MB39A134 - Spansion

本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。
FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS04–27264–4
ASSP 電源用 (2 次電池用 )
Li イオン電池充電用
DC/DC コンバータ IC
MB39A134
■ 概要
MB39A134 は , 充電電圧・充電電流を独立して制御できるパルス幅変調方式 (PWM 方式 ) の Li イオン電池充電用 DC/DC
コンバータ IC で , ダウンコンバージョンに適しています。
DC/DC コンバータ制御部とは独立した AC アダプタ検出コンパレータを内蔵し , システムへの電圧供給源を制御しま
す。広い入力電圧範囲に対応 , スタンバイ時低消費電流を実現 , 高精度な充電電流・充電電圧を制御でき , ノートパソコン
などの内蔵 Li イオン電池充電器に最適です。
■ 特長
・ 2, 3, 4Cell 電池パックに対応
・ 2 つの定電流制御ループを内蔵
・ AC アダプタ検出機能内蔵 (ACOK 端子 )
・ 充電電圧設定精度
：± 0.7％ (Ta ＝− 10 °C ∼＋ 85 °C)
・ 外付け設定抵抗なしでも設定可能な充電電圧制御 (4.20 V/Cell, 4.10 V/Cell)
外付け抵抗による充電電圧設定も可能
・ 2 つの高精度電流検出アンプ内蔵 ( ± 1%：入力電圧差 100 mV 時 )
( ± 5%：入力電圧差 20 mV 時 )
入力オフセット電圧 ：0 mV (Current Amp1)
：＋ 3 mV (Current Amp2)
・ 外付け設定抵抗なしでも設定可能な充電電流制御 (RS ＝ 20 mΩ 時 2.85 A)
外付け抵抗による充電電流設定も可能
・ 外付け抵抗によるスイッチング周波数設定可能 ( 周波数設定容量内蔵 )：100 kHz ∼ 2 MHz
・ 低 VCC 時充電停止機能内蔵
・ スタンバイモード (ICC ＝ 6 μA 標準 ) 時 , AC アダプタ検出機能のみ動作
・ P-ch MOS FET の Qg 損失を減少させるための VH レギュレータ内蔵
・ パッケージ：TSSOP-24
■ アプリケーション
・ ノートパソコンなどの内蔵充電器
・ ハンディターミナル
など
Copyright©2008-2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved
2012.1
MB39A134
■ 端子配列図
(TOP VIEW)
−INC1
1
24
+INC1
OUTC1
2
23
GND
ADJ1
3
22
CVM
COMP1
4
21
VCC
ACOK
5
20
OUT
VREF
6
19
VH
ACIN
7
18
VIN
COMP2
8
17
RT
ADJ2
9
16
ADJ3
OUTC2
10
15
COMP3
CELLS
11
14
CTL
BATT
12
13
+INC2
(FPT-24P-M09)
2
DS04–27264–4
MB39A134
■ 端子機能説明
端子番号
端子記号
I/O
1
-INC1
I
電流検出増幅器 (Current Amp1) 反転入力端子です。
2
OUTC1
O
電流検出増幅器 (Current Amp1) 出力端子です。
3
ADJ1
I
誤差増幅器 (Error Amp1) 非反転入力端子です。
4
COMP1
O
誤差増幅器 (Error Amp1) 出力端子です。
5
ACOK
O
AC アダプタ電圧検出部 (AC Comp.) 出力端子です。
ACIN ＝ H：ACOK ＝ L, ACIN ＝ L：ACOK ＝ Hi-Z
6
VREF
O
基準電圧出力端子です。
7
ACIN
I
AC アダプタ電圧検出部 (AC Comp.) 入力端子です。
8
COMP2
O
誤差増幅器 (Error Amp2) 出力端子です。
9
ADJ2
I
充電電流制御部設定用入力端子です。
ADJ2 端子＝ GND ∼ 4.4 V ：充電電流制御部出力＝ ADJ2 端子電圧
ADJ2 端子＝ 4.6 V ∼ VREF ：充電電流制御部出力＝ 1.5 V
10
OUTC2
O
電流検出増幅器 (Current Amp2) 出力端子です。
11
CELLS
I
充電電圧設定を 2Cell, 3Cell, 4Cell に切り換える端子です。
CELLS 端子＝ VREF ：充電電圧 4Cell
CELLS 端子＝ GND ：充電電圧 3Cell
CELLS 端子＝ OPEN ：充電電圧 2Cell
12
BATT
I
電流検出増幅器 (Current Amp2) 反転入力端子です。
電池電圧入力端子です。
13
+INC2
I
電流検出増幅器 (Current Amp2) 非反転入力端子です。
機能説明
14
CTL
I
コントロール端子です。
CTL 端子を “H” レベルにすることにより DC/DC コンバータ部は動作状態になり
ます。
CTL 端子を “L” レベルにすることにより DC/DC コンバータ部はスタンバイ状態
になります。
15
COMP3
O
誤差増幅器 (Error Amp3) 出力端子です。
16
ADJ3
I
充電電圧制御部設定用入力端子です。
ADJ3 端子＝ GND ∼ 0.2 V ：充電電圧 4.10 V/Cell
ADJ3 端子＝ 0.4 ∼ 4.4 V ：充電電圧＝ 2 × ADJ3 端子電圧 /Cell
ADJ3 端子＝ 4.6 V ∼ VREF：充電電圧 4.20 V/Cell
17
RT
⎯
三角波発振周波数設定用抵抗接続端子です。
18
VIN
⎯
ACOK ファンクション用電源端子です。
19
VH
O
FET 駆動回路用電源端子です。(VH ＝ VCC − 6 V)
20
OUT
O
FET ゲート駆動端子です。
21
VCC
⎯
基準電源 , 制御回路 , 出力回路の電源端子です。
22
CVM
O
CV Comp. 出力端子です。
23
GND
⎯
接地端子です。
24
+INC1
I
DS04–27264–4
電流検出増幅器 (Current Amp1) 非反転入力端子です。
3
MB39A134
■ ブロックダイヤグラム
TO SYSTEM
LOAD
CVM
ACIN
ACOK
22 7
VIN
18
<CV Comp.>
−
OUTC1
+
+
2
<AC
Comp.>
−
24
1
+
✕ 25
VCC
<Error Amp1>
−
<PWM Comp.>
+
+
+
−
−2.5 V
−1.5 V
+
-INC1
3
ADJ1
OUTC2
<Current Amp2>
+INC2
13
12
+
✕ 25
<Error Amp2>
−
9
B
Io
VCC-6 V
2.85 A
VO
19
VH
RS
20 mΩ
Battery
VCC
UVLO
CT
Charge Current
Control
ADJ2
A
OUT
<OSC>
+
3 mV
BATT
20
Drive
Bias
Voltage
<VH>
10
A
B
21
<Current Amp1>
+INC1
VIN
5
VREF
UVLO
16
ADJ3
VREF :
4.20 V/Cell
GND :
4.10 V/Cell
VO
REFIN
Control
+
VCC
VCC
<VR1>
<REF>
1.26 V
VR1
11
OPEN : 2Cell
GND : 3Cell
VREF : 4Cell
4
<Error Amp3>
−
CELLS
4
8
COMP1
15
COMP2
17
COMP3
RT
<CTL>
14
5.0 V ON/OFF
VREF
6
VREF
23
CTL
( 24-pin )
GND
DS04–27264–4
MB39A134
■ 絶対最大定格
項目
電源電圧
記号
VVCC
条件
定格値
単位
最小
最大
VCC, VIN 端子
− 0.3
＋ 28
V
VCC, VIN 端子 , t ≦ 10 μs
− 0.3
＋ 32
V
OUT 端子
− 60
＋ 60
mA
OUT 端子
Duty ≦ 5% (t ＝ 1 / fosc × Duty)
− 700
＋ 700
mA
出力電流
IOUT
CTL 端子入力電圧
VCTL
CTL 端子
− 0.3
＋ 28
V
VINE
ADJ1, ADJ2, ADJ3, CELLS, ACIN 端子
− 0.3
VVREF ＋ 0.3
V
VINC
− INC1, +INC1, BATT, ＋ INC2 端子
− 0.3
＋ 28
V
入力電圧
許容損失
PD
保存温度
TSTG
Ta ≦＋ 25 °C
⎯
1282* *
mW
Ta ＝＋ 85 °C
⎯
1, 2
512* *
mW
− 55
＋ 125
°C
⎯
1, 2
＊ 1：Ta ＝＋ 25 °C ∼＋ 85 °C 間の許容損失は「■ 標準特性・許容損失 - 動作周囲温度特性」グラフを参照してください。
＊ 2：10 cm 角の二層エポキシ基板に実装時
＜注意事項＞ 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ
ります。したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
DS04–27264–4
5
MB39A134
■ 推奨動作条件
項目
記号
条件
規格値
単位
最小
標準
最大
8
⎯
25
V
電源電圧
VVCC
基準電圧出力電流
IVREF
⎯
−1
⎯
0
mA
VH 端子出力電流
IVH
⎯
0
⎯
30
mA
0
⎯
VVREF − 1.5
V
4.6
⎯
VVREF
V
0
⎯
4.4
V
0
⎯
0.2
V
4.6
⎯
VVREF
V
0.4
⎯
4.4
V
CELLS 端子
0
⎯
VVREF
V
VINC
− INC1, ＋ INC1, ＋ INC2, BATT 端子
0
⎯
VVCC
V
ACIN 端子入力電圧
VACIN
⎯
0
⎯
5
V
ACOK 端子出力電圧
VACOK
⎯
0
⎯
25
V
ACOK 端子出力電流
IACOK
⎯
0
⎯
1
mA
CTL 端子入力電圧
VCTL
⎯
0
⎯
25
V
OUT 端子
− 45
⎯
＋ 45
mA
OUT 端子
Duty ≦ 5% (t ＝ 1 / fosc × Duty)
− 600
⎯
＋ 600
mA
100
500
2000
kHz
8.2
33
180
kΩ
⎯
0.1
1.0
μF
⎯
0.1
1.0
μF
− 30
＋ 25
＋ 85
°C
VCC, VIN 端子
ADJ1 端子
ADJ2 端子 ( 内蔵基準電圧使用時 )
ADJ2 端子 ( 外部設定時 )
VINE
入力電圧
ADJ3 端子 ( 内蔵基準電圧使用時 )
