シングル N チャンネル MOSFET ELM14430AA-N ■概要 ■特長 ELM14430AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=18A (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 5.5mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 7.5mΩ (Vgs=4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 30 V ±20 V 18 Id 15 80 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg 3.0 2.1 - 55 ～ 150 A 1 A 2 W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 t ≦10s 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 最大接合部 - リード 定常状態 Rθja Rθjl ■端子配列図 Typ. 31 Max. 40 単位 ℃/W 59 75 ℃/W 16 24 ℃/W 備考 1 3 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 2 端子記号 SOURCE SOURCE 3 4 5 SOURCE GATE DRAIN 6 7 8 DRAIN DRAIN DRAIN 4- 1 D G S シングル N チャンネル MOSFET ELM14430AA-N ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 30 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=24V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V Ta=55℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 80 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 Rds(on) Gfs Vsd 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 Ciss 出力容量 Coss 帰還容量 ゲート抵抗 スイッチング特性 Crss Rg 総ゲート電荷 (10VV) 総ゲート電荷 (4.5V) ゲート - ソース電荷 Qg Qg Qgs Vgs=10V, Id=18A V Ta=125℃ Vgs=4.5V, Id=15A Vds=5V, Id=18A Is=1A, Vgs=0V 1.8 1 5 μA 100 nA 2.5 V A 4.7 6.5 5.5 8.0 6.2 82 0.7 7.5 Is mΩ 1.0 S V 4.5 A 4660 6060 7270 pF Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz 425 638 960 pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 240 0.20 355 0.45 530 0.90 pF Ω 80 37 103 48 18 124 58 nC nC nC Vgs=10V, Vds=15V, Id=18A ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 Qgd td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V 15 12.0 8.0 16.0 12.0 nC ns ns ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 td(off) RL=0.83Ω, Rgen=3Ω tf trr If=18A, dlf/dt=100A/μs 51.5 8.8 33.5 70.0 14.0 44.0 ns ns ns 22.0 30.0 nC 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr If=18A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4- 2 シングル N チャンネル MOSFET ELM14430AA-N ■標準特性と熱特性曲線 60 60 10V Id (A) 40 50 4.5V 3.5V Vds=5V 40 30 Id(A) 50 3.0V 125°C 30 20 20 10 10 Vgs=2.5V 0 25°C 0 0 1 2 3 4 5 1 1.5 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 2.5 3 3.5 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 7.0 Normalized On-Resistance 1.6 6.5 Rds(on) (m� ) 2 Vgs=4.5V 6.0 5.5 5.0 Vgs=10V 4.5 4.0 3.5 Vgs=4.5V Id=18A 1.4 Vgs=10V 1.2 1 0.8 0 20 40 60 80 100 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+02 16 1.0E+01 1.0E+00 Id=18A Is (A) Rds(on) (m� ) 12 125°C 8 125°C 25°C 1.0E-02 1.0E-03 25°C 4 1.0E-01 1.0E-04 1.0E-05 0 2 4 6 8 10 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4- 3 1.0 シングル N チャンネル MOSFET ELM14430AA-N 10 Capacitance (pF) 8 Vgs (Volts) 8000 Vds=15V Id=18A 6 4 2 4000 2000 0 0 20 40 60 80 100 Ciss 6000 Crss 0 120 0 5 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Rds(on) limited 100�s 10ms 10.0 Tj(max)=150°C Ta=25°C Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 30 60 40 0 0.001 Vds (Volts) 10 100 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=40°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 25 20 0.1 1 20 Tj(max)=150°C Ta=25°C 80 1ms 1s 10s DC 0.1 15 100 10�s 0.1s 1.0 10 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) Id (Amps) 100.0 Coss In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4- 4 100 1000