Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT W3C 85 N 12...18 (ISOPACK) N W3 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung VDRM, VRRM Tvj = - 40°C...Tvj max repetitive peak forward off-state and reverse voltages Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung VDSM Tvj = - 40°C...Tvj max non-repetitive peak forward off-state voltage Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung VRSM Tvj = + 25°C...Tvj max non-repetitive peak reverse voltage 1200, 1400 V 1600, 1800 V 1200, 1400 V 1600, 1800 V 1300, 1500 V 1700, 1900 V 75 A ITRMSM Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) RMS on-state current (per chip) IRMS 85 A 106 A TA = 45°C, KM 11 35 A TA = 45°C, KM 33 49 A TA = 35°C, KM 14 (VL = 45l/s) 83 A TA = 35°C, KM 33 (VL = 90l/s) 96 A 720 A 620 A Effektivstrom (pro Phase) TC = 85°C RMS current (per arm) TC = 72°C Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, tp = 10ms surge current Tvj = Tvj max, tp = 10ms Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tp = 10ms I²t-value Tvj = Tvj max, tp = 10ms ITSM I²t (di/dt)cr Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 critical rate of rise of on-state current f = 50Hz, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs Kritische Spannungssteilheit Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM critical rate of rise of off-state voltage 8. Kennbuchstabe / 8th letter F 2600 A²s 1920 A²s 120 A/µs 1000 V/µs 1,64 V 0,95 V (dv/dt)cr Charakteristische Werte / Characteristic values Tvj = Tvj max, iT = 100A vT Tvj = Tvj max V(T0) Tvj =Tvj max rT Tvj = 25°C, vD = 6V IGT Tvj = 25°C, vD = 6V Nicht zündender Steuerstrom Tvj = Tvj max, vD = 6V gate non-trigger current Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM Nicht zündende Steuerspannung Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM Durchlaßspannung max. on-state voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand 5,5 mΩ max. 150 mA VGT max. 2,5 V IGD max. 5,0 mA max. 2,5 mA VGD max. 0,2 V Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5Ω IH max. 200 mA Einraststrom Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK ≥ 20Ω IL max. 600 mA latching current iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs, tg = 10µs iD, iR max. 8 mA tgd max. 1,2 slope resistance Zündstrom gate trigger current Zündspannung gate trigger voltage gate non-trigger voltage Haltestrom holding current Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom Tvj = Tvj max forward off-state and reverse currents vD = VDRM, vR = VRRM Zündverzug DIN IEC 747-6 gate controlled delay time Tvj = 25°C, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 A /99 Seite/page 1(9) µs Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT W3C 85 N 12...18 (ISOPACK) N W3 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit Tvj = Tvj max, iTM = 50A circuit commutated turn-off time vRM = 100V, VDM = 0,67 VDRM tq dVD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs typ. 7. Kennbuchstabe / 7th letter O Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50Hz, t = 1min insulation test voltage RMS, f = 50Hz, t = 1sec VISOL 190 µs 3,0 kV 3,6 kV Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand pro Modul / per module, Θ = 180°sin max. 0,117 °C/W thermal resistance, junction to case pro Element / per chip, Θ = 180°sin max. 0,700 °C/W pro Modul / per module, DC max. 0,108 °C/W pro Element / per chip, DC max. 0,650 °C/W max. 0,033 °C/W max. 0,200 °C/W Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per module thermal resistance, case to heatsink pro Element / per chip RthJC RthCK Tvj max Höchstzulässige Sperrschichttemperatur 125 °C Tc op - 40...+125 °C Tstg - 40...+130 °C max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix page 3 Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert Si-pellets with soldered contact, glass-passivated Al2O3 Innere Isolation internal insulation Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung Toleranz / tolerance ±15% M1 6 Nm Toleranz / tolerance +5% / -10% M2 6 Nm mounting torque Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque Gewicht G typ. 300 g 12,5 mm 50 m/s² weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit f = 50Hz vibration resistance Temperatursensor / Temperature sensor Nennwiderstand TC = 25°C rated resistance R100 = 493Ω ± 5% Verlustleistung TC = 25°C R25 P25 max. 5 kΩ 20 mW power dissipation Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 2(9) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT W3C 85 N 12...18 (ISOPACK) N ϑ MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 3(9) W3 Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT W3C 85 N 12...18 (ISOPACK) N Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Pos. n 1 R thn [° C / W ] 0,25300 τn [s] 2 3 4 5 6 7 0,35100 0,04930 0,31800 0,03870 0,00109 t − τn = R thn 1 − e n= 1 nmax Analytische Funktion: MOD-E1; R. Jörke Z thJC ∑ 09. Feb 99 Seite/page 4(9) W3 Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT W3C 85 N 12...18 (ISOPACK) N W3 0,80 0,70 180° sin DC 0,60 ZthJC [°C/W] 0,50 0,40 0,30 0,20 0,10 0,00 0,001 0,01 0,1 1 10 t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per armthJC Z = f(t) Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angleΘ MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 5(9) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT W3C 85 N 12...18 (ISOPACK) N W3 140 130 120 110 100 TC [°C] 90 80 70 60 50 40 30 20 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 IRMS [A] Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperaturCT= f(IRMS) MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 6(9) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT W3C 85 N 12...18 (ISOPACK) N W3 100 90 80 70 (Tvj - TSensor) [°C] 60 50 40 30 20 10 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 Ia / IRMS(Tc=85°C) Differenz zwischen Sperrschicht- und Sensortemperatur / Difference between the values of junction and sensor temperature (Tvj - TSensor) = f(Ia / IRMS(Tc=85°C) ) Ia: Anlaufstrom / Starting current IRMS: Effektivstrom (pro Phase) / RMS current (per arm) MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 7(9) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT W3C 85 N 12...18 (ISOPACK) N W3 10000 RSensor [ ] W 1000 100 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 TSensor [°C] Sensorwiderstand / Sensor resistance RSensor = f(TSensor) MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 8(9) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT W3C 85 N 12...18 (ISOPACK) N W3 500 450 400 350 Ptot [W] 300 250 200 150 100 50 0 0 20 40 60 80 100 120 IRMS [A] Gesamtverlustleistung pro Modul / Total power dissipation per moduletotP= f(IRMS) IRMS: