单 N 沟道 MOSFET ELM17408GA-S ■概要 ■特点 ELM17408GA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电 ·Vds=20V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=2.2A (Vgs=4.5V) ·Rds(on) ＜ 82mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) ＜ 95mΩ (Vgs=2.5V) ·Rds(on) ＜ 120mΩ (Vgs=1.8V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 Vds Vgs 20 ±8 V V Id 2.20 1.75 A 1 A 2 W 1 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 10 0.625 0.400 Pd 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg - 55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 记号 t≦10s 稳定状态 稳定状态 Rθja Rθjl ■引脚配置图 1 最大值 200 单位 ℃/W 180 130 220 160 ℃/W ℃/W ■电路图 SC-70-6(俯视图) 6 典型值 160 5 2 4 3 引脚编号 引脚名称 1 DRAIN 2 3 DRAIN GATE 4 5 6 SOURCE DRAIN DRAIN 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 备注 1 3 单 N 沟道 MOSFET ELM17408GA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=16V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±8V 20 1 Ta=55℃ 5 100 栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 0.4 导通时漏极电流 Id(on) 10 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 Vsd Is 输入电容 输出电容 Ciss Coss 反馈电容 栅极电阻 Crss Rg 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 Qg Qgs 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 Qgd td(on) tr 关闭延迟时间 关闭下降时间 td(off) tf 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 trr Qrr V Vgs=4.5V, Vds=5V 0.6 0.8 μA nA V A 67 82 99 125 Vgs=2.5V, Id=2A Vgs=1.8V, Id=1A Vds=5V, Id=1.6A 78 96 6.7 95 120 Is=1A, Vgs=0V 0.69 1.00 0.91 Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz 499 65 pF pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 56 3 pF Ω Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=2.2A 6.02 0.41 nC nC Vgs=5V, Vds=10V 1.35 6.5 8.0 nC ns ns RL=4.5Ω, Rgen=6Ω 61.0 16.0 ns ns If=2.2A, dlf/dt=100A/μs If=2.2A, dlf/dt=100A/μs 23.2 8.6 ns nC Vgs=4.5V Id=2.2A Ta=125℃ mΩ S V A 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM17408GA-S ■标准特性和热特性曲线 16 10 8V Vds=5V 4.5V 8 25°C 3V 2.5V 8 6 4 4 Vgs=1.5V 2 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 140 1.5 1.8 Normalized On-Resistance Rds(on) (m� ) 1 2 2.5 3 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 120 Vgs=1.8V 100 Vgs=2.5V 80 Vgs=4.5V 60 Vgs=2.5V Id=2.0A Vgs=1.8V 1.6 Id=1.0A 1.4 Vgs=4.5V Id=2.2A 1.2 1 0.8 0 2 4 6 8 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1E+01 180 1E+00 160 125°C Id=2.2A 1E-01 140 120 Is (A) Rds(on) (m� ) 125°C 2V Id(A) Id (A) 12 125°C 1E-02 25°C 1E-03 100 25°C 80 1E-04 1E-05 60 1 2 3 4 5 6 7 0.0 8 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.4 单 N 沟道 MOSFET ELM17408GA-S 1000 5 Vds=10V Id=2.2A 800 Capacitance (pF) Vgs (Volts) 4 3 2 Ciss 600 400 1 200 0 0 0 1 2 3 4 5 6 Coss 0 7 15 20 Tj(max)=150°C Ta=25°C 12 Rds(on) limited 10�s 10ms 1ms 0.1s 1.0 8 4 1s 0.1 0.1 10s DC 1 10 0 0.001 100 10 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=360°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 10 16 100�s Power (W) Id (Amps) 10.0 Tj(max)=150°C Ta=25°C 5 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 100.0 Crss In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 P Pd 0.1 Ton T Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000