elm340703a

单 P 沟道 MOSFET
ELM340703A-N
■概要
■特点
ELM340703A-N 是 P 沟道低输入电容,低工作电压,
低导通电阻的大电流 MOSFET。另外、此芯片还内
藏 ESD 保护电路。
·Vds=-30V
·Id=-15A
·Rds(on) < 7mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 12mΩ (Vgs=-4.5V)
·ESD 保护
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
-30
±20
漏极电流(脉冲)
Idm
-15
-11
-69
崩溃电流
崩溃能量
Ias
Eas
-69
238
漏极电流(定常)
L=0.1mH
Tc=25℃
容许功耗
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Id
Pd
Tj, Tstg
V
V
A
A
3
A
mJ
2.5
W
1.6
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
典型值
最大值
单位
50
℃/W
Rθja
■引脚配置图
备注
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
1
2
引脚名称
SOURCE
SOURCE
3
SOURCE
4
GATE
5
6
7
DRAIN
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
4- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM340703A-N
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
-30
V
Vds=-24V, Vgs=0V
-1
Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=125℃
-10
Vds=0V, Vgs=±16V
±30
μA
-1.7
4.8
-3.0
7.0
V
6.8
25
12.0
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Vgs=-10V, Id=-15A
Rds(on)
Vgs=-4.5V, Id=-10A
Gfs Vds=-5V, Id=-15A
Vsd Is=-15A, Vgs=0V
-1.0
Is
μA
mΩ
1
-1.2
S
V
1
1
-15
A
输入电容
Ciss
5200
pF
输出电容
反馈电容
开关特性
Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Crss
885
789
pF
pF
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
Qgd
119
14
31
nC
nC
nC
2
2
2
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-15A
导通延迟时间
导通上升时间
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
26
29
ns
ns
2
2
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
td(off) Id=-15A, Rgen=6Ω
tf
trr
If=-15A, dlf/dt=100A/μs
Qrr
225
124
35
ns
ns
ns
2
2
20
nC
寄生二极管反向恢复电荷
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4- 2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 P 沟道 MOSFET
NIKO-SEM
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
■标准特性和热特性曲线
Output Characteristics
On-Resistance VS Drain Current
0.008
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
-ID, Drain-To-Source Current(A)
60
VGS =-3V
48
VGS =-10V
VGS =-7V
VGS =-5V
VGS =-4.5V
36
24
VGS =-2.5V
12
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0.007
0.005
VGS = -10V
0.004
0.003
0.002
0.001
0
8
0
On-Resistance VS Gate-To-Source
0.01
0.008
0.006
0.004
0.002
12
24
36
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS=-10V
ID=-15A
0.6
0
2
4
6
8
-VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
0.4
10
-50
Transfer Characteristics
48
36
24
125℃
25℃
12
-20℃
0
0
1
2
3
4
0
25
50
75
100
125
Junction Temperature(˚C)
150
ID=-15A
VDS=-15V
8
6
4
2
0
5
0
-VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
REV 1.0
-25
TJ ,
Gate charge Characteristics
Characteristics
10
-VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
60
60
1.8
ID = -15A
0
48
-ID , Drain-To-Source Current
On-Resistance VS Temperature
2.0
Normalized Drain to Source
ON-Resistance
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
VGS = -4.5V
0.006
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
-ID, Drain-To-Source Current(A)
PZ0703EV
P-Channel Logic Level Enhancement Mode
ELM340703A-N
Field
Effect Transistor
25
50
75
100
Qg , Total Gate Charge(nC)
3
4- 3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D-42-5
单 P 沟道 MOSFET
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
Capacitance Characteristic
7.00E+03
PZ0703EV
P-Channel LogicELM340703A-N
Level Enhancement Mode
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
Body Diode Forward Voltage VS Source current
1.00E+02
6.00E+03
5.00E+03
-IS , Source Current(A)
C , Capacitance(pF)
CISS
4.00E+03
3.00E+03
2.00E+03
1.00E+03
COSS
CRSS
5
10
15
20
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
25
30
Safe Operating Area
100
125℃
25℃
1.00E+00
1.00E-01
0.0
0.00E+00
0
1.00E+01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.4
Single Pulse Maximum Power Dissipation
200
160
SINGLE PULSE
RθJA = 50° C/W
TA=25° C
10
1m s
120
1
Power(W)
-ID , Drain Current(A)
1.2
-VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
10m s
Operation in This Area
is Lim ited by RDS(ON)
100m s
1S
0.1
10S
DC
NOTE :
1.V GS= 10V
2.TA=25° C
3.RθJA = 50° C/W
80
40
4.Single Pulse
0
0.001
0.01
0.1
1
10
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Transient Thermal Resistance
0.01
0.1
1
10
100
Single Pulse Time(s)
Transient Thermal Response Curve
1.00E+01
r(t) , Mormalized Effective
100
1.00E+00
Duty cycle=0.5
Notes
0.2
1.00E-01
0.1
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJA = 50 ℃/W
3.TJ-TA = P*RthJA(t)
4.ZthJA(t) = r(t)*ZthJA
0.05
0.02
0.01
1.00E-02
1.E-04
Single Pulse
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
REV 1.0
4
4- 4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D-42-5
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