单 P 沟道 MOSFET ELM340703A-N ■概要 ■特点 ELM340703A-N 是 P 沟道低输入电容，低工作电压， 低导通电阻的大电流 MOSFET。另外、此芯片还内 藏 ESD 保护电路。 ·Vds=-30V ·Id=-15A ·Rds(on) < 7mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 12mΩ (Vgs=-4.5V) ·ESD 保护 ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ -30 ±20 漏极电流（脉冲） Idm -15 -11 -69 崩溃电流 崩溃能量 Ias Eas -69 238 漏极电流（定常） L=0.1mH Tc=25℃ 容许功耗 Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Id Pd Tj, Tstg V V A A 3 A mJ 2.5 W 1.6 -55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 典型值 最大值 单位 50 ℃/W Rθja ■引脚配置图 备注 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 1 2 引脚名称 SOURCE SOURCE 3 SOURCE 4 GATE 5 6 7 DRAIN DRAIN DRAIN 8 DRAIN 4- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 P 沟道 MOSFET ELM340703A-N ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 栅极阈值电压 漏极 - 源极导通电阻 正向跨导 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 -30 V Vds=-24V, Vgs=0V -1 Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=125℃ -10 Vds=0V, Vgs=±16V ±30 μA -1.7 4.8 -3.0 7.0 V 6.8 25 12.0 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Vgs=-10V, Id=-15A Rds(on) Vgs=-4.5V, Id=-10A Gfs Vds=-5V, Id=-15A Vsd Is=-15A, Vgs=0V -1.0 Is μA mΩ 1 -1.2 S V 1 1 -15 A 输入电容 Ciss 5200 pF 输出电容 反馈电容 开关特性 Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz Crss 885 789 pF pF 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs Qgd 119 14 31 nC nC nC 2 2 2 Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-15A 导通延迟时间 导通上升时间 td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V 26 29 ns ns 2 2 关闭延迟时间 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 td(off) Id=-15A, Rgen=6Ω tf trr If=-15A, dlf/dt=100A/μs Qrr 225 124 35 ns ns ns 2 2 20 nC 寄生二极管反向恢复电荷 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET NIKO-SEM SOP-8 Halogen-Free & Lead-Free ■标准特性和热特性曲线 Output Characteristics On-Resistance VS Drain Current 0.008 RDS(ON)ON-Resistance(OHM) -ID, Drain-To-Source Current(A) 60 VGS =-3V 48 VGS =-10V VGS =-7V VGS =-5V VGS =-4.5V 36 24 VGS =-2.5V 12 0 0 1 2 3 4 5 6 7 0.007 0.005 VGS = -10V 0.004 0.003 0.002 0.001 0 8 0 On-Resistance VS Gate-To-Source 0.01 0.008 0.006 0.004 0.002 12 24 36 1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 V GS=-10V ID=-15A 0.6 0 2 4 6 8 -VGS, Gate-To-Source Voltage(V) 0.4 10 -50 Transfer Characteristics 48 36 24 125℃ 25℃ 12 -20℃ 0 0 1 2 3 4 0 25 50 75 100 125 Junction Temperature(˚C) 150 ID=-15A VDS=-15V 8 6 4 2 0 5 0 -VGS, Gate-To-Source Voltage(V) REV 1.0 -25 TJ , Gate charge Characteristics Characteristics 10 -VGS , Gate-To-Source Voltage(V) 60 60 1.8 ID = -15A 0 48 -ID , Drain-To-Source Current On-Resistance VS Temperature 2.0 Normalized Drain to Source ON-Resistance RDS(ON)ON-Resistance(OHM) VGS = -4.5V 0.006 -VDS, Drain-To-Source Voltage(V) -ID, Drain-To-Source Current(A) PZ0703EV P-Channel Logic Level Enhancement Mode ELM340703A-N Field Effect Transistor 25 50 75 100 Qg , Total Gate Charge(nC) 3 4- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D-42-5 单 P 沟道 MOSFET SOP-8 Halogen-Free & Lead-Free Capacitance Characteristic 7.00E+03 PZ0703EV P-Channel LogicELM340703A-N Level Enhancement Mode Field Effect Transistor NIKO-SEM Body Diode Forward Voltage VS Source current 1.00E+02 6.00E+03 5.00E+03 -IS , Source Current(A) C , Capacitance(pF) CISS 4.00E+03 3.00E+03 2.00E+03 1.00E+03 COSS CRSS 5 10 15 20 -VDS, Drain-To-Source Voltage(V) 25 30 Safe Operating Area 100 125℃ 25℃ 1.00E+00 1.00E-01 0.0 0.00E+00 0 1.00E+01 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.4 Single Pulse Maximum Power Dissipation 200 160 SINGLE PULSE RθJA = 50° C/W TA=25° C 10 1m s 120 1 Power(W) -ID , Drain Current(A) 1.2 -VSD, Source-To-Drain Voltage(V) 10m s Operation in This Area is Lim ited by RDS(ON) 100m s 1S 0.1 10S DC NOTE : 1.V GS= 10V 2.TA=25° C 3.RθJA = 50° C/W 80 40 4.Single Pulse 0 0.001 0.01 0.1 1 10 -VDS, Drain-To-Source Voltage(V) Transient Thermal Resistance 0.01 0.1 1 10 100 Single Pulse Time(s) Transient Thermal Response Curve 1.00E+01 r(t) , Mormalized Effective 100 1.00E+00 Duty cycle=0.5 Notes 0.2 1.00E-01 0.1 1.Duty cycle, D= t1 / t2 2.RthJA = 50 ℃/W 3.TJ-TA = P*RthJA(t) 4.ZthJA(t) = r(t)*ZthJA 0.05 0.02 0.01 1.00E-02 1.E-04 Single Pulse 1.E-03 1.E-02 1.E-01 1.E+00 1.E+01 1.E+02 T1 , Square Wave Pulse Duration[sec] REV 1.0 4 4- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D-42-5