elm17408ga

单 N 沟道 MOSFET
ELM17408GA-S
■概要
■特点
ELM17408GA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=20V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=2.2A (Vgs=4.5V)
·Rds(on) < 82mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) < 95mΩ (Vgs=2.5V)
·Rds(on) < 120mΩ (Vgs=1.8V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Vds
Vgs
20
±8
V
V
Id
2.20
1.75
A
1
A
2
W
1
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
10
0.625
0.400
Pd
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≦10s
稳定状态
稳定状态
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
1
最大值
200
单位
℃/W
180
130
220
160
℃/W
℃/W
■电路图
SC-70-6(俯视图)
6
典型值
160
5
2
4
3
引脚编号
引脚名称
1
DRAIN
2
3
DRAIN
GATE
4
5
6
SOURCE
DRAIN
DRAIN
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
备注
1
3
单 N 沟道 MOSFET
ELM17408GA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=16V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±8V
20
1
Ta=55℃
5
100
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
0.4
导通时漏极电流
Id(on)
10
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
Vsd
Is
输入电容
输出电容
Ciss
Coss
反馈电容
栅极电阻
Crss
Rg
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
Qg
Qgs
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
Qgd
td(on)
tr
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off)
tf
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
V
Vgs=4.5V, Vds=5V
0.6
0.8
μA
nA
V
A
67
82
99
125
Vgs=2.5V, Id=2A
Vgs=1.8V, Id=1A
Vds=5V, Id=1.6A
78
96
6.7
95
120
Is=1A, Vgs=0V
0.69
1.00
0.91
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
499
65
pF
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
56
3
pF
Ω
Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=2.2A
6.02
0.41
nC
nC
Vgs=5V, Vds=10V
1.35
6.5
8.0
nC
ns
ns
RL=4.5Ω, Rgen=6Ω
61.0
16.0
ns
ns
If=2.2A, dlf/dt=100A/μs
If=2.2A, dlf/dt=100A/μs
23.2
8.6
ns
nC
Vgs=4.5V
Id=2.2A
Ta=125℃
mΩ
S
V
A
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 N 沟道 MOSFET
ELM17408GA-S
■标准特性和热特性曲线
16
10
8V
Vds=5V
4.5V
8
25°C
3V
2.5V
8
6
4
4
Vgs=1.5V
2
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
140
1.5
1.8
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
1
2
2.5
3
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
120
Vgs=1.8V
100
Vgs=2.5V
80
Vgs=4.5V
60
Vgs=2.5V
Id=2.0A
Vgs=1.8V
1.6
Id=1.0A
1.4
Vgs=4.5V
Id=2.2A
1.2
1
0.8
0
2
4
6
8
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1E+01
180
1E+00
160
125°C
Id=2.2A
1E-01
140
120
Is (A)
Rds(on) (m� )
125°C
2V
Id(A)
Id (A)
12
125°C
1E-02
25°C
1E-03
100
25°C
80
1E-04
1E-05
60
1
2
3
4
5
6
7
0.0
8
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
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1.4
单 N 沟道 MOSFET
ELM17408GA-S
1000
5
Vds=10V
Id=2.2A
800
Capacitance (pF)
Vgs (Volts)
4
3
2
Ciss
600
400
1
200
0
0
0
1
2
3
4
5
6
Coss
0
7
15
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
12
Rds(on)
limited
10�s
10ms 1ms
0.1s
1.0
8
4
1s
0.1
0.1
10s
DC
1
10
0
0.001
100
10
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=360°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
10
16
100�s
Power (W)
Id (Amps)
10.0
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
5
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.0
Crss
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
P
Pd
0.1
Ton
T
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
100
1000
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