elm13403ca

单 P 沟道 MOSFET
ELM13403CA-S
■概要
■特点
ELM13403CA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电
·Vds=-30V
压，低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=-2.6A (Vgs=-10V)
·Rds(on) ＜ 130mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) ＜ 180mΩ (Vgs=-4.5V)
·Rds(on) ＜ 260mΩ (Vgs=-2.5V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流（定常）
-30
±12
-2.6
Id
Ta=70℃
漏极电流（脉冲）
-2.2
-20
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
1.4
1.0
- 55 ~ 150
Pd
结合部温度及保存温度范围
V
V
Tj, Tstg
A
1
A
2
W
1
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≦10s
稳定状态
Rθja
稳定状态
Rθjl
■引脚配置图
典型值
70
100
最大值
90
125
单位
℃/W
℃/W
备注
63
80
℃/W
3
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
2
引脚编号
1
引脚名称
GATE
2
3
SOURCE
DRAIN
4-1
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G
S
1
单 P 沟道 MOSFET
ELM13403CA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-24V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
漏极 - 源极导通电阻
-1
Ta=55℃
-1.4
V
A
Vgs=-4.5V, Id=-2A
102
154
128
130
200
180
187
4.5
260
Vgs=-10V
Id=-2.6A
Gfs
二极管正向压降
Vsd
Is=-1A, Vgs=0V
Ciss
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss
Crss
Rg
-0.6
-10
Ta=125℃
3.0
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
td(off)
tf
mΩ
S
-0.85 -1.00
Is
Qg
μA
-1.0
正向跨导
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
-5
nA
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
Rds(on)
V
±100
Vgs=-2.5V, Id=-1A
Vds=-5V, Id=-2.5A
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
-30
V
-2
A
500
pF
55
42
12
16
pF
pF
Ω
4.40
5.30
nC
0.80
1.32
5.3
8.0
nC
nC
ns
Vgs=-10V, Vds=-15V
RL=6Ω, Rgen=3Ω
4.4
31.5
8.0
9.0
45.0
16.0
ns
ns
ns
409
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-4.5V, Vds=-15V
Id=-2.5A
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=-2.5A, dlf/dt=100A/μs
15.8
19.0
ns
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=-2.5A, dlf/dt=100A/μs
8.0
12.0
nC
备注：
1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到
电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
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单 P 沟道 MOSFET
ELM13403CA-S
■标准特性和热特性曲线
10
20
-5V
-10V
8
-4V
10
-Id (A)
Vgs=-3.5V
-3V
2 5V
5
6
125°C
4
2
-2.0V
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
250
1.5
2
2.5
3
3.5
4
1.6
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
1
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Vgs=-2.5V
200
150
Vgs=-4.5V
100
50
0
1
2
3
Vgs=-10V
4
5
Vgs=-10V
VGS=-4.5V
1.4
VGS=-2.5V
1.2
ID=-2A
1
0.8
6
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
300
1.0E+01
250
1.0E+00
Id=-2A
200
150
100
25°C
2
4
6
75
100
125
150
175
125°C
1.0E-02
1.0E-03
25°C
1.0E-04
1.0E-05
0
0
50
1.0E-01
125°C
50
25
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
-Is (A)
Rds(on) (m� )
-Id (A)
15
25°C
Vds=-5V
-4.5V
8
10
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
1.0E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
4-3
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1.2
单 P 沟道 MOSFET
ELM13403CA-S
5
500
Capacitance (pF)
4
-Vgs (Volts)
600
Vds=-15V
Id=-2.5A
3
2
1
Ciss
400
300
200
Coss
0
0
1
2
3
4
0
5
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.0
1ms
10ms
0.1
DC
1
10
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=90°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
-Vds (Volts)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
0.1
0.01
0.00001
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
0
0.001
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
1
25
5
10s
10
20
10
1s
0.1
15
15
10�s
Power (W)
100�s
0.1s
1.0
10
20
Rds(on)
limited
10.0
5
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
-Id (Amps)
Crss
100
Pd
Ton
Single Pulse 0.001
0.0001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
100
1000