ADJ3 端子 ( 外部設定時 )
出力電流
IOUT
スイッチング周波数
fOSC
タイミング抵抗
RRT
VH 端子コンデンサ
CVH
基準電圧出力
コンデンサ
CVREF
動作周囲温度
Ta
⎯
RT 端子
⎯
VREF 端子
⎯
＜注意事項＞ 推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格値は , すべてこの条
件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を超えて使用すると , 信頼
性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。記載され
ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。
6
DS04–27264–4
MB39A134
■ 電気的特性
(Ta ＝＋ 25 °C, VCC 端子＝ 19 V, VREF 端子＝ 0 mA)
記号
端子
番号
条件
VVREF1
6
⎯
VVREF2
6
入力安定度
VREF
Line
負荷安定度
項目
三角波発振
器部
[OSC]
単位
最小
標準
最大
4.963
5.000
5.037
V
Ta ＝− 10 °C ∼＋ 85 °C
4.950
5.000
5.050
V
6
VCC 端子＝ 8 V ∼ 25 V
⎯
3
10
mV
VREF
Load
6
VREF 端子＝ 0 mA ∼− 1 mA
⎯
1
10
mV
短絡時出力電流
Ios
6
VREF 端子＝ 1 V
− 25
− 12
−6
mA
発振周波数
fOSC
20
RT 端子＝ 33 kΩ
450
500
550
kHz
周波数温度
変動率
df/fdT
20
Ta ＝− 30 °C ∼＋ 85 °C
⎯
1＊
⎯
%
VIO
2, 3
COMP1 端子＝ 2 V
⎯
1
5
mV
IADJ1
3
− 100
−
−
nA
Gm
15
⎯
20 ＊
⎯
μA/V
VTH1
10
⎯
1.5 ＊
⎯
V
Gm
15
⎯
⎯
20 ＊
⎯
μA/V
VTH1
12
COMP3 端子＝ 2 V, Ta ＝＋ 25 °C,
ADJ3 端子 ＝ VREF 端子 (4.20 V/
Cell setting)
− 0.5
0
＋ 0.5
%
VTH2
12
COMP 3 端子＝ 2 V,
Ta ＝− 10 °C ∼＋ 85 °C
ADJ3 端子 ＝ VREF 端子 (4.20 V/
Cell setting)
− 0.7
0
＋ 0.7
%
V TH3
12
COMP3 ＝ 2 V, Ta ＝＋ 25 °C,
ADJ3 端子＝ GND (4.10 V/Cell
setting)
− 0.6
0
＋ 0.6
%
V TH4
12
COMP3 ＝ 2 V,
Ta ＝− 10 °C ∼＋ 85 °C
ADJ3 端子＝ GND (4.10 V/Cell
setting)
− 0.8
0
＋ 0.8
%
IBATTH1
12
ADJ3 端子＝ CELLS 端子＝ VREF
端子
BATT 端子＝ 16.8 V
⎯
25.2
38
μA
IBATTL
12
VCC 端子＝ 0 V, BATT 端子＝
16.8 V
⎯
0
1
μA
Gm
15
⎯
30 ＊
⎯
μA/V
スレッショルド
電圧
基準電圧部
[REF]
規格値
入力オフセット
電圧
誤差増幅器
入力バイアス
部
[Error Amp1] 電流
相互
コンダクタンス
スレッショルド
誤差増幅器 電圧
部
[Error Amp2] 相互
コンダクタンス
スレッショルド
電圧精度
誤差増幅器
部
[Error Amp3]
入力電流
相互
コンダクタンス
ADJ1 端子＝ 0 V
⎯
ADJ2 端子＝ VREF 端子
⎯
（続く）
DS04–27264–4
7
MB39A134
(Ta ＝＋ 25 °C, VCC 端子＝ 19 V, VREF 端子＝ 0 mA)
項目
記号
端子
番号
I+INCH
+INC1 端子＝ +INC2 端子＝
13, 24 3 V ∼ VCC 端子 ,
ΔVin ＝− 100 mV
I-INCH
電流検出
増幅器部
[Current Amp1,
Current Amp2]
入力オフセット
電圧
同相入力電圧
範囲
規格値
単位
最小
標準
最大
⎯
20
30
μA
⎯
0.1
0.2
μA
13, 24 +INC1 端子＝ +INC2 端子＝ 0.1 V,
ΔVin ＝− 100 mV
− 225
− 150
⎯
μA
− 255
− 170
⎯
μA
1
入力電流
I+INCL
条件
+INC1 端子＝ 3 V ∼ VCC 端子 ,
ΔVin ＝− 100 mV
I-INCL
1
+INC1 端子＝ +INC2 端子＝ 0.1 V,
ΔVin ＝− 100 mV
VOFF1
2
+INC1 端子＝ 3 V ∼ VCC 端子
−1
0
1
mV
VOFF2
10
+INC2 端子＝ 3 V ∼ VCC 端子
2
3
4
mV
VOFF3
10
+INC2 端子＝ 0 V ∼ 3 V
1
3
5
mV
VCM
2, 10
0
⎯
VVCC
V
24.5
25.0
25.5
V/V
⎯
2*
⎯
MHz
⎯
電圧利得
Av
+INC1 端子＝ +INC2 端子＝
2, 10 3 V ∼ VCC 端子 ,
ΔVin ＝− 100 mV
周波数帯域幅
BW
2, 10 Av ＝ 0 dB
VOUTCH1
2
⎯
4.7
4.9
⎯
V
VOUTCH2
10
⎯
4.5
4.7
⎯
V
VOUTCL
2, 10
⎯
50
75
100
mV
出力ソース電流
ISOURCE
2, 10 OUTC1 端子＝ OUTC2 端子＝ 2 V
⎯
−2
−1
mA
出力シンク電流
ISINK
2, 10 OUTC1 端子＝ OUTC2 端子＝ 2 V
150
300
⎯
μA
出力電圧
（続く）
8
DS04–27264–4
MB39A134
(Ta ＝＋ 25 °C, VCC 端子＝ 19 V, VREF 端子＝ 0 mA)
項目
記号
端子
番号
PWM 比較器
スレッショルド
部
[PWM Comp.] 電圧
VTL
20
VTH
出力ソース電流
出力シンク電流
出力部
[OUT]
コントロール
部
[CTL]
規格値
単位
最小
標準
最大
デューティサイクル＝ 0%
1.4
1.5
⎯
V
20
デューティサイクル＝ 100%
⎯
2.5
2.6
V
ISOURCE
20
OUT 端子＝ 13 V, Duty ≦ 5%
(t ＝ 1 / fosc × Duty)
⎯
− 400*
⎯
mA
ISINK
20
OUT 端子＝ 19 V, Duty ≦ 5%
(t ＝ 1 / fosc × Duty)
⎯
400*
⎯
mA
ROH
20
OUT 端子＝− 45 mA
⎯
6.5
9.8
Ω
ROL
20
OUT 端子＝ 45 mA
⎯
5.0
7.5
Ω
立上り時間
tr1
20
OUT 端子＝ 3300 pF
⎯
50 ＊
⎯
ns
立下り時間
tf1
20
OUT 端子＝ 3300 pF
⎯
50 ＊
⎯
ns
VON
14
IC 動作状態
2
⎯
25
V
VOFF
14
IC スタンバイ状態
0
⎯
0.8
V
ICTLH
14
CTL 端子＝ 5 V
⎯
100
150
μA
ICTLL
14
CTL 端子＝ 0 V
⎯
0
1
μA
VH
19
VCC 端子＝ 8 V ∼ 25 V,
VH 端子＝ 0 ∼ 30 mA
VVCC −
6.5
VVCC −
6.0
VVCC −
5.5
V
VTLH
21
VCC 端子＝
6.0
6.2
6.4
V
VTHL
21
VCC 端子＝
5.0
5.2
5.4
V
VH
21
VCC 端子
⎯
1.0
⎯
V
VTLH
6
VREF 端子＝
2.6
2.8
3.0
V
VTHL
6
VREF 端子＝
2.4
2.6
2.8
V
ヒステリシス幅
VH
6
VREF 端子
⎯
0.2
⎯
V
検出温度
TTH
20
⎯
⎯
＋ 150
⎯
°C
解除温度
TTL
20
⎯
⎯
＋ 125
⎯
°C
出力オン抵抗
CTL 入力電圧
入力電流
バイアス電圧
部
出力電圧
[VH]
スレッショルド
電圧
低電圧時誤動 ヒステリシス幅
作防止回路部
[UVLO]
スレッショルド
電圧
過熱検出
条件
＊
（続く）
DS04–27264–4
9
MB39A134
（続き）
(Ta ＝＋ 25 °C, VCC 端子＝ 19 V, VREF 端子＝ 0 mA)
項目
記号
端子
番号
条件
最大
単位
7
⎯
1.245
1.270
1.295
V
VTHL
7
⎯
1.215
1.250
1.285
V
ヒステリシス幅
VH
7
⎯
⎯
20
⎯
mV
ILEAK
5
ACOK 端子＝ 25 V
⎯
0
1
μA
VACOKL
5
ACOK 端子＝ 1 mA
⎯
0.9
1.1
V
IVINL
18
VIN 端子＝ 19 V,
ACIN 端子＝ 0 V
⎯
0
1
μA
IVINH
18
VIN 端子＝ 19 V,
ACIN 端子＝ 5 V
⎯
6
10
μA
VH
16
4.20 V/Cell 時
4.6
⎯
VVREF
V
VEXT
16
外部設定時
0.4
⎯
4.4
V
VL
16
4.10 V/Cell 時
0
⎯
0.2
V
入力電圧
スレッショルド
電圧
VTL
16
⎯
0.21
0.3
0.39
V
VTH
16
⎯
4.41
4.5
4.59
V
入力電流
IIN
16
ADJ3 端子
⎯
0
1
μA
VH
11
4Cell 時
VVREF −
0.4
⎯
VVREF
V
VM
11
2Cell 時
2.4
⎯
2.6
V
VL
11
3Cell 時
0
⎯
0.3
V
IINL
11
CELLS 端子＝ 0 V
− 8.3
−5
⎯
μA
IINH
11
CELLS 端子＝ IVREF
⎯
5
8.3
μA
VH
9
通常充電時
4.6
⎯
VVREF
V
VEXT
9
外部設定時
0
⎯
4.4
V
スレッショルド
電圧
VTH
9
4.41
4.50
4.59
V
入力電流
IIN
9
ADJ2 端子
⎯
0
1
μA
ICCS1
18
VCC 端子＝ 0 V,
CTL 端子＝ 0 V,
ACIN 端子＝ 5 V,
VIN 端子＝ 19 V
⎯
6
10
μA
ICCS2
21
VIN 端子＝ 0 V,
CTL 端子＝ 0 V,
VCC 端子＝ 19 V
⎯
0
1
μA
ICC
21
CTL 端子＝ 5 V
⎯
2.7
4.0
mA
入力電圧
入力電流
全デバイス
標準
VTLH
消費電流
充電電流制御
部
[Charge Current
Control]
最小
スレッショルド
電圧
ACOK 端子
出力リーク
AC アダプタ電 電流
圧検出部
ACOK 端子
[AC Comp.]
