SANYO TN6Q03

TN6Q03
注文コード No. N 8 2 9 3
TN6Q03
エクセレントパワーデバイス
擬似共振方式スイッチング電源用
特長
・擬似共振方式制御 IC 内蔵
・電流検出機能付き MOSFET 内蔵
・低入力電圧保護 (自己復帰)
・過電圧保護 (ラッチ)
・過電流保護 (パルスバイパルス)
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
記号
条件
定格値
(電圧パラメータは、GND 端子に対する電圧)
ドレイン・ソース電圧
VDSS
3−5
unit
650
V
4.5
13.5
A
A
ドレイン電流（DC）
ドレイン電流（パルス）
ID
IDP
3−5
3−5
VDD 端子印加電圧
FB 端子印加電圧
VDD
VFB
4−5
1−5
− 0.3 ∼ 16.7
− 0.3 ∼ VDD ＋ 0.3
V
V
EDGE 端子印加電圧
VEDGE
2−5
許容損失
PD
− 0.3 ∼ VDD ＋ 0.3
2
V
W
動作温度
Topr
30
− 25 ∼＋ 125
W
℃
接合部温度
保存周囲温度
Tj
Tstg
150
− 55 ∼＋ 150
℃
℃
アバランシェエネルギー（単発）*1
アバランシェ電流 *2
EAS
IAV
105
4.5
mJ
A
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1％
Tc=25℃
3−5
3−5
*1. VDD=50V, L=10mH, IAV=4.5A
*2. L ≦ 10mH, 1 パルス
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
記号
条件
定格値
min
typ
max
unit
[MOSFET 部]
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
V(BR)DSS
IDSS
3−5
3−5
ID=1mA, VDD=0
VDS=650V, VDD=0
ドレイン・ソース間オン抵抗
入力容量
RDS(on)
Ciss
3 − 5 ID=2.3A, VDD=15V
VDS=20V, f=1MHz
出力容量
Coss
VDS=20V, f=1MHz
650
1
1.55
1150
2.0
200
V
mA
Ω
pF
pF
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本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
32505IQ TS IM ◎川浦 TB-00001323 No.8293-1/4
TN6Q03
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項目
記号
[IC 部]
電源ライン降伏電圧
過電圧入力ラッチ
シャットダウンしきい電圧
条件
V(BR)DD
4−5
OVP
4−5
IDD=1mA, VFB=0
min
定格値
typ
max
16.7
unit
V
15.7
16.5
17.3
V
15.2
14.6
16.0
15.4
16.8
16.2
V
V
間欠動作時発振開始しきい電圧 VBon
間欠動作時発振停止しきい電圧 VBoff
4−5
4−5
VEDGE=VDD
VEDGE=VDD
間欠動作時
発振ヒステリシス電圧
∆VB
4−5
VEDGE=VDD
低電圧入力保護解除しきい電圧 UVH
低電圧入力保護動作しきい電圧
UVL
(ラッチ解除電圧)
低入力電圧保護
∆UV
ヒステリシス電圧
フィードバック検出しきい電圧 VFB
4−5
9.1
9.9
10.7
V
4−5
8.0
8.8
9.6
V
1−5
0.58
0.70
0.82
V
エッジ入力解除しきい電圧
エッジ入力検出しきい電圧
VEDGE-H
VEDGE-L
2−5
2−5
2.3
1.6
2.6
1.9
2.9
2.2
V
V
エッジ入力ヒステリシス電圧
基準発振周波数
∆VEDGE
fosc
2−5
3−5
30
0.7
35
40
V
kHz
最高発振周波数
電源電流
（起動時）
3−5
4−5
最小オン時間
ステップドライブ時間
fmax
IDD(on)
ton(min)
tstep
3−5
3−5
300
200
ns
ns
ステップドライブゲート電圧
VGstep
3−5
VDD − 5.7
V
0.6
4−5
V
1.1
VEDGE=0
150
180
200
V
210
kHz
µA
外形図
unit : mm
2249
4.5
10.0
3.2
16.0
7.2
3.5
2.8
13.3
0.5
2.54
1.27
(0.9)
45
1.5
3.0
6.5
1.27
2.54
1.27
2.54
6.0
(5.3)
0.7
2.54
1.27
3
12
10.3
0.9
(4.0)
2.4
1 : FB
2 : EDGE
3 : DRAIN
4 : VDD
5 : SOURCE
SANYO : TO-220FI5H
No.8293-2/4
TN6Q03
ブロックダイヤグラム
VDD端子
4
EDGE端子
2
内部電源
低入力電圧保護
立下りエッジ検出
過大電圧保護
発振器
ラ
ッ
チ
回
路
基準電圧
過電流 / FBコンパレータ
バースト回路
3
DRAIN端子
5
SOURCE
(GND)端子
ロジック
ドライバ
FB端子
1
端子機能説明
端子番号
1
FB
記号
名称
過電流 / フィードバック端子
機能
過電流検出信号及び、電圧制御信号入力
2
3
EDGE
DRAIN
エッジ検出端子
ドレイン端子
遅延エッジ電圧波形入力
パワー FET ドレイン
4
5
VDD
SOURCE(GND)
電源端子
ソース(グランド)端子
起動電圧、ドライブ電圧入力
パワー FET ソース(グランド)
応用回路例
起動抵抗
電圧共振用コンデンサ
スナバー回路
+B
+
5
+
4
OCPの入力電圧
補正用抵抗
3
2
GND
1
+
FB・OCP
調整用抵抗
誤差増幅器
VCC回路
遅延時間設定コンデンサ・抵抗
No.8293-3/4
TN6Q03
Forward Bias ASO
IDP=13.5A
10
7
5
10
0µ
ID=4.5A
1m
s
10
DC 100 ms
op ms
er
ati
on
3
2
1.0
7
5
3
2
＜10µs
10µ
s
2.0
s
Operation in this
area is limited by RDS(on).
0.1
7
5
PD -- Ta
2.5
許容損失, PD -- W
ドレイン電流, ID -- A
3
2
1.5
1.0
0.5
3
2
Tc=25°C
0.01 1パルス
2 3
1.0
0
5 7 10
2
3
5 7 100
2
3
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
5 7 1000
IT09260
0
20
40
60
80
100
120
周囲温度, Ta -- °C
140
160
IT09261
PD -- Tc
35
許容損失, PD -- W
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
ケース温度, Tc -- °C
120
140
160
IT09262
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PS No.8293-4/4