elm14419aa

单 P 沟道 MOSFET
ELM14419AA-N
■概要
■特点
ELM14419AA-N 是 P 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=-30V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=-9.7A (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 20mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 35mΩ (Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
漏极电流(脉冲)
-30
±20
-9.7
-8.1
-40
Id
Idm
Tc=25℃
容许功耗
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
V
V
3.0
Pd
Tj, Tstg
2.1
-55 ~ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≤10s
稳定状态
Rθja
稳定状态
Rθjl
典型值
31
63
最大值
40
75
单位
℃/W
℃/W
备注
21
30
℃/W
3
■引脚配置图
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
1
5
引脚编号
1
引脚名称
SOURCE
2
3
4
SOURCE
SOURCE
GATE
5
6
7
DRAIN
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM14419AA-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-24V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
-30
-1
Ta=55℃
-5
±100
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-1.4
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
-40
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
Vgs=-10V
Rds(on) Id=-9.7A
Gfs
Vsd
V
Ta=125℃
Vgs=-4.5V, Id=-7A
Vds=-5V, Id=-9.7A
Is=-1A, Vgs=0V
-2.0
16.0
20.0
20.9
26.0
26.0
21.7
-0.7
35.0
Is
Ciss
1573
输出电容
反馈电容
Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Crss
319
211
Rg
总栅极电荷 (10V)
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
Qg
Qg
Qgs
栅极 - 漏极电荷
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-9.7A
nA
V
A
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
栅极电阻
开关特性
-2.7
μA
mΩ
-1.0
S
V
-1.2
A
1900
pF
pF
pF
6.7
8.0
Ω
26.4
13.7
3.8
32.0
17.0
nC
nC
nC
导通延迟时间
导通上升时间
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
6.8
9.5
8.0
nC
ns
ns
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off) RL=1.5Ω, Rgen=3Ω
tf
44.2
22.2
ns
ns
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
If=-9.7A, dlf/dt=100A/μs
If=-9.7A, dlf/dt=100A/μs
25.2
14.1
31.0
ns
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 P 沟道 MOSFET
ELM14419AA-N
■标准特性和热特性曲线
30
30
-10V
-5V
25
-4V
20
15
-Id(A)
20
-Id (A)
Vds=-5V
25
-3.5V
15
10
10
5
125°C
5
Vgs=-3V
0
25°C
0
0
1
2
3
4
5
1
1.5
35
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m�)
2.5
3
3.5
4
4.5
5
1.60
30
Vgs=-4.5V
25
20
15
Vgs=-10V
10
0
5
10
15
20
Id=-9.7A
1.40
Vgs=-10V
1.20
Vgs=-4.5V
Id=-7A
1.00
0.80
25
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
60
1.0E+01
1.0E+00
Id=-9.7A
50
1.0E-01
40
30
-Is (A)
Rds(on) (m�)
2
-Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
125°C
20
125°C
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
25°C
10
1.0E-05
25°C
1.0E-06
0
3
4
5
6
7
8
9
10
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
4-3
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1.0
单 P 沟道 MOSFET
ELM14419AA-N
10
2000
1750
Capacitance (pF)
8
-Vgs (Volts)
2250
Vds=-15V
Id=-9.7A
6
4
Ciss
1500
1250
1000
750
Coss
500
2
Crss
250
0
0
4
8
12
16
20
24
0
28
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Tj(max)=150°C, Ta=25°C
1ms
10ms
1.0
1s
10s
10
100
-Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
20
DC
1
10
25
10
0.1
0.1
20
30
100�s
0.1s
15
40
10�s
Rds(on)
limited
10.0
10
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
-Id (Amps)
100.0
5
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=40°C/W
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
100
1000
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