出力 “L” レベル
電圧
充電電圧制御
部
[VO REFIN
Control]
規格値
入力電圧
スタンバイ
電流
電源電流
⎯
＊：この値は規格値ではありません。設計する際の目安としてお使いください。
10
DS04–27264–4
MB39A134
■ 標準特性
CTL 端子入力電流 , 基準電圧 - CTL 端子入力電圧
1000
CTL 端子入力電流 ICTL (μA)
電源電流 ICC (mA)
5
4
3
2
Ta = +25 °C
VCTL = 5 V
1
0
5
10
15
20
7
6
VVREF
500
5
400
4
300
3
ICTL
200
2
100
1
0
5
10
15
20
CTL 端子入力電圧 VCTL (V)
基準電圧 - 電源電圧
基準電圧 - 負荷電流
6
6
5
5
3
2
Ta = +25 °C
VCTL = 5 V
IVREF = 0 mA
1
8
600
電源電圧 VVCC (V)
4
9
700
0
0
0
25
Ta = +25 °C
VVCC = 19 V
VCTL = 5 V
4
3
2
1
0
5
10
15
20
25
10
15
20
負荷電流 IVREF (mA)
基準電圧 - 動作周囲温度
三角波発振周波数 - 電源電圧
VVCC = 19 V
VCTL = 5 V
IVREF = 0 mA
5.06
5.04
5.02
5.00
4.98
4.96
4.94
−20
5
電源電圧 VVCC (V)
5.08
4.92
−40
0
0
+20
+40
+60
動作周囲温度 Ta ( °C)
+80
+100
三角波発振周波数 fosc (kHz)
0
基準電圧 VVREF (V)
800
25
基準電圧 VVREF (V)
基準電圧 VVREF (V)
0
10
Ta = +25 °C
VVCC = 19 V
IVREF = 0 mA
900
基準電圧 VVREF (V)
電源電流 - 電源電圧
550
540
25
Ta = +25 °C
VCTL = 5 V
RT = 33 kΩ
530
520
510
500
490
480
470
460
450
0
5
10
15
20
25
電源電圧 VVcc (V)
（続く）
DS04–27264–4
11
MB39A134
（続き）
三角波発振周波数 - 動作周囲温度
三角波発振周波数 - タイミング抵抗
VVCC = 19 V
VCTL = 5 V
RT = 33 kΩ
−20
0
+20
+40
+60
+80
+100
三角波発振周波数 fosc (kHz)
三角波発振周波数 fosc (kHz)
10000
550
540
530
520
510
500
490
480
470
460
450
−40
Ta = +25 °C
VVCC = 19 V
VCTL = 5 V
1000
100
10
1
誤差増幅器スレッショルド電圧 - 動作周囲温度
誤差増幅器スレッショルド電圧 - 動作周囲温度
VVCC = 19 V
VCTL = 5 V
VCELLS = OPEN
8.475
8.450
8.425
8.400
8.375
8.350
8.325
8.300
−40
−20
0
+20
+40
+60
12.700
誤差増幅器スレッショルド電圧
VTH (V)
誤差増幅器スレッショルド電圧
VTH (V)
1000
タイミング抵抗 RT (kΩ)
+80 +100
VVCC = 19 V
VCTL = 5 V
VCELLS = GND
12.675
12.650
12.625
12.600
12.575
12.550
12.525
12.500
−40
−20
0
+20
+40
+60
動作周囲温度 Ta ( °C)
動作周囲温度 Ta ( °C)
誤差増幅器スレッショルド電圧 - 動作周囲温度
許容損失 - 動作周囲温度
16.900
16.875
16.850
16.825
16.800
16.775
16.750
1282
1200
1000
800
600
400
200
16.725
16.700
-40
+80 +100
1400
VVCC = 19 V
VCTL = 5 V
VCELLS = 5 V
許容損失 PD (mW)
誤差増幅器スレッショルド電圧
VTH (V)
100
動作周囲温度 Ta ( °C)
8.500
0
-20
0
+20
+40
+60
動作周囲温度 Ta ( °C)
12
10
+80 +100
−40
−20
0
+20
+40
+60
+80
+100
動作周囲温度 Ta ( °C)
DS04–27264–4
MB39A134
■ 機能説明
MB39A134は, バッテリに充電する充電電圧および充電電流を制御する, Liイオン電池充電用のパルス幅変調方式 (PWM
方式 ) の DC/DC コンバータです。AC アダプタおよびバッテリからシステムへ電圧を安定して供給するためにバッテリへ
の充電制御機能や AC アダプタ電圧検出機能を備えています。
・ 充電電圧制御 ( 定電圧モード ) 時は , ADJ3 端子と CELLS 端子に入力される電圧で任意の充電電圧を設定できます。誤
差増幅器 (Error Amp3) で BATT 端子電圧と内部基準電圧を比較して PWM 制御信号を出力し , 任意の充電電圧を出力し
ます。
・ 充電電流制御 ( 定電流モード ) 時は , 充電電流センス抵抗 (RS) の両端に発生する電圧降下を電流検出増幅器 (Current
Amp2) で 25 倍に増幅して OUTC2 端子へ出力します。電流検出増幅器 (Current Amp2) の出力電圧を誤差増幅器 (Error
Amp2) で , ADJ2 端子で設定した電圧と比較し PWM 制御信号を出力し , 定電流充電が行われます。
・ AC アダプタ電力制御時は , AC アダプタ出力電圧垂下時 , − INC1 端子電圧が＋ INC1 端子電圧 (VVREF) より低下分を電
流検出増幅器 (Current Amp1) で 25 倍に増幅し OUTC1 端子へ出力します。電流検出増幅器 (Current Amp1) の出力電圧を
誤差増幅器 (Error Amp1) で , ADJ1 端子電圧と比較し PWM 制御信号を出力し , AC アダプタ電力を一定に保つように充
電電流の制御を行います。
上記 3 つの充電状態を制御するために , 三角波発振器で発生した三角波電圧と誤差増幅器出力電圧 (Error Amp1, Error
Amp2, Error Amp3) のうち最も低い電位を比較し三角波電圧の方が低い期間にメイン側スイッチング FET をオンします。
また , AC Comp で AC アダプタの脱着を検出し , その情報を ACOK 端子より出力します。
DS04–27264–4
13
MB39A134
1. DC/DC コンバータ
(1) 基準電圧部 (REF)
基準電圧回路 (REF) は , VCC 端子 (21 端子 ) より供給される電圧により温度補償された安定な電圧 (5.0 V 標準 ) を発生
し , IC 内部回路の基準電源として使用します。
また , 基準電圧 VREF 端子 (6 端子 ) から負荷電流を最大 1 mA まで外部に取り出せます。
(2) 三角波発振器部 (OSC)
周波数設定用コンデンサを内蔵しており , RT 端子 (17 端子 ) に周波数設定抵抗を接続することにより三角波発振波形を
発生できます。三角波は , IC 内部の PWM コンパレータに入力されます。
三角波発振周波数 fosc
fosc (kHz) ≒ 17000 / RT (kΩ)
(3) 誤差増幅器部 (Error Amp1)
誤差増幅器 (Error Amp1) は , 電流検出増幅器 (Current Amp1) の出力信号を検出して PWM 制御信号を出力する増幅器で
す。
また , COMP1 端子への抵抗およびコンデンサの接続により , システムに対して安定した位相補償ができます。
(4) 誤差増幅器部 (Error Amp2)
誤差増幅器 (Error Amp2) は , 電流検出増幅器 (Current Amp2) の出力信号を検出し , 充電電流制御部出力と比較し PWM
制御信号を出力する増幅器で , 充電電流の制御を行います。
また , COMP2 端子への抵抗およびコンデンサの接続により , システムに対して安定した位相補償ができます。
(5) 誤差増幅器部 (Error Amp3)
誤差増幅器 (Error Amp3) は , DC/DC コンバータ出力電圧 ( 電池充電電圧 ) を検出し , VO REFIN Control 部出力と比較し
PWM 制御信号を出力する増幅器です。
ADJ3 端子 (16 端子 ) に外付け充電電圧設定抵抗を接続することにより , 2 Cell から 4 Cell まで任意の出力電圧を設定で
きます。
また , COMP3 端子への抵抗およびコンデンサの接続により , システムに対して安定した位相補償ができます。
(6) 電流検出増幅器部 (Current Amp1)
電流検出増幅器 (Current Amp1) は , +INC1 端子 (24 端子 ), -INC1 端子 (1 端子 ) の電圧差を 25 倍に増幅した信号を次段
の誤差増幅器 (Error Amp1) へ出力します。
(7) 電流検出増幅器部 (Current Amp2)
電流検出増幅器 (Current Amp2) は , 充電電流センス抵抗 (RS) の両端に発生する電圧降下を＋ INC2 端子 (13 端子 ), BATT
端子 (12 端子 ) で検出し , 25 倍に増幅した信号を次段の誤差増幅器 (Error Amp2) へ出力します。
(8) PWM 比較器部 (PWM Comp.)
