elm14418aa

シングル N チャンネル MOSFET
ELM14418AA-N
■概要
■特長
ELM14418AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=11.5A (Vgs=20V)
・ Rds(on) < 14mΩ (Vgs=20V)
・ Rds(on) < 17mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 40mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
特に指定なき場合、Ta=25℃
項目
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
記号
規格値
単位
Vds
Vgs
30
±25
11.5
V
V
Id
9.7
40
3.0
Idm
Tc=25℃
最大許容損失
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
備考
A
1
A
2
W
2.1
- 55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
記号
t ≦10s
定常状態
Rθja
最大接合部 - リード
定常状態
Rθjl
■端子配列図
Typ.
31
59
Max.
40
75
単位
℃/W
℃/W
備考
16
24
℃/W
3
1
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
端子記号
SOURCE
2
3
SOURCE
SOURCE
4
GATE
5
6
7
DRAIN
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
4-1
D
G
S
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14418AA-N
■電気的特性
項目
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
ゲート漏れ電流
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
Idss
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷 (10V)
総ゲート電荷 (4.5V)
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Gfs
Vsd
Is
Ciss
Coss
Crss
Rg
Qg
Qg
Qgs
Qgd
td(on)
tr
td(off)
tf
trr
Qrr
V
Vds=24V, Vgs=0V
Ta=55℃
Igss Vds=0V, Vgs=±25V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
30
Vgs=20V
Id=11.5A
1.5
40
Ta=125℃
Vgs=10V, Id=10A
Vgs=4.5V, Id=5A
Vds=5V, Id=10A
Is=1A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=10V, Vds=15V
Id=11.5A
Vgs=10V, Vds=15V
RL=1.3Ω, Rgen=3Ω
If=11.5A, dlf/dt=100A/μs
If=11.5A, dlf/dt=100A/μs
14
2.4
9.8
14.2
12.3
32.0
22
0.76
1
5
100
3.0
μA
nA
V
A
14.0
18.0
mΩ
17.0
40.0
S
1.00
V
4.3
A
758
180
128
0.7
pF
pF
pF
Ω
16.6
8.6
2.5
4.9
5.4
5.1
14.4
3.7
16.9
6.6
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14418AA-N
■標準特性と熱特性曲線
50
30
10V
45
6V
7V
35
Id (A)
25
Vds=5V
20
5V
30
25
Id(A)
40
3.5V
20
15
125°C
10
15
Vgs=3V
10
0
0
1
2
3
4
25°C
5
5
0
5
2
2.5
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
4
4.5
5
5.5
1.8
Normalized On-Resistance
40
Vgs=4.5V
35
Rds(on) (m� )
3.5
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
45
30
25
20
15
Vgs=10V
10
Vgs=20V
5
0
5
10
15
20
25
Id=10A
1.6
Vgs=20V
1.2
1
0.8
30
0
1.0E+01
50
1.0E+00
Id=10A
50
75
100
125
150
175
1.0E-01
Is (A)
30
25
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
60
40
Vgs=10V
1.4
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
Rds(on) (m� )
3
125°C
125°C
1.0E-02
25°C
1.0E-03
20
1.0E-04
25°C
10
1.0E-05
0
0
5
10
15
0.0
20
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
1.0
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14418AA-N
10
1000
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
1200
Vds=15V
Id=11.5A
6
4
Ciss
800
600
400
2
Coss
200
Crss
0
0
4
8
12
16
0
20
0
5
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Rds(on)
limited
100�s
1ms
0.1s
1.0
1s
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
DC
1
10
100
20
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Vds (Volts)
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=40°C/W
30
30
0
0.001
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
25
10
10s
0.1
0.1
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
40
10�s
Power (W)
Id (Amps)
50
10ms
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
15
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
100.0
10.0
10
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000
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