elm549407a

シングル P チャンネル MOSFET
ELM549407A-N
■概要
■特長
ELM549407A-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-60V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-4.6A
・ Rds(on) = 100mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) = 120mΩ (Vgs=-4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
-60
V
±20
V
-4.6
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
A
-3.8
-20
A
2.8
1.8
- 55 ~ 150
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
62.5
単位
℃/W
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
端子記号
1
SOURCE
2
3
4
SOURCE
SOURCE
GATE
5
6
7
DRAIN
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
5-1
� � � �
�
� � �
シングル P チャンネル MOSFET
ELM549407A-N
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
ゲート漏れ電流
Igss
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
V
Vds=-48V, Vgs=0V
-1
Vds=-48V, Vgs=0V, Ta=85℃
-20
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
Vgs=-10V, Id=-4.6A
Rds(on)
Vgs=-4.5V, Id=-3.8A
Gfs Vds=-15V, Id=-3.2A
Vsd
-60
Is=-2A, Vgs=0V
-0.8
-20
-0.8
-1.2
V
-2
A
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
12.0
2.5
ゲート - ドレイン電荷
Qgd
5-2
V
A
120
900
90
40
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
-2.5
98
12
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-30V, f=1MHz
Crss
td(on)
Vgs=-10V, Vds=-30V
tr
RL=7.5Ω, Id=-3.8A
td(off)
Rgen=3Ω
tf
nA
100
入力容量
出力容量
帰還容量
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
±100
88
Is
Vgs=-10V, Vds=-30V
Id=-4A
μA
mΩ
S
pF
pF
pF
20.0
3.5
nC
nC
nC
10
6
20
10
ns
ns
30
12
45
25
ns
ns
AFP9407
Alfa-MOS
60V P-Channel
Technology
Mode MOSFET
シングル P チャンネル Enhancement
MOSFET
ELM549407A-N
Typical
Characteristics
■標準特性と熱特性曲線
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Mar. 2011
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60V P-Channel
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Mode MOSFET
シングル P チャンネル Enhancement
MOSFET
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60V P-Channel
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シングル P チャンネルEnhancement
MOSFET Mode MOSFET
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■テスト回路と波形
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