JIS Standards document (R-5775)

多層基板材料
コア材
低誘電率・低誘電正接・高耐熱多層基板材料 (両面銅張)
R-5775
プリプレグ R-5670
■特長
●耐燃性(94V-0)を有しています。
●低誘電率による信号の高速化および低誘電正接による
伝送損失の低減が図れます。
●低熱膨張により、優れたスルーホール信頼性を有しています。
●ガラス転移温度(Tg)が高く耐熱性に優れています。
●鉛フリーはんだに対応しています。
■用途
●ネットワーク機器、大型コンピュータ、ICテスター、
高周波計測装置など
■定格
定尺寸法
(タテ×ヨコ)
+3
+3
1,020 ×1,020 mm
−0
−0
+3
1,220 ×1,020 mm
−0
+3
−0
公称厚さ
銅箔種類・厚さ
0.05mm
0.06mm
0.07mm
0.08mm
0.1mm
0.12mm
0.13mm
0.13mm(2ply)
0.14mm
0.15mm
0.2mm
0.25mm
0.3mm
0.4mm
0.5mm
0.63mm
0.75mm
H-VLP銅箔:
12, 18, 35μm
RT銅箔:
18, 35, 70μm
銅箔厚さを
除きます。
実厚み
厚さ許容差
0.050mm
0.065mm
0.065mm
0.075mm
0.100mm
0.127mm
0.125mm
0.130mm
0.146mm
0.150mm
0.200mm
0.250mm
0.300mm
0.400mm
0.500mm
0.625mm
0.750mm
±0.013mm
±0.013mm
±0.013mm
±0.013mm
±0.013mm
±0.018mm
±0.018mm
±0.018mm
±0.018mm
±0.018mm
±0.025mm
±0.025mm
±0.038mm
±0.038mm
±0.050mm
±0.075mm
±0.075mm
注)公称厚さの中間に位置する厚さ許容差は、より厚い方の厚さ許容差とします。
注)詳細寸法につきましては、別途ご相談ください。
■性能表
●多層用銅張積層板
試験項目
体積抵抗率
単位
MΩ・m
表面抵抗
MΩ
絶縁抵抗
MΩ
比誘電率(1MHz)
−
比誘電率(1GHz)
−
誘電正接(1MHz)
−
誘電正接(1GHz)
はんだ耐熱性(260℃)
−
秒
H-VLP銅箔:0.012mm(12μm)
引き剥がし強さ
H-VLP銅箔:0.018mm(18μm)
H-VLP銅箔:0.035mm(35μm)
N/mm
RT銅箔:0.018mm
(18μm)
RT銅箔:0.035mm(35μm)
RT銅箔:0.070mm(70μm)
耐熱性
曲げ強度(ヨコ方向)
吸水率
耐燃性(UL法)
耐アルカリ性
−
N/mm2
%
−
−
処理条件
C-96/20/65
C-96/20/65+C-96/40/90
C-96/20/65
C-96/20/65+C-96/40/90
C-96/20/65
C-96/20/65+D-2/100
C-96/20/65
C-96/20/65+D-24/23
C-24/23/50
C-96/20/65
C-96/20/65+D-24/23
C-24/23/50
A
A
S4
A
S4
A
S4
A
S4
A
S4
A
S4
A
A
E-24/50+D-24/23
AおよびE-168/70
浸漬(3分)
R-5775
実測値
7
5×10
7
1×10
8
5×10
8
1×10
8
1×10
7
1×10
3.8
3.8
3.7
0.002
0.002
0.002
120以上
0.5
0.5
0.5
0.5
0.8
0.8
0.7
0.7
0.8
0.8
1.0
1.0
260℃60分ふくれなし
410
0.14
94V-0
異常なし
注)
試験片の厚さは0.75mmです。
注)
上記試験はJIS C6481に準じます。ただし、耐燃性はUL94に、比誘電率、誘電正接の1GHzはIPC TM650 2.5.5.9によります。
(試験方法につきましては130ページをご参照ください。)
注)
処理条件につきましては、130ページをご参照ください。
31
●プリプレグ
(標準値)
R-5670
公称厚さ
0.10mm
0.10mm
0.08mm
0.06mm
0.04mm
0.04mm
仕様
KJ
KG
KC
KD
KG
KD
樹脂分(Resin Content)
56±2%
54±2%
54±2%
64±2%
75±2%
70±2%
■特性グラフ(参考値)
■比誘電率の周波数特性(IPC TM-650 2.5.5.5)
■誘電正接の周波数特性(IPC TM-650 2.5.5.5)
0.010
8
0.008
誘電正接
比誘電率
10
6
0.006
4
0.004
2
0.002
0
0
2
4
6
8
0
10
0
2
4
■比誘電率の温度特性(周波数 5GHz)
0.006
3.65
0.005
誘電正接
比誘電率
3.60
3.55
3.45
0.001
40
60
80
0
10 0
0
20
40
温 度(℃)
■スルーホール導通信頼性
0
60
MEGTRON6
(RT銅箔)
dB
/ -20
m
0.13mm
プリプレグ 0.06mm GD*2ply
回路長さ
1m
銅箔厚み
35μm
インピーダンス 50Ω
-25
80
故障率︵%︶
︶
伝送損失︵ -15
90
コア
-65℃
(30分)
n=12
100
MEGTRON6
(H-VLP銅箔)
10 0
サイクル条件
■評価サンプル
-5
R-4737(フッ素)
80
温 度(℃)
■伝送損失比較
-10
12
0.003
0.002
20
10
0.004
3.50
0
8
■誘電正接の温度特性(周波数 5GHz)
3.70
0
6
周波数(GHz)
周波数(GHz)
70
60
⇔
125℃
(30分)
■構成
銅箔 : 12μm
板厚 : 2mm
TH径 : 0.3mmφ
めっき厚 : 15μm
回路パターン
: 160Holes デージーチェーン
50
40
当社高Tg FR-4(R-1766(T))
30
20
当社高Tg FR-4
(R-1766(T))
-30
-35
10
0
0
2
4
周波数
(GHz)
6
MEGTRON6
0
1000
2000
3000
サイクル数(サイクル)
32
多層基板材料
R-5775
多層基板材料
R-5775
■特性グラフ(参考値)
■プリプレグ特性の経時変化
(参考値)
※保管条件:すべて20℃50%RH
※試験方法は134ページをご参照ください。
■樹脂流れ性
■熱膨張量(厚さ方向、板厚0.75mm)
30
15
樹脂流れ性
︵%︶
μm
︶
熱膨張量︵
25
25
20
20
15
10
10
5
0
100
200
300
0
30
■動的粘弾性
90
■揮発分
3
10
10
2
1
10
1
10
0
10
300
-1
(
)
(tanδ)
揮発分︵%︶
10
損失正接
100
E
´
GPa
60
処理日数(日)
温 度(℃)
10
5
0.1
0
50
100
150
200
250
温 度(℃)
0.1
寸法変化率
︵%︶
0
ヨコ方向
タテ方向
-0.2
-0.3
常態
33
エッチング後
130℃60分
30
60
処理日数(日)
■寸法変化挙動
(R-5775 0.1mm)
-0.1
0
二次成型後
190℃75分
90