PWM 比較器 (PWM Comp.) は , 誤差増幅器 (Error Amp1 ∼ Error Amp3) の出力電圧に応じて出力デューティをコントロー
ルする電圧−パルス幅変換器です。三角波発振器で発生した三角波電圧と誤差増幅器出力電圧を比較し , 三角波電圧が誤
差増幅器出力電圧より低い期間に外付けスイッチング MOSFET をオンさせます。
(9) 出力部 (OUT)
出力回路は , トーテムポール形式で構成されており , 外付け P-ch MOS FET を駆動できます。出力 “L” レベルは , バイア
ス電圧部 (VH) で発生した電圧を使用することで , 出力振幅を 6 V ( 標準 ) にします。これにより , 変換効率の UP と広い入
力電圧範囲でも外付け MOS FET の耐圧を低くおさえることができます。
14
DS04–27264–4
MB39A134
(10) 電源コントロール部 (CTL)
CTL 端子 (14 端子 ) を “L” レベルにすると , IC がスタンバイ状態となります。
スタンバイ状態では , AC アダプタ検出機
能のみ動作します ( スタンバイ時の電源電流値は 6 μA 標準 ) 。
CTL 機能表
CTL
Power
AC adapter detection
L
OFF ( スタンバイ )
ON ( 動作状態 )
H
ON ( 動作状態 )
ON ( 動作状態 )
(11) バイアス電圧部 (VH)
出力回路の最低電位として VVCC − 6 V ( 標準 ) を出力します。スタンバイ時は VVCC と同電位を出力します。
2. 保護機能
(1) 低電圧時誤動作防止回路部 (UVLO)
電源 (VCC 端子 ) 投入時の過渡状態や電源電圧 , あるいは内部基準電圧 (VREF 端子 ) の瞬時低下時 , コントロール IC が
誤動作し , システムの破壊 , 劣化が生じる可能性があります。このような誤動作を防止するために , 低電圧時誤動作防止回
路は電源電圧 , あるいは内部基準電圧の低下を検出し , OUT 端子 (20 端子 ) を “H” レベルに固定します。電源電圧および内
部基準電圧が低電圧時誤動作防止回路のスレッショルド電圧以上になればシステムは復帰します。
保護回路 (UVLO) 動作時機能表
UVLO 動作時 (VCC または VREF 電圧が UVLO スレッショルド電圧以下 )
端子名
OUT
状態
H
(2) 過熱検出
IC を熱破壊から保護するための回路です。接合部温度が＋ 150 °C に達すると OUT 端子を “H” レベルにし , 電圧出力を停
止させます。
また , 接合部温度が＋ 125 °C まで下がると再び出力を開始させます。
なお , 過熱保護動作が発生しないよう DC/DC 電源システム設計を行い , 本 IC の絶対最大定格を超えないようにしてく
ださい。
DS04–27264–4
15
MB39A134
3. 検出機能
AC アダプタ電圧検出部 (AC Comp.)
AC アダプタ電圧検出部 (AC Comp.) は ACIN 端子電圧が 1.25 V ( 標準 ) 以下になったことを検出して , AC アダプタ電圧
検出部の ACOK 端子を Hi-Z にします。また , IC 電源は VCC 端子と VIN 端子のいずれか電圧の高い方より供給されてお
ります。
ACIN
ACOK
H
L
L
Hi-Z
R1
マイクロ
コントローラ
AC アダプタ
7
R2
ACIN
5
ACOK
<AC Comp.>
+
−
AC アダプタ検出電圧設定
VIN ＝ Low to High
Vth ＝ (R1 ＋ R2) / R2 × 1.27 V
VIN ＝ High to Low
Vth ＝ (R1 ＋ R2) / R2 × 1.25 V
4. 充電電圧の設定方法
ADJ3 端子 (16 端子 ) に入力される電圧と CELLS 端子 (11 端子 ) に入力される電圧とで充電電圧 (DC/DC 出力電圧 ) を
設定できます。ADJ3 端子 (16 端子 ) に外付け抵抗を接続すれば電池 1 本あたりの充電電圧を任意に設定でき , VREF レベ
ルあるいは GND レベルの電圧を入力すればあらかじめ設定された内部高精度基準電圧を利用できます。
CELLS 端子 (11
端子 ) は , VREF レベル , GND レベルの電圧を入力するか , 端子を OPEN にすることで電池の直列数を設定できます。
ADJ3 端子 (16 端子 ) と CELLS 端子 (11 端子 ) と充電電圧 (DC/DC コンバータ出力電圧 ) には以下の関係があります。
ADJ3 端子入力電圧
VREF 端子
(ADJ3 ≧ 4.6 V)
GND 端子
(ADJ3 ≦ 0.2 V)
外部より電圧設定
(ADJ3 ＝ 0.4 V ∼ 4.4 V)
16
CELLS 端子
充電電圧
備考
OPEN
8.4 V
2 Cell × 4.20 V/Cell
GND
12.6 V
3 Cell × 4.20 V/Cell
VREF
16.8 V
4 Cell × 4.20 V/Cell
OPEN
8.2 V
2 Cell × 4.10 V/Cell
GND
12.3 V
3 Cell × 4.10 V/Cell
VREF
16.4 V
4 Cell × 4.10 V/Cell
OPEN
4 × ADJ3 端子電圧
2 Cell × 2 × ADJ3 端子電圧 /Cell
GND
6 × ADJ3 端子電圧
3 Cell × 2 × ADJ3 端子電圧 /Cell
VREF
8 × ADJ3 端子電圧
4 Cell × 2 × ADJ3 端子電圧 /Cell
DS04–27264–4
MB39A134
・ADJ3 端子 内部回路
ADJ3
VA
VA
16
+
2.1 V
比較器 _A
Error Amp3 へ
セレクタ
2.05 V
−
4.5 V
LOGIC
比較器 _B
+
−
0.3 V
5. 充電電流の設定方法
誤差増幅器 (Error Amp2) は , ADJ2 端子 (9 端子 ) 電圧によって設定された充電電流制御部出力電圧と電流検出増幅器
(Current Amp2) 出力を比較し , PWM 制御信号を出力します。増幅器 ADJ2 端子 (9 端子 ) 電圧値により , 電池への充電電流
の上限値が設定され , 設定された電流値を上回る電流が流れようとした場合 , その設定電流値で定電流充電が行われ , 充
電電圧は垂下します。
電池の充電電流設定用電圧：ADJ2
充電電流制御部出力電圧− 0.075
充電電流上限値 Io ＝
ADJ2 端子入力電圧
電流検出増幅器部電圧利得 (25 V/V 標準 ) ×センス抵抗 RS (Ω)
充電電流
充電電流制御部
出力電圧
RS ＝ 40 mΩ
RS ＝ 20 mΩ
RS ＝ 15 mΩ
1.5 V
1.425 A
2.85 A
3.79 A
VADJ2
(V)
VADJ2 − 0.075
(A)
2 × (VADJ2 − 0.075)
(A)
2.66 × (VADJ2 − 0.075)
(A)
VREF
(ADJ2 ＞ 4.6 V)
外部より電圧設定
(ADJ2 ＝ GND ∼ 4.4 V)
・ADJ2 端子 内部回路
ADJ2
Error Amp2 へ
9
1.5 V
セレクタ
比較器 _C
+
−
4.5 V
DS04–27264–4
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MB39A134
・充電電流設定例 (RS ＝ 40 mΩ)
IO
4.4 V
0V
4.41 V
4.325 A
1.425 A
ADJ2 ＝ 0 V ∼ 4.4 V 時は外部設定
VADJ2
4.59 V
VVREF
ADJ2 ＝ 4.6 V ∼ VREF 時は内部基準電圧設定
Io (mA)
600
500
400
RS = 40 mΩ,
+INC1 = 3 V ~ VCC
300
200
Error (MB39A134) < ±25 mA
100
VADJ2 (mV)
100
200
300
400
500
600
最大 ADJ2 < 100 mV 設定時に Io = 0 mA
標準 ADJ2 = 75 mV 設定時に Io = 0 mA
最小 ADJ2 > 50 mV 設定時に Io = 0 mA
