单 P 沟道 MOSFET ELM14419AA-N ■概要 ■特点 ELM14419AA-N 是 P 沟道低输入电容，低工作电 ·Vds=-30V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-9.7A (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 20mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 35mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 漏极电流（脉冲） -30 ±20 -9.7 -8.1 -40 Id Idm Tc=25℃ 容许功耗 Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 V V 3.0 Pd Tj, Tstg 2.1 -55 ~ 150 A 1 A 2 W 1 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 记号 t≤10s 稳定状态 Rθja 稳定状态 Rθjl 典型值 31 63 最大值 40 75 单位 ℃/W ℃/W 备注 21 30 ℃/W 3 ■引脚配置图 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 1 5 引脚编号 1 引脚名称 SOURCE 2 3 4 SOURCE SOURCE GATE 5 6 7 DRAIN DRAIN DRAIN 8 DRAIN 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 P 沟道 MOSFET ELM14419AA-N ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=-24V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V -30 -1 Ta=55℃ -5 ±100 栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -1.4 导通时漏极电流 Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V -40 漏极 - 源极导通电阻 正向跨导 二极管正向压降 Vgs=-10V Rds(on) Id=-9.7A Gfs Vsd V Ta=125℃ Vgs=-4.5V, Id=-7A Vds=-5V, Id=-9.7A Is=-1A, Vgs=0V -2.0 16.0 20.0 20.9 26.0 26.0 21.7 -0.7 35.0 Is Ciss 1573 输出电容 反馈电容 Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz Crss 319 211 Rg 总栅极电荷 (10V) 总栅极电荷 (4.5V) 栅极 - 源极电荷 Qg Qg Qgs 栅极 - 漏极电荷 Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-9.7A nA V A 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 栅极电阻 开关特性 -2.7 μA mΩ -1.0 S V -1.2 A 1900 pF pF pF 6.7 8.0 Ω 26.4 13.7 3.8 32.0 17.0 nC nC nC 导通延迟时间 导通上升时间 Qgd td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V 6.8 9.5 8.0 nC ns ns 关闭延迟时间 关闭下降时间 td(off) RL=1.5Ω, Rgen=3Ω tf 44.2 22.2 ns ns 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 trr Qrr If=-9.7A, dlf/dt=100A/μs If=-9.7A, dlf/dt=100A/μs 25.2 14.1 31.0 ns nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM14419AA-N ■标准特性和热特性曲线 30 30 -10V -5V 25 -4V 20 15 -Id(A) 20 -Id (A) Vds=-5V 25 -3.5V 15 10 10 5 125°C 5 Vgs=-3V 0 25°C 0 0 1 2 3 4 5 1 1.5 35 Normalized On-Resistance Rds(on) (m�) 2.5 3 3.5 4 4.5 5 1.60 30 Vgs=-4.5V 25 20 15 Vgs=-10V 10 0 5 10 15 20 Id=-9.7A 1.40 Vgs=-10V 1.20 Vgs=-4.5V Id=-7A 1.00 0.80 25 0 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 60 1.0E+01 1.0E+00 Id=-9.7A 50 1.0E-01 40 30 -Is (A) Rds(on) (m�) 2 -Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 125°C 20 125°C 1.0E-02 1.0E-03 1.0E-04 25°C 10 1.0E-05 25°C 1.0E-06 0 3 4 5 6 7 8 9 10 -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.0 单 P 沟道 MOSFET ELM14419AA-N 10 2000 1750 Capacitance (pF) 8 -Vgs (Volts) 2250 Vds=-15V Id=-9.7A 6 4 Ciss 1500 1250 1000 750 Coss 500 2 Crss 250 0 0 4 8 12 16 20 24 0 28 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Tj(max)=150°C, Ta=25°C 1ms 10ms 1.0 1s 10s 10 100 -Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C 20 DC 1 10 25 10 0.1 0.1 20 30 100�s 0.1s 15 40 10�s Rds(on) limited 10.0 10 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) -Id (Amps) 100.0 5 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=40°C/W 0 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 T 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000