ETC FS4R12K4

European PowerSemiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
FS 400 R 12 KF4
61,5
61,5
M6
13
190
31,5
CX
W
V
U
2,8x0,5
171
57
CU
CY
CV
CZ CW
4 deep
3,35
5,5
26,4
7
5
3x5=15
GX EX EU GU
GY EY EV GV
+
+
Cu
Cv
Cw
Gu
Gv
Gw
Eu
Ev
Ew
Cx
Cy
Cz
Gx
Gy
Gz
Ex
-
Ey
-
Ez
GZ EZ EW GW
external connection
+ to be done
U
V
W
- external connection
to be done
18.03.1998
FS 400 R 12 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Kollektor-Dauergleichstrom
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
Gesamt-Verlustleistung
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Dauergleichstrom
Periodischer Spitzenstrom
Isolations-Prüfspannung
collector-emitter voltage
DC-collector current
repetitive peak collctor current
total power dissipation
gate-emitter peak voltage
DC forward current
repetitive peak forw. current
insulation test voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Emitter Schwellenspannung
Eingangskapazität
Kollektor-Emitter Reststrom
gate-emitter threshold voltage
input capacity
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
Emitter-Gate Reststrom
Einschaltzeit (induktive Last)
gate leakage current
gate leakage current
turn-on time (inductive load)
Speicherzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
tp = 1 ms
T C = 25°C, Transistor / Transistor
tp = 1ms
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
iC = 400 A, vGE = 15 V, Tvj = 25°C
iC = 400 A, vGE = 15 V, Tvj = 125°C
iC = 16 mA, vCE = vGE, Tvj = 25°C
fO = 1 MHz, Tvj = 25°C, vCE = 25 V, vGE =
vCE = 1200 V, vGE = 0V, Tvj = 25°C
vCE = 1200 V, vGE = 0V, Tvj = 125°C
vCE = 0 V, vGE = 20 V, Tvj = 25°C
vCE = 0 V, vEG = 20 V, Tvj = 25°C
iC = 400 A, vCE = 600 V
vL= ±15 V, RG = 2,4 Ω, Tvj = 25°C
vL= ±15 V, RG = 2,4 Ω, Tvj = 125°C
iC = 400 A, vCE = 600 V
vL= ±15 V, RG = 2,4 Ω, Tvj = 25°C
vL= ±15 V, RG = 2,4 Ω, Tvj = 125°C
iC = 400 A, vCE = 600 V
vL= ±15 V, RG = 2,4 Ω, Tvj = 25°C
vL= ±15 V, RG = 2,4 Ω, Tvj = 125°C
iC = 400 A, vCE = 600 V, LS = 70 nH
VL = ±15 V, RG = 2,4 Ω, Tvj = 125°C
iC = 400 A, vCE = 600 V, LS = 70 nH
VL = ±15 V, RG = 2,4 Ω, Tvj = 125°C
Inversdiode / Inverse diode
iF = 400 A, vGE = 0V, Tvj = 25°C
iF = 400 A, vGE = 0V, Tvj = 125°C
iF = 400 A, -diF/dt = 2 kA/µs
vRM = 600 V, vEG = 10 V, Tvj = 25°C
vRM = 600 V, vEG = 10 V, Tvj = 125°C
iF = 400 A, -diF/dt = 2 kA/µs
vRM = 600 V, vEG = 10 V, Tvj = 25°C
vRM = 600 V, vEG = 10 V, Tvj = 125°C
VCES
IC
ICRM
Ptot
VGE
IF
IFRM
VISOL
vCE sat
vGE(TO)
Cies
iCES
iGES
iEGS
ton
ts
tf
Eon
Eoff
vF
IRM
Qr
1200
400
800
2500
± 20
400
800
2,5
min.
4,5
-
typ. max.
2,7
3,2 V
3,4
4 V
5,5
6,5 V
27
- nF
8
- mA
40
- mA
- 400 nA
- 400 nA
-
0,7
0,8
- µs
- µs
-
0,9
1
- µs
- µs
-
0,1
0,15
- µs
- µs
-
100
- mWs
-
55
- mWs
-
2,2
2,0
2,7 V
2,5 V
-
125
200
- A
- A
-
13
45
Transistor, DC, pro Modul / per module RthJC
Transistor, DC, pro Zweig / per arm
Diode, DC, pro Modul / per module
Diode, DC, pro Zweig / per arm
pro Modul / per module
RthCK
pro Zweig / per arm
T vj max
T c op
T stg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
Gewicht
internal insulation
mounting torque
terminal connection torque
weight
terminals M6 / tolerance ±15%
terminals M6
V
A
A
W
V
A
A
kV
M1
M2
G
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10 µs
VCC = 750 V
vL = ±15 V
vCEM = 900 V
RGF = RGR = 2,4 Ω
iCMK1 ≈ 2500 A
Tvj = 125°C
iCMK2 ≈ 2200 A
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions vCEM = VCES - 15nH x |dic/dt|
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
- µAs
- µAs
0,008
0,05
0,014
0,084
typ. 0,006
typ. 0,036
150
-40...+125
-40...+125
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
°C
°C
AI2O3
5 Nm
5...6 Nm
ca. 2300 g
FS 400 R 12 KF4
800
800
700
700
i C 600
[A]
500
i C 600
[A]
500
400
400
300
300
200
200
100
100
0
1
2
3
4
5
0
v CE [V]
FS 400 R 12 KF4 / 1
tvj =
125°C
400
400
300
300
200
200
100
100
8
9
10
FS 400 R 12 KF4 / 3
11
vGE [V]
12
0
1
2
3
4
5
vCE [V]
0
200
400
600
800
1000
Hier Diagramm Untertitel eingeben...
Bild / Fig. 3
Übertragungscharakteristik (typisch) /
Transfer characteristic (typical)
VCE = 20 V
1200
vCE [V]
1400
Bild / Fig. 4
Rückwärts-Arbeitsbereich /
Reverse biased safe operating area
Tvj = 125°C
vLF = vLR = 15 V
RG = 2,4 Ω
100
800
7
5
700
3
ZthJC 2
[°C/W ]
10 -1
i F 600
[A]
Diode
7
5
500
IGBT
400
3
2
300
10 -2
7
5
200
3
100
2
-3
8V
700
i C 600
[A]
500
7
9V
Bild / Fig. 2
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
Tvj = 125°C
i C 600
[A]
500
6
10 V
800
25°C
700
0
5
15 V
12 V
FS 400 R 12 KF4 / 2
Bild / Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
VG E = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
800
VGE = 20 V
10 -3
10
2
3 4
6
10-2
2
3 4
6
10-1
2
FS 400 R 12 KF4 / 5
Bild / Fig. 5
Transienter Wärmewiderstand je Zweig (DC) /
Transient thermal impedance per arm (DC)
3 4
6
100
2
t [s]
3 4
6
101
0
0,5
1
1,5
2
FS 400 R 12 KF4 / 6
Bild / Fig. 6
Durchlaßkennlinien der Inversdiode (typisch)
Forward characteristics of the inverse diode (typical)
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
2,5
vF [V]
3