VADJ2 = 0 V 設定時に Io = 0 mA
18
DS04–27264–4
MB39A134
6. 動的制御充電について
下図のように接続することにより , AC アダプタ電圧 (VIN) が垂下し , 算出された Vth になると動的制御充電
(Dynamically − controlled charging) モードとなり AC アダプタの電力を一定に保つように充電電流が制御されます。
動的制御充電モード AC アダプタ電圧：
1
Vth ＝ VREF × (1 −
R4
AV
×
R3 ＋ R4
)×
R1 ＋ R2
R2
VREF ＝基準電圧 (5.0 V 標準 ) , AV ＝電流検出増幅器部 電圧利得 (25.0 標準 )
VIN
VREF (5 V)
<Current Amp1>
+INC1
R1
24
+
1
−
−INC1
R2
<Error Amp1>
−
+
R3
ADJ1
3
R4
DS04–27264–4
19
MB39A134
■ 負荷急変時過渡応答
定電圧制御ループと定電流制御ループは独立しており , 負荷急変時は , これら 2 つの制御ループが切り換わります。
バッテリ電圧および電流のオーバシュートは , モード切換り時の制御ループの遅延により発生します。
遅延時間は位相補償定数により決まります。
バッテリを外した場合に , 定電流制御から定電圧制御へ切り換わるとき , 設定充電電圧より高 Duty で制御される期間が
発生し電圧がオーバシュートします。バッテリが外された場合なのでバッテリに過大な電圧が印加されることはありませ
ん。
バッテリを接続した場合には , 定電圧制御から定電流制御へ切り換わるときに , 充電電流設定より高 Duty で制御される
期間が発生し電流がオーバシュートします。MB39A134 では , 10 ms 以下の電流オーバシュートは電流オーバシュートとみ
なされませんのでご注意ください。
Error Amp3 出力
Error Amp2 出力
Error Amp2 出力
Error Amp3 出力
定電流
低電圧
定電流
電池電圧
電池電流
充電制御が , 定電流制御から定
電圧制御へ切り換わるとき , 設
定充電電圧より高 Duty で制御
される期間が発生し電圧オー
バシュートする。
MB39A134 では , 10 ms 以下
の場合の電流オーバシュート
とみなしません。
10 ms
20
DS04–27264–4
MB39A134
■ Current Amp1, Current Amp2およびError Amp1, Error Amp2を使用しない場合の処理方法
Current Amp1, Current Amp2 および Error Amp1, Error Amp2 を使用しない場合は以下のように接続してください。
・ +INC1 端子 (24 端子 ), -INC1 端子 (1 端子 ), ADJ1 端子 (3 端子 ), ADJ2 端子 (9 端子 ) を VREF 端子に接続
・ +INC2 端子 (13 端子 ) を BATT 端子 (12 端子 ) に接続
・ OUTC1 (2 端子 ) 端子 , OUTC2 (10 端子 ) 端子を開放
DS04–27264–4
24
+INC1
+INC2
13
1
-INC1
BATT
12
”開放”
2
OUTC1
”開放”
10
OUTC2
6
VREF
3
ADJ1
9
ADJ2
”開放”
4
COMP1
”開放”
8
COMP2
21
MB39A134
■ 入出力端子等価回路図
≪基準電圧部≫
≪コントロール部≫
VCC 21
CTL 14
ESD 保護素子
6
VREF
33.1 kΩ
37.27 kΩ
51 kΩ
12.10 kΩ
GND 23
GND 23
≪三角波発振器部≫
≪誤差増幅器部 (Error Amp1) ≫
VREF 6
VREF 6
4 COMP1
OUTC1 2
17 RT
GND 23
GND 23
3 ADJ1
≪誤差増幅器部 (Error Amp2) ≫
≪誤差増幅器部 (Error Amp3) ≫
VREF 6
VREF 6
8 COMP2
OUTC2 10
15 COMP3
-INE3
GND 23
GND 23
+INE2
+INE3
≪電流検出増幅器部 (Current Amp1) ≫
≪電流検出増幅器部 (Current Amp2) ≫
VCC 21
VCC 21
VREF 6
VREF 6
+INC2 13
+INC1 24
2 OUTC1
10 OUTC2
40 kΩ
40 kΩ
7.7 kΩ
10 kΩ
GND 23
10 kΩ
GND 23
1 -INC1
12 BATT
（続く）
22
DS04–27264–4
MB39A134
≪ PWM 比較器部≫
VREF
≪出力部≫
6
VCC 21
COMP1 4
20 OUT
CT
COMP2 8
COMP3 15
VH 19
GND 23
GND 23
≪ AC アダプタ検出部≫
VCC 21
VIN 18
ACIN
5 ACOK
7
GND 23
≪バイアス電圧部≫
≪充電電圧設定部≫
VREF
VCC 21
6
SELECTER
100 kΩ
ADJ3 16
19 VH
+INE3
4.5V
0.3V
GND 23
GND 23
（続く）
DS04–27264–4
23
MB39A134
（続き）
≪充電電流設定部≫
VREF
6
SELECTER
+INE2
9
ADJ2
4.5 V
GND
23
≪ Cell 切換え部≫
BATT 12
VREF
6
1 MΩ
CELLS 11
-INE3
1 MΩ
GND
GND 23
24
DS04–27264–4
MB39A134
■ 応用回路例
Q3
TPCA8102
VSYS
R26 47 kΩ
TPCA8102
Q2A
VIN
GND
R20
6.2 kΩ
R21
91 kΩ
R22
10 kΩ
TPCA8102
Q2B
Q1-2 *2
Wire short
R1
L1
Q1-1
μPA2714GR
C1
10 μF
C15
R23
0.22
200 kΩ μF
R25 *1
C17 *2
15 μH
CDRH104R-150
Vo
20 mΩ
D1
MBRA340T3
R24
100 kΩ
R27
10 kΩ
DTr2 *2
R2
C2
C3
22 μF
*2
DTr1
DTC144EET1G
R48 *2
GND
ACOK
ACOFF
R34 *2
R47
100 kΩ
R30 *1
R28 *1
SW1-1
CTL
C19 *2
R4
1 kΩ
C4
0.022 μF
R43
11 kΩ
R44
240 kΩ
R45
100 kΩ
C5 *2
+INC2
14
CTL
CELLS 11
15
COMP3
OUTC2 10
16
ADJ3
17
RT
18
VIN
19
VH
20
OUT
ACOK
5
21
VCC
COMP1
4
22
CVM
ADJ1
3
23
GND
OUTC1
2
24
+INC1
−INC1
1
R35 *1
R5
56 kΩ
C21
0.1 μF
R32 *1
R6
C6
0.1 μF *1
C7
0.1 μF
CVM
R8
cut
SGND
13
R11 R7
cut 100 kΩ
R46
0Ω
ADJ2
9
COMP2
8
ACIN
7
VREF
6
MB39A134
C8
*2
+INC1
5V
Place R12 ＝ 0 Ω for output 4.2 V/Cell.
Place R13 ＝ 0 Ω for output 4.1 V/Cell.
BATT 12
−INC1
18 V
C20 *2
CELLS
OUTC2
R9
10 kΩ
ADJ2
C9
0.001 μF
C10 *2
VREF
R10
10 kΩ
C11
0.1 μF
C12
0.001 μF
C13 *2
OUTC1
C14
*2
R12
*1
R14
100 kΩ
R13
*2
R15
10 kΩ
R16
100 kΩ
SW1-2
R17
*2
R18
0Ω
R19
*2
SW1-2
IO
2.85 A
off
*1 Patterm short
*2 Not mounted
Place R18 ＝ 0 Ω for 4 Cell operation.
Place R19 ＝ 0 Ω for 3 Cell operation.
Open R18 & R19 for 2 Cell operation.
