Qg
Qg
Qgs
Vgs=10V, Id=18A
V
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=15A
Vds=5V, Id=18A
Is=1A, Vgs=0V
1.8
1
5
μA
100
nA
2.5
V
A
4.7
6.5
5.5
8.0
6.2
82
0.7
7.5
Is
mΩ
1.0
S
V
4.5
A
4660 6060 7270
pF
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
425
638
960
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
240
0.20
355
0.45
530
0.90
pF
Ω
80
37
103
48
18
124
58
nC
nC
nC
Vgs=10V, Vds=15V, Id=18A
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
15
12.0
8.0
16.0
12.0
nC
ns
ns
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=0.83Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
If=18A, dlf/dt=100A/μs
51.5
8.8
33.5
70.0
14.0
44.0
ns
ns
ns
22.0
30.0
nC
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=18A, dlf/dt=100A/μs
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4- 2
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14430AA-N
■標準特性と熱特性曲線
60
60
10V
Id (A)
40
50
4.5V
3.5V
Vds=5V
40
30
Id(A)
50
3.0V
125°C
30
20
20
10
10
Vgs=2.5V
0
25°C
0
0
1
2
3
4
5
1
1.5
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
2.5
3
3.5
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
7.0
Normalized On-Resistance
1.6
6.5
Rds(on) (m� )
2
Vgs=4.5V
6.0
5.5
5.0
Vgs=10V
4.5
4.0
3.5
Vgs=4.5V
Id=18A
1.4
Vgs=10V
1.2
1
0.8
0
20
40
60
80
100
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+02
16
1.0E+01
1.0E+00
Id=18A
Is (A)
Rds(on) (m� )
12
125°C
8
125°C
25°C
1.0E-02
1.0E-03
25°C
4
1.0E-01
1.0E-04
1.0E-05
0
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4- 3
1.0
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14430AA-N
10
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
8000
Vds=15V
Id=18A
6
4
2
4000
2000
0
0
20
40
60
80
100
Ciss
6000
Crss
0
120
0
5
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Rds(on)
limited
100�s
10ms
10.0
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
30
60
40
0
0.001
Vds (Volts)
10
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=40°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
25
20
0.1
1
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
80
1ms
1s
10s
DC
0.1
15
100
10�s
0.1s
1.0
10
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
Id (Amps)
100.0
Coss
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4- 4
100
1000
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