elm549407a

单 P 沟道 MOSFET
ELM549407A-N
■概要
■特点
ELM549407A-N 是 P 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=-60V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=-4.6A
·Rds(on) < 100mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 120mΩ (Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
-60
±20
-4.6
-3.8
-20
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
V
V
A
A
Pd
2.8
1.8
W
Tj, Tstg
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
Rθja
典型值
■引脚配置图
最大值
62.5
单位
℃/W
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
1
引脚名称
SOURCE
2
3
4
SOURCE
SOURCE
GATE
5
6
DRAIN
DRAIN
7
8
DRAIN
DRAIN
5-1
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DDDD
G
S S S
单 P 沟道 MOSFET
ELM549407A-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-48V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
-60
V
-1
Ta=85℃
Vgs=-10V, Id=-4.6A
Vgs=-4.5V, Id=-3.8A
Vds=-15V, Id=-3.2A
-20
-0.8
-20
μA
±100
nA
-2.5
V
A
88
98
12
100
120
Is=-2A, Vgs=0V
-0.8
-1.2
-2
Vgs=0V, Vds=-30V, f=1MHz
900
90
40
mΩ
S
V
A
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
Ciss
Coss
Crss
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
导通延迟时间
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
td(off)
tf
Vgs=-10V, Vds=-30V
Id=-4A
Vgs=-10V, Vds=-30V
RL=7.5Ω, Id=-3.8A
Rgen=3Ω
5-2
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12.0
2.5
pF
pF
pF
20.0
nC
nC
3.5
10
20
nC
ns
6
30
12
10
45
25
ns
ns
ns
AFP9407
Alfa-MOS
60V P-Channel
Technology
Enhancement Mode MOSFET
单 P 沟道 MOSFET
ELM549407A-N
Typical
Characteristics
■标准特性和热特性曲线
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Mar. 2011
www.alfa-mos.com
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Enhancement Mode MOSFET
单 P 沟道 MOSFET
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60V P-Channel
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Enhancement Mode MOSFET
单 P 沟道 MOSFET
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■测试电路和波形
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