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25
MB39A134
・部品表
記号
項目
条件
ベンダ
パッケージ
型格
M1
IC
MB39A134
FSL
TSSOP-24
⎯
Q1-1
P-ch FET
VDS ＝− 20 V,
ID ＝ 7 A (Max)
RENESAS
SOP-8
μPA2714GR
Q1-2
P-ch FET
⎯
⎯
⎯
⎯
Q2A
P-ch FET
VDS ＝− 30 V,
ID ＝ 40 A (Max)
TOSHIBA
SOP Advance
TPCA8102
Q2B
P-ch FET
VDS ＝− 30 V,
ID ＝ 40 A (Max)
TOSHIBA
SOP Advance
TPCA8102
Q3
P-ch FET
VDS ＝− 30 V,
ID ＝ 40 A (Max)
TOSHIBA
SOP Advance
TPCA8102
DTr1
Transistor
VCEO ＝ 50 V
ON Semi
SC-75
DTC144EET1G
DTr2
Transistor
⎯
⎯
⎯
⎯
D1
Diode
VF ＝ 0.45 V (Max)
at IF ＝ 3 A
ON Semi
RMDS
MBRA340T3
L1
Inductor
SUMIDA
SMD
CDRH104R-150
C1
Ceramic Capacitor
10 μF (25 V)
TDK
3225
C3225X5R1E106K
C2
Ceramic Capacitor
22 μF (25 V)
TDK
3225
C3225JC1E226M
C3
Ceramic Capacitor
⎯
⎯
⎯
⎯
C4
Ceramic Capacitor
0.022 μF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H223K
C5
Ceramic Capacitor
⎯
⎯
⎯
⎯
C6
Ceramic Capacitor
0.1 μF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H104K
C7
Ceramic Capacitor
0.1 μF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H104K
C8
Ceramic Capacitor
⎯
⎯
⎯
⎯
C9
Ceramic Capacitor
0.001 μF (50 V)
TDK
1608
C1608CH1H102J
C10
Ceramic Capacitor
⎯
⎯
⎯
⎯
C11
Ceramic Capacitor
0.1 μF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H104K
C12
Ceramic Capacitor
0.001 μF (50 V)
TDK
1608
C1608CH1H102J
C13
Ceramic Capacitor
⎯
⎯
⎯
⎯
Not mounted
C14
Ceramic Capacitor
⎯
⎯
⎯
⎯
Not mounted
C15
Ceramic Capacitor
0.22 μF (25 V)
TDK
1608
C1608JB1E224K
C17
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
Not mounted
C19
Ceramic Capacitor
⎯
⎯
⎯
⎯
Not mounted
C20
Ceramic Capacitor
⎯
⎯
⎯
⎯
Not mounted
C21
Ceramic Condenser
0.1 μF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H104K
R1
Resistor
0Ω
Mac-Eight
SMD
MJP-0.2
R2
Resistor
20 mΩ
KOA
SL1
SL1TTE20L0D
R4
Resistor
1 kΩ
SSM
1608
RR0816P102D
R5
Resistor
56 kΩ
SSM
1608
RR0816P563D
R6
Resistor
⎯
⎯
⎯
⎯
R7
Resistor
100 kΩ
SSM
1608
RR0816P104D
15 μH 50 mW
Irms ＝ 3.1 A
備考
Not mounted
Not mounted
Not mounted
Not mounted
Not mounted
Not mounted
Wire short
Pattern short
（続く）
26
DS04–27264–4
MB39A134
（続き）
記号
項目
条件
ベンダ
パッケージ
型格
備考
R8
Resistor
⎯
⎯
⎯
⎯
Pattern cut
R9
Resistor
10 kΩ
SSM
1608
RR0816P103D
R10
Resistor
10 kΩ
SSM
1608
RR0816P103D
R11
Resistor
⎯
⎯
⎯
⎯
Pattern cut
R12
Resistor
⎯
⎯
⎯
⎯
Pattern short
R13
Resistor
⎯
⎯
⎯
⎯
Not mounted
R14
Resistor
100 kΩ
SSM
1608
RR0816P104D
R15
Resistor
10 kΩ
SSM
1608
RR0816P103D
R16
Resistor
100 kΩ
SSM
1608
RR0816P104D
R17
Resistor
⎯
⎯
⎯
⎯
R18
Resistor
0Ω
KOA
1608
RK73Z1J
R19
Resistor
⎯
⎯
⎯
⎯
R20
Resistor
6.2 kΩ
SSM
1608
RR0816P622D
R21
Resistor
91 kΩ
SSM
1608
RR0816P913D
R22
Resistor
10 kΩ
SSM
1608
RR0816P103D
R23
Resistor
200 kΩ
SSM
1608
RR0816P204D
R24
Resistor
100 kΩ
SSM
1608
RR0816P104D
R25
Resistor
⎯
⎯
⎯
⎯
R26
Resistor
47 kΩ
SSM
1608
RR0816P473D
R27
Resistor
10 kΩ
SSM
1608
RR0816P103D
R28
Resistor
⎯
⎯
⎯
⎯
Pattern short
R30
Resistor
⎯
⎯
⎯
⎯
Pattern short
R32
Resistor
⎯
⎯
⎯
⎯
Pattern short
R34
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
Not mounted
R35
Resistor
⎯
⎯
⎯
⎯
Pattern short
R43
Resistor
11 kΩ
SSM
1608
RR0816P113D
R44
Resistor
240 kΩ
SSM
1608
RR0816P244D
R45
Resistor
100 kΩ
SSM
1608
RR0816P104D
R46
Resistor
0Ω
KOA
1608
RK73Z1J
R47
Resistor
100 kΩ
SSM
1608
RR0816P104D
R48
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
SW1
DIP SW
SW
MATSUKYU
SMD
DMS-2H
PIN
Wiring Terminal
WT-2-1
Mac-Eight
⎯
WT-2-1
Not mounted
Not mounted
Pattern short
Not mounted
11-pin
（注意事項）上記は推奨部品です。これらは当社で正常に動作することを確認した部品です。
FSL
RENESAS
TOSHIBA
ON Semi
SUMIDA
TDK
Mac-Eight
KOA
SSM
MATSUKYU
: 富士通セミコンダクター株式会社
: ルネサス エレクトロニクス株式会社
: 株式会社東芝
: ON Semiconductor
: スミダコーポレーション株式会社
: TDK 株式会社
: 株式会社マックエイト
: KOA 株式会社
: 進工業株式会社
: 松久株式会社
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27
MB39A134
■ アプリケーションノート
・インダクタの選択
インダクタンス値は , おおまかな目安として , インダクタのリップル電流ピークピーク値が最大充電電流の 50％以下と
なるような値を選択してください。この場合のインダクタンス値は下記式により求められます。
VIN − VO
L≧
LOR × IOMAX
VO
×
VIN × fOSC
：インダクタンス値 [H]
L
IOMAX ：最大充電電流 [A]
LOR ：インダクタのリップル電流ピークピーク値−最大充電電流比 (0.5)
VIN
：スイッチング電源電圧 [V]
VO
：充電電圧 [V]
fosc
：スイッチング周波数 [Hz]
インダクタ電流が逆流しない最小の充電電流値 ( 臨界電流値 ) は下記式により求められます。
VO
IOC ＝
IOC
L
VIN
VO
fosc
2×L
×
VIN − VO
VIN × fOSC
：臨界電流値 [A]
：インダクタンス値 [H]
：スイッチング電源電圧 [V]
：充電電圧 [V]
：スイッチング周波数 [Hz]
インダクタに流れる電流が定格値以内であるかを判断するためにインダクタに流れる最大電流値を求める必要があり
ます。インダクタの最大電流値は下記式により求められます。
ILMAX ≧ IOMAX ＋
ΔIL
2
ILMAX ：インダクタの最大電流値 [A]
IOMAX ：最大充電電流 [A]
ΔIL ：インダクタのリップル電流ピークピーク値 [A]
ΔIL ≧
VIN − VO
L
VO
×
VIN × fOSC
インダクタ電流
ILMAX
IOMAX
負荷電流に応じて変動
IOC
ΔIL
時間
0
28
DS04–27264–4
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・スイッチング FET の選択
ノートブック PC 用の充電器に使用される場合 , 入力電圧である AC アダプタの出力電圧は 25 V 以内であるため , 一般
的にスイッチング FET は 30 V クラスの MOSFET が使用可能です。
スイッチング FET に流れる電流が定格値以内であるかを判断するためにスイッチング FET に流れる最大電流値を求め
てください。スイッチング FET の最大電流値は下記式により求められます。
IDMAX ≧ IOMAX ＋
ΔIL
2
IDMAX ：スイッチング FET ドレイン最大電流値 [A]
IOMAX ：最大充電電流 [A]
ΔIL ：インダクタのリップル電流ピークピーク値 [A]
またスイッチング FET の許容損失が定格値以内であるかを判断するためにスイッチング FET の損失を求める必要があ
ります。スイッチング FET の損失を極力減らすためには , 導通損失とスイッチング損失が同等になることを目安にスイッ
チング FET を選定してください。
スイッチング FET の導通損失は下記式により求められます。
VO
PRon ＝
PRon
IO
VIN
VO
Ron
VIN
× IO2 × Ron
：スイッチング FET 導通損失 [W]
：充電電流 [A]
：スイッチング電源電圧 [V]
：充電電圧 [V]
：スイッチング FET オン抵抗 [Ω]
スイッチング FET のスイッチング損失は簡略的に下記式により求められます。
1
PSW ＝
2
1
× VIN × ILMIN × fosc × Tr ＋
2
× VIN × ILMAX × fosc × Tf
PSW ：スイッチング FET スイッチング損失 [W]
ILMIN ＝ IOMAX − ΔIL / 2：インダクタ電流の下側値 [A]
ILMAX ＝ IOMAX ＋ ΔIL / 2：インダクタ電流の上側値 [A]
VIN ：スイッチング電源電圧 [V]
fosc ：スイッチング周波数 [Hz]
Tr
：スイッチング FET ターンオン時間 [s]
Tf
：スイッチング FET ターンオフ時間 [s]
DS04–27264–4
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MB39A134
・フライバックダイオードの選択
極力順方向電圧の小さなショットキーバリアダイオード ( フライバックダイオード ) を選定してください。
フライバックダイオードに流れる電流が定格値以内であるかを判断するためにフライバックダイオードに流れるピー
ク電流値を求める必要があります。フライバックダイオードの最大電流値は下記式により求められます。
If ≧ IOMAX ＋
ΔIL
2
If
：順方向電流 [A]
IOMAX ：最大充電電流 [A]
ΔIL ：インダクタのリップル電流ピークピーク値 [A]
またフライバックダイオードの許容損失が定格値以内であるかを判断するためにフライバックダイオードの損失を求
める必要があります。フライバックダイオードの損失は下記式により求められます。
VO
PSBD ＝ IOMAX × (1 −
PSBD
IOMAX
VIN
VO
Vf
VIN
) × Vf
：フライバックダイオード損失 [W]
：最大充電電流 [A]
：スイッチング電源電圧 [V]
：充電電圧 [V]
：順方向電圧 [V]
・出力コンデンサの選択
ESR が大きい場合 , 出力リップル電圧は大きくなりますので , 出力リップル電圧を小さくするには低 ESR のコンデンサ
を使用する必要があります。また, バッテリ脱着時に発生するサージ電流に対し, 十分な耐量のあるコンデンサを使用して
ください。一般的に出力コンデンサにはセラミックコンデンサが使用されます。
スイッチングリップル電圧を考慮した最低必要なコンデンサ値は下記式から求められます。
1
Co ≧
2π × fosc × (
Co
ESR
ΔVO
ΔIL
fosc
ΔVO
ΔIL
− ESR)
：出力コンデンサ値 [F]
：出力コンデンサの直列抵抗成分 [Ω]
：スイッチングリップル電圧 [V]
：インダクタのリップル電流ピークピーク値 [A]
：スイッチング周波数 [Hz]
充電中のバッテリが脱する時に DC/DC コンバータ出力電圧にオーバシュートが発生するので , 十分な耐圧余裕を確保
してください。一般的に最大入力電圧以上の耐圧定格のコンデンサが使用されます。
また , 許容リップル電流は十分に余裕のあるものを使用してください。必要許容リップル電流は下記式から求められま
す。
Irms ≧
Irms
ΔIL
30
ΔIL
2√3
：許容リップル電流 ( 実効値 ) [A] ：インダクタのリップル電流ピークピーク値 [A]
DS04–27264–4
