ETC FZ18R12K4

European PowerSemiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
FZ 1800 R 12 KF4
61,5
61,5
13
190
31,5
171
57
1
2
3
C
M8
C
C
E
M4
4
E
E
4,0 deep
C
2,5 deep
E
7
G
6
5
8
20,25
28
7
41,25
M6
79,4
external connection to
be done
C
C
C
E
E
E
C
G
E
external connection to
be done
VWK, January 1997
FZ 1800 R 12 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Kollektor-Dauergleichstrom
Period. Kollektor Spitzenstrom
Gesamt-Verlustleistung
Gate-Emitter-Spitzenspannung
collector-emitter voltage
DC-collector current
repetitive peak collector current
total power dissipation
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
Periodischer Spitzenstrom
Isolations-Prüfspannung
DC forward current
repetitive peak forw. current
insulating test voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Koll.-Emitter Sättigungsspannung
coll.-emitter saturation voltage
Gate-Schwellspannung
Eingangskapazität
gate threshold voltage
input capacity
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
Emitter-Gate Reststrom
Einschaltzeit (ohmsche Last)
gate leakage current
gate leakage current
turn-on time (resistive load)
Speicherzeit (induktive Last)
Fallzeit (induktive Last)
storage time
fall time (inductive load)
tp=1 ms
tC=25°C, Transistor
tp=1ms
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
iC=1,8kA, vGE =15V, tvj=25°C
iC=1,8kA,vGE =15V,t vj=125°C
iC=72mA,vCE =vGE ,tvj=25°C
fO=1MHz,tvj=25°C,vCE =25V,
vGE =0
vCE =1200V,vGE =0V,t vj=25°C
vCE =1200V,vGE =0V,t vj=125°C
vCE =0V, vGE =20V, t vj=25°C
vCE =0V, vEG =20V, t vj=25°C
iC=1,8kA,vCE =600V,v L=15V
vL=15V,R G=0,43Ω,tvj=25°C
tvj=125°C
iC=1,8kA,vCE =600V,v L=15V
vL=15V,R G=0,43Ω,tvj=25°C
tvj=125°C
iC=1,8kA,vCE =600V,v L=15V
vL=15V,R G=0,43Ω,tvj=25°C
tvj=125°C
VCES
IC
ICRM
Ptot
VGE
1200 V
1800 A
3600 A
11 kW
+/- 20 V
IF
IFRM
VISOL
1800 A
3600 A
2,5 kV
min.
4,5
-
typ.
2,7
3,3
5,5
135
iCES
-
-
30 mA
300 mA
iGES
iEGS
ton
-
-
400 nA
400 nA
-
-
- µs
- µs
-
-
- µs
- µs
-
-
- µs
- µs
vCE sat
vGE(th)
C ies
ts
tf
max
3,2 V
3,9 V
6,5 V
- nF
Bedingungen für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10µs
VCC =
750V
vL = ± 15V
vCEM = 900V
iCMK1 = 18000V
RGF = RGR =0,43Ω
tvj = 125°C
iCMK2 = 13500V
Unabhängig davon dilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions
Charakteristische Werte / Characteristic values: Invers-Diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
vCEM = VCES - 12nH . |diC/dt|
iF=1,8kA, vGE =0V, t vj=25°C
iF=1,8kA, vGE =0V, t vj=125°C
iF=1,8kA, -diF/dt=1,8kA/µs
vRM =600V,v EG =10V,t vj=25°C
vRM =600V,v EG =10V,t vj=125°C
VF
iF=1,8kA, -diF/dt=1,8kA/µs
vRM =600V,v EG =10V,t vj=25°C
Qr
IRM
vRM =600V,v EG =10V,t vj=125°C
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resist., junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul. Sperrschichttemp.
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
thermal resist., case to heatsink
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
Innere Isolation
Anzugsdrehm. f. mech. Befest.
Anzugsdrehm. f. elektr. Anschl.
case, see appendix
internal insulation
mounting torque
terminal connection torque
Gewicht
weight
Transistor / transistor, DC
Diode, DC
pro Module / per Module
Transistor
Transistor / transistor
R thJC
R thCK
tvj max
tc op
tstg
Seite / page
terminals M4
terminals M8
M1
M2
G
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
256
eupec GmbH + Co KG, Max-Plank-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/764-0, Telefax /764-
-
2,2
2
2,7 V
2,5 V
-
-
-A
-A
-
-
- µAs
-
-
- µAs
0,011 °C/W
0,024 °C/W
0,006 °C/W
150 °C
-40...+125 °C
-40...+125 °C
1
Al2O3
3 Nm
2 Nm
8...10 Nm
ca.2300 g
FZ 1800 R 12 KF4
4000
4000
VGE=20V
3000
iC [A]
3000
iC [A]
2000
2000
15V
12V
10V
9V
1000
1000
0
1
2
3
4
vCE [V]
FZ 1800 R 12 KF4
5
8V
0
1
2
3
4
vCE [V]
FZ 1800 R 12 KF4
Bild / Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch)
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
VGE = 15V
- - - - tvj = 25°C
____ t = 125°C
vj
5
Bild / Fig. 2
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch)
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
tvj = 125°C
10-1
8
4000
tvj=
125°C
25°C
3000
iC [A]
6
4
Z(th)JC
[°C/W]
2
Diode
IGBT
10-2
8
6
2000
4
1000
2
0
5
6
7
8
9
10
FZ 1800 R 12 KF4
11
vGE [V]
12
3000
iF [A]
2000
1000
1,5
4
6 10 -2
2
4
6 10-1
2
Bild / Fig. 4
Transienter innerer Wärmewiderstand (DC)
Transient thermal impedance (DC)
4000
1,0
2
FZ 1800 R 12 KF4
Bild / Fig. 3
Übertragungscharakteristik (typisch)
Transfer characteristic (typical)
VCE = 20V
0
0,5
10-3
10-3
2,0
FZ 1800 R 12 KF4
Bild / Fig. 5
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward charakteristic of the inverse diode (typical)
----- tvj = 25°C
___ t = 125°C
vj
2,5
vF [V]
3,0
4
6
100
2
t [s]
4
6 101