ETC SFH4501

Schnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 5 mm Radial-Gehäuse
High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 5 mm Radial Package
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
SFH 4501
SFH 4502
SFH 4503
Wesentliche Merkmale
• GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Hohe Zuverlässigkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
Features
• Very highly efficient GaAs-LED
• High reliability
• Spectral match with silicon photodetectors
Anwendungen
• IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
• Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Sensorik
• Diskrete Lichtschranken
Applications
• IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
• Remote control for steady and varying intensity
• Sensor technology
• Discrete interrupters
Typ
Type
Bestellnummer Gehäuse
Ordering Code Package
SFH 4501
Q62702-P5061
SFH 4502
Q62702-P5062
SFH 4503
Q62702-P5305
2000-01-01
5-mm-LED-Gehäuse (T 13/4), schwarz eingefärbt, Anschluß im
2.54-mm-Raster (1/10’’),
Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß
5 mm LED package (T 13/4), black-colored epoxy resin lens,
solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’),
anode marking: short lead
1
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
– 40 … + 100
°C
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
3
V
Durchlaßstrom
Forward current
IF (DC)
100
mA
Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current
IFSM
1
A
Verlustleistung
Power dissipation
Ptot
180
mW
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung,
freie Beinchenlänge max. 10 mm
Thermal resistance junction - ambient,
lead length between package bottom and PCB
max. 10 mm
RthJA
375
K/W
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA, tp = 20 ms
λpeak
950
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax
Spectral bandwidth at 50% of Imax
IF = 100 m A, tp = 20 ms
∆λ
40
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 4501
SFH 4502
SFH 4503
ϕ
Aktive Chipfläche
Active chip area
A
0.09
mm2
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
L×B
L×W
0.3 × 0.3
mm
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
2000-01-01
Grad
deg.
±7
± 18
±4
2
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
10
ns
Co
35
pF
VF
VF
1.5 (≤ 1.8)
3.2 (≤ 3.6)
V
V
Sperrstrom,
Reverse current
VR = 3 V
IR
0.01 (≤ 10)
µA
Gesamtstrahlungsfluß,
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe
32
mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
TCI
– 0.44
%/K
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
TCV
– 1.5
mV/K
Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA
TCλ
+ 0.2
nm/K
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% tr, tf
auf 10%, bei IF = 100 mA, tp = 20 ms, RL = 50 Ω
Switching times, Ιe from 10% to 90% and from
90% to 10%, IF = 100 mA, tp = 20 ms, RL = 50 Ω
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Durchlaßspannung,
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µs
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
2000-01-01
3
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Radiant Intensity Ie in Axial Direction
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
SFH 4501
SFH 4502
SFH 4503
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Ie min
Ie typ
63
90
25
50
63
200
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 µs
Ie typ
550
310
1200
mW/sr
2000-01-01
4
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
Relative Spectral Emission
Irel = f (λ)
Radiant Intensity
Single pulse, tp = 20 µs
OHF00777
100
Ιe
= f (IF)
Ιe 100 mA
Ι rel
OHF00809
10 2
OHF00359
120
Ι F mA
Ιe
100
Ι e (100 mA)
80
Max. Permissible Forward Current
IF = f (TA)
80
10 0
60
R thJA = 450 K/W
60
10 -1
40
40
10 -2
20
0
800 850
900
950 1000
nm 1100
10 -3
10 0
20
10 1
10 2
λ
10 3 mA 10 4
ΙF
0
0
20
40
60
80
100 ˚C 120
TA
Forward Current IF = f (VF)
single pulse, tp = 20 µs
ΙF
OHF00784
10 4
mA
10 3
10 2
10 1
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
V 4.5
VF
2000-01-01
5
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
Radiation Characteristics Ιrel = f (ϕ)
SFH 4501
40˚
30˚
20˚
10˚
ϕ
0˚
OHF00859
1.0
50˚
0.8
60˚
0.6
70˚
0.4
80˚
0.2
0
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
Radiation Characteristics Ιrel = f (ϕ)
SFH 4502
40˚
30˚
20˚
10˚
ϕ
0˚
OHF00810
1.0
50˚
0.8
60˚
0.6
70˚
0.4
80˚
0.2
0
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
Radiation Characteristics Ιrel = f (ϕ)
SFH 4503
40˚
30˚
20˚
10˚
ϕ
0˚
OHF01142
1.0
50˚
0.8
60˚
0.6
70˚
0.4
80˚
0.2
0
90˚
100˚
1.0
2000-01-01
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
6
100˚
120˚
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
Maßzeichnung
Package Outlines
SFH 4501
9.0
8.2
7.8
7.5
5.9
5.5
0.8
0.4
ø5.1
ø4.8
2.54 mm
spacing
0.6
0.4
Area not flat
1.8
1.2
29.5
27.5
0.6
0.4
Anode
GEX06952
SFH 4502
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified.
2000-01-01
7
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
SFH 4503
Area not flat
9.0
8.2
7.8
7.5
5.9
5.5
ø5.1
ø4.8
2.54 mm
spacing
0.8
0.4
0.6
0.4
1.8
1.2
29
27
5.7
5.1
0.6
0.4
Chip position
Anode
GEX06048
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified.
2000-01-01
8
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
Lötbedingungen
Soldering Conditions
Tauch-, Schwall- und Schlepplötung
Dip, Wave and Drag Soldering
Kolbenlötung (mit 1,5-mm-Kolbenspitze)
Iron Soldering (with 1.5-mm-bit)
Lötbadtemperatur
Maximal
zulässige
Lötzeit
Abstand
Lötstelle –
Gehäuse
Temperatur
des Kolbens
Temperature
of the
Soldering
Bath
Max. Perm.
Soldering
Time
Distance
between
Solder Joint
and Case
Temperature
Max.
of the
Permissible
Soldering Iron Soldering
Time
Distance
between
Solder Joint
and Case
260 °C
10 s
≥ 1.5 mm
300 °C
≥ 1.5 mm
2000-01-01
9
Maximale
zulässige
Lötzeit
3s
Abstand
Lötstelle –
Gehäuse
OPTO SEMICONDUCTORS