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・入力コンデンサの選択
入力コンデンサは極力 ESR が小さいものを選定してください。セラミックコンデンサが理想です。セラミックコンデン
サでは対応できない大容量コンデンサの採用が必要な場合は ESR の低い高分子コンデンサやタンタルコンデンサを使用
してください。
電源電圧にはDC/DCコンバータのスイッチング動作によるリップル電圧が発生します。許容可能なリップル電圧を超え
ないように , 入力コンデンサの下限値を求めてください。
電源のリップル電圧は簡易的に下記式より求められます。
ΔVIN ＝
IOMAX
CIN
VO
×
VIN × fOSC
＋ ESR × (IOMAX ＋
ΔIL
2
)
ΔVIN ：スイッチング電源リップル電圧ピークピーク値 [V]
IOMAX
CIN
VIN
VO
fOSC
ESR
ΔIL
：充電電流最大値 [A]
：入力コンデンサ値 [F]
：スイッチング電源電圧 [V]
：充電電圧 [V]
：スイッチング周波数 [Hz]
：入力コンデンサの直列抵抗成分 [Ω]
：インダクタのリップル電流ピークピーク値 [A]
電源のリップル電圧を減少するには , コンデンサ以外に発振周波数を上げるなどでも対応可能です。
コンデンサは周波数特性 , 温度特性 , バイアス電圧特性などを有しており , 使用条件により実効値が極端に小さくなる
ことがあります。使用条件での実効値にご注意ください。
コンデンサの定格は入力電圧に対して十分マージンのある耐圧のものを選定してください。
また , 許容リップル電流の定格があるものは十分に余裕のあるものを使用してください。
許容リップル電流は下記式から求められます。
Irms ≧ IOMAX ×
Irms
IOMAX
VIN
VO
√ VO × (VIN − VO)
VIN
：許容リップル電流 ( 実効値 ) [A]
：充電電流最大値 [A]
：スイッチング電源電圧 [V]
：充電電圧 [V]
DS04–27264–4
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MB39A134
・位相補償回路の設計
(1) 定電圧 (CV) モード位相補償回路
エラーアンプ 3 (gm アンプ ) の出力端子 (COMP3) に 1pole-1zero の位相補償回路を接続するのが一般的です。出力コンデ
ンサにセラミックコンデンサなど , 低 ESR のコンデンサを使用する場合 , LC の共振周波数による位相遅れが＋ 180° に近
づき発振しやすくなります。この場合 , COMP3 端子に RC 進相回路を追加して位相補償を行ってください。
1pole-1zero 位相補償回路
VO
12
BATT
R1
−
COMP3
PWM Comp. へ
15
+
R2
Error Amp3
Vrefint1
Rc
Cc
目安として進相回路 Rc (Ω) , Cc (F) は下記式から求められます。
√
IO
RC ≒
CC ≒
IO
VIN
L
Co
VO
190 × 10
−6
× VIN
×
L
Co
√ L × Co
RC
：充電電流 [A]
：スイッチング電源電圧 [V]
：インダクタのインダクタンス値 [H]
：出力コンデンサ値 [F]
：充電電圧 [V]
また , このときのクロスオーバー周波数 fco [Hz] は下記式から求められます。
VIN
fCO ≒ 1 × 10 − 5 ×
32
VO × CC
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(2) 定電流 (CC) モード位相補償回路
定電流モードでは出力コンデンサインピーダンスのループ応答特性への影響は少ないため , エラーアンプ 2 (gm アン
プ ) の出力端子 (COMP2) に 1pole-1zero の位相補償回路を接続してください。
1pole-1zero 位相補償回路
BATT
Current Amp2
12
−
−
Rs
13
+
COMP2
+
+INC2
Error
Amp2
PWM
Comp. へ
Rc
Vrefint2
Cc
目安として進相回路 Rc (Ω) , Cc (F) は下記式から求められます。
RC ≒ 1.2 × 104 ×
CC ≒
Rs
VIN
L
Co
fCO
fCO × L
Rs × VIN
√ L × Co
RC
：充電電流検出抵抗値 [Ω]
：スイッチング電源電圧 [V]
：インダクタンス値 [H]
：出力容量値 [F]
：クロスオーバー周波数 [Hz]
DS04–27264–4
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MB39A134
・許容損失・熱設計について
本 IC は高効率のためほとんどの場合検討は不要ですが , 高電源電圧 , 高スイッチング周波数 , 高負荷 , 高温での使用で
は検討の必要があります。
IC 内部損失 (PIC) は下記式により求められます。
PIC ＝ VCC × (ICC ＋ Qg × fOSC)
PIC
VCC
ICC
Qg
fOSC
：IC 内部損失 [W]
：電源電圧 (VIN) [V]
：電源電流 [A] (4.0 mA Max)
：全スイッチング FET 総電荷量 [C] (Vgs ＝ 6 V での合計 )
：スイッチング周波数 [Hz]
接合部温度 (Tj) は下記式により求められます。
Tj ＝ Ta ＋ θja × PIC
Tj
Ta
θja
PIC
34
：接合部温度 [ °C]
：周囲温度 [ °C]
：TSSOP-24 パッケージ熱抵抗 (78 °C/W)
：IC 内部損失 [W]
DS04–27264–4
MB39A134
・ 基板レイアウトについて
下記の点に配慮し , レイアウト設計を行ってください。
- IC 搭載面には極力 GND のプレーンを設けてください。制御系 GND には大電流のパスが通らないよう , PGND と 1 点
で接続してください。
- 入力コンデンサ (CIN) , スイッチング FET, フライバックダイオード , インダクタ (L) , センス抵抗 (Rs) , 出力コンデン
サ (Co) の接続は極力表層で行い , スルーホールを介しての接続を避けてください。
- 入力コンデンサ (CIN) , スイッチング FET, フライバックダイオードで構成されるループには最も気を使い電流ループ
が極力小さくなるよう配慮してください。
- 入力コンデンサ (CIN) , フライバックダイオード , 出力コンデンサ (Co) の GND 端子は直近にスルーホールを設け内
層の GND へ接続してください。
- スイッチング FET のゲートへ接続する OUT 端子のネットは瞬間的に大きな電流が流れます。0.8 mm 程度の配線幅で
極力短く配線してください。
- VCC, VIN, VREF, VH 端子に接続するバイパスコンデンサおよび RT 端子に接続する fosc 設定抵抗は極力端子に近づ
けて配置してください。
また VCC, VIN, VREF バイパスコンデンサおよび fosc 設定抵抗の GND 端子は IC の GND 端子直近になるよう接続
してください。
(IC の GND 端子とパスコン , fosc 設定抵抗の GND 端子直近にスルーホールを設け内層 GND との接続を強化してく
ださい )
- -INC1, +INCx , BATT, COMPx, RT 端子のネットはノイズに敏感なため極力短く配線し , スイッチング部品から極力遠
ざけてください。
- +INC2, BATT のリモートセンシング ( ケルビン接続 ) のネットは非常にノイズに敏感なため , お互いを近づけて配線
し , スイッチング部品から極力遠ざけてください。
GND 配線例
スイッチング部品配置例
スイッチング FET
表層
VIN
CIN
PGND
フライバック
ダイオード
PGND
PGND
VCC
Co
内層
VIN
L
Rs
VO
内層
+INC2 へ
GND
BATT へ
VH
RT
フィードバック線
VREF
GND
GND と PGND を一点で接続
スルーホール
表層
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■ 参考データ
特別な説明がある場合以外は , 測定条件は VIN ＝ 19 V, IO ＝ 2.85 A, Li+ 電池 4Cell, Ta ＝＋ 25 °C です。
変換効率 - 充電電流
( 定電流モード )
充電電圧 - 充電電流
20
100
18
4 Cell
98
94
3 Cell
充電電圧 Vo (V)
変換効率 η (%)
4 Cell
16
96
92
90
2 Cell
88
86
84
14
3 Cell
12
10
2 Cell
8
6
SW1-2 = OFF
4
82
2
80
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
充電電流 Io (A)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
充電電流 Io (A)
変換効率 - 充電電圧
( 定電流モード )
100
95
90
変換効率 η (%)
85
80
75
70
65
60
55
50
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
充電電圧 Vo (V)
スイッチング波形
( 定電圧モード )
スイッチング波形
( 定電流モード )
VOUT
(V)
VOUT
(V)
15
VOUT
VLX
(V)
20
IO = 1.5 A
VLX
15
10
5
VLX
(V)
20
0
15
10
10
5
5
0
0
1 μs/div
15
VOUT
10
VO = 10 V
5
VLX
0
1 μs/div
（続く）
36
DS04–27264–4
MB39A134
（続き）
Start and stop waveform
( 定電圧モード )
VO
(V)
15
Start and stop waveform
( 定電流モード )
VO
(V)
15
VO
VO
10
10
5
5
VCTL
(V)
5
0
IO(A)
2
IO
0
VCTL
IO(A)
2
VCTL
(V)
5
IO
VCTL
0
20 ms/div
Load-step operation waveform
( 定電圧モード )
Battery insertion
0
4 ms/div
Load-step operation waveform
( 定電圧モード )
Battery removal
VO
(V)
20
VO
(V)
20
18
18
VO
16
VO
16
CV to C V
CV to CV
14
14
IO(A)
1
IO
0
0
20 ms/div
20 ms/div
Load-step operation waveform
( 定電流モード )
Battery insertion
Load-step operation waveform
( 定電流モード )
Battery removal
VO
(V)
20
VO
(V)
20
18
18
VO
16
14
IO(A)
1
IO
IO(A)
IO
3
2
CV to CC
VO
16
14
IO(A)
IO
3
CC to CV
1
1
0
20 ms/div
DS04–27264–4
2
0
20 ms/div
37
MB39A134
■ 使用上の注意
1. 絶対最大定格以上の条件に設定しないでください。
最大定格を超えて使用した場合 , LSI の永久破壊となることがあります。
また , 通常動作では , 推奨動作条件下で使用することが望ましく , この条件を超えて使用すると LSI の信頼性に悪影響
をおよぼすことがあります。
2. 推奨動作条件でご使用ください。
推奨動作条件は , LSI の正常な動作を保証する推奨値です。
電気的特性の規格値は , 推奨動作条件範囲内および各項目条件欄の条件下において保証されます。
3. プリント基板のアースラインは , 共通インピーダンスを考慮し設計してください。
4. 静電気対策を行ってください。
・ 半導体を入れる容器は , 静電気対策を施した容器か , 導電性の容器をご使用ください。
・ 実装後のプリント基板を保管運搬する場合は , 導電性の袋か , 容器に収納してください。
・ 作業台 , 工具 , 測定機器は , アースを取ってください。
・ 作業する人は , 人体とアースの間に 250 kΩ ∼ 1 MΩ の抵抗を直列に入れたアースをしてください。
5. 負電圧を印加しないでください。
− 0.3 V 以下の負電圧を印加した場合 , LSI の寄生トランジスタが動作し誤動作を起こすことがあります。
38
DS04–27264–4
MB39A134
■ オーダ型格
型格
MB39A134PFT
パッケージ
備考
プラスチック・TSSOP, 24 ピン
(FPT-24P-M09)
鉛フリー品
EV ボード版数
備考
MB39A134EVB-01 Rev1.0
TSSOP-24
■ 評価ボードオーダ型格
型格
MB39A134EVB-01
DS04–27264–4
39
MB39A134
■ RoHS 指令に対応した品質管理 ( 鉛フリー品の場合 )
富士通セミコンダクターの LSI 製品は , RoHS 指令に対応し , 鉛・カドミウム・水銀・六価クロムと , 特定臭素系難燃剤 PBB
と PBDE の基準を遵守しています。
この基準に適合している製品は , 型格に “E1” を付加して表します。
■ 製品捺印 ( 鉛フリーの場合 )
XXXX
XXX
INDEX
鉛フリー表示
■ 製品ラベル ( 鉛フリー品の例 )
鉛フリー表示
JEITA 規格
MB123456P - 789 - GE1
(3N) 1MB123456P-789-GE1
1000
(3N)2 1561190005 107210
JEDEC 規格
G
Pb
QC PASS
PCS
1,000
MB123456P - 789 - GE1
2006/03/01
ASSEMBLED IN JAPAN
MB123456P - 789 - GE1
1/1
0605 - Z01A
1000
1561190005
鉛フリー型格は末尾に「E1」あり。
40
中国で組立てられた製品のラベルには
「ASSEMBLED IN CHINA」と表記され
ています。
DS04–27264–4
MB39A134
■ MB39A134PFT 推奨実装条件
【弊社推奨実装条件】
項目
内容
実装方法
IR( 赤外線リフロー ), 温風リフロー
実装回数
2回
保管期間
開梱前
製造後 2 年以内にご使用ください。
開梱∼ 2 回目リフロー迄の
保管期間
8 日以内
開梱後の保管期間を
超えた場合
ベーキング (125 °C ± 3 °C, 24h+2H/-0H) を
実施の上 , 8 日以内に処理願います。
ベーキングは 2 回まで可能です。
5 °C ∼ 30 °C, 70％RH 以下 ( 出来るだけ低湿度 )
保管条件
【実装方法の各条件】
(1) IR ( 赤外線リフロー )
250°C
245°C
本加熱
170 °C
~
190 °C
(c)
(b)
RT
(d)
(d')
(a)
M ランク：250 °C Max
(a) 温度上昇勾配
(b) 予備加熱
(c) 温度上昇勾配
(d) ピーク温度
(d’) 本加熱
(e) 冷却
(e)
：平均 1 °C/s ∼ 4 °C/s
：温度 170 °C ∼ 190 °C, 60 s ∼ 180 s
：平均 1 °C/s ∼ 4 °C/s
：温度 250 °C Max
245 °C up 10 s 以内
：温度 230 °C up 40 s 以内
or
温度 225 °C up 60 s 以内
or
温度 220 °C up 80 s 以内
：自然空冷または強制空冷
（注意事項）パッケージボディ上面温度を記載
(2) 手半田付け ( 部分加熱法 )
項目
保管期間
内容
開梱前
製造後 2 年以内
開梱後∼実装までの保管期間
製造後 2 年以内
( 部分加熱の為 , 保管期間の吸湿管理不要 )
保管条件
5 °C ∼ 30 °C, 70%RH 以下 ( 出来るだけ低湿度 )
実装条件
コテ先温度 : Max. 400 °C
時間 :5 秒以内 / ピン *
＊ : パッケージボディにコテ先が触れないこと
DS04–27264–4
41
MB39A134
■ パッケージ・外形寸法図
プラスチック・TSSOP, 24 ピン
リードピッチ
0.50 mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
4.40 mm × 6.50 mm
リード形状
ガルウィング
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
1.20 mm MAX
質量
0.08 g
(FPT-24P-M09)
プラスチック・TSSOP, 24 ピン
（FPT-24P-M09）
注 1）端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。
注 2）端子幅はタイバ切断残りを含まず。
注 3）# 印寸法はレジン残りを含まず。
# 6.50±0.10(.256±.004)
0.145±0.045
(.0057±.0018)
24
13
BTM E-MARK
# 4.40±0.10 6.40±0.20
(.173±.004) (.252±.008)
INDEX
Details of "A" part
+0.10
1.10 –0.15
+.004
(Mounting height)
.043 –.006
1
12
0.50(.020)
0.20
.008
+0.07
–0.02
+.003
–.001
"A"
0.13(.005)
M
0~8°
0.60±0.15
(.024±.006)
0.10±0.05
(Stand off)
(.004±.002)
0.10(.004)
C
2007-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F24032S-c-2-4
単位：mm （inches）
注意：括弧内の値は参考値です。
最新の外形寸法図については , 下記 URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
42
DS04–27264–4
MB39A134
■ 目次
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
ページ
概要 ............................................................................................................................................................ 1
特長 ............................................................................................................................................................ 1
アプリケーション .................................................................................................................................... 1
端子配列図 ................................................................................................................................................ 2
端子機能説明 ............................................................................................................................................ 3
ブロックダイヤグラム ............................................................................................................................ 4
絶対最大定格 ............................................................................................................................................ 5
推奨動作条件 ............................................................................................................................................ 6
電気的特性 ................................................................................................................................................ 7
標準特性 .................................................................................................................................................... 11
機能説明 .................................................................................................................................................... 13
負荷急変時過渡応答 ................................................................................................................................ 20
Current Amp1, Current Amp2 および Error Amp1, Error Amp2 を使用しない場合の処理方法 ........ 21
入出力端子等価回路図 ............................................................................................................................ 22
応用回路例 ................................................................................................................................................ 25
アプリケーションノート ........................................................................................................................ 28
参考データ ................................................................................................................................................ 36
使用上の注意 ............................................................................................................................................ 38
オーダ型格 ................................................................................................................................................ 39
評価ボードオーダ型格 ............................................................................................................................ 39
RoHS 指令に対応した品質管理 ( 鉛フリー品の場合 ) ........................................................................ 40
製品捺印 ( 鉛フリーの場合 ) ................................................................................................................... 40
製品ラベル ( 鉛フリー品の例 ) ............................................................................................................... 40
MB39A134PFT 推奨実装条件 ................................................................................................................. 41
パッケージ・外形寸法図 ........................................................................................................................ 42
DS04–27264–4
43
MB39A134
富士通セミコンダクター株式会社
〒 222-0033
神奈川県横浜市港北区新横浜 2-10-23 野村不動産新横浜ビル
http://jp.fujitsu.com/fsl/
電子デバイス製品に関するお問い合わせ先
0120-198-610
受付時間 : 平日 9 時∼ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます )
携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。
※電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。
本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , ご用命の際は営業部門にご確認ください。
本資料に記載された動作概要や応用回路例は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を保証するも
のではありません。従いまして , これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの使用に起因する損害な
どについては , 当社はその責任を負いません。
本資料に記載された動作概要・回路図を含む技術情報は , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施
権の許諾を意味するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うもので
はありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について , 当社はその責任を負いません。
本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい
ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を
伴う用途（原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵
器システムにおけるミサイル発射制御をいう）, ならびに極めて高い信頼性が要求される用途（海底中継器 , 宇宙衛星をいう）に使用されるよう設計・
製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用
されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。
半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ
う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。
本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上 , 必要な手続き
をおとりください。
本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。
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