elm5k8471a

单 N 沟道 MOSFET
ELM5K8471A-S
■概要
■特点
ELM5K8471A-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=60V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
· Id=5.8A
·Rds(on) < 54mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 60mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(定常)
60
±20
5.8
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
Tc=25℃
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
A
4.2
10
Idm
容许功耗
V
V
A
2.8
W
1.2
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
Rθja
典型值
■引脚配置图
最大值
120
■电路图
D
SOT-223(俯视图)
1
2
单位
℃ /W
3
引脚编号
1
引脚名称
GATE
2
3
DRAIN
SOURCE
5-1
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G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM5K8471A-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=60V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
60
V
1
Ta=85℃
5
1.0
10
μA
±100
nA
2.5
V
A
Vgs=10V, Id=5.8A
Vgs=4.5V, Id=4.2A
Vds=15V, Id=2.4A
48
54
24
54
60
Is=1.6A, Vgs=0V
0.8
1.2
1.6
Vgs=0V, Vds=30V, f=1MHz
890
85
48
mΩ
S
V
A
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
Ciss
Coss
Crss
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
导通延迟时间
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
td(off)
tf
Vgs=5V, Vds=30V, Id=3.0A
Vgs=4.5V, Vds=30V
RL=6.8Ω, Id=3.0A, Rgen=6Ω
5-2
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10.0
3.5
pF
pF
pF
15.0
nC
nC
3.6
10
15
nC
ns
12
25
10
20
35
15
ns
ns
ns
AFN8471
Alfa-MOS
60V N-Channel
Technology单 N 沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
ELM5K8471A-S
■标准特性和热特性曲线
Typical
Characteristics
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev. A May 2011
www.alfa-mos.com
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Alfa-MOS
60V N-Channel
Technology
Enhancement Mode MOSFET
单 N 沟道 MOSFET
ELM5K8471A-S
Typical Characteristics
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev. A May 2011
www.alfa-mos.com
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Alfa-MOS
60V N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
Technology
单 N 沟道 MOSFET
ELM5K8471A-S
Typical■测试电路和波形
Characteristics
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev. A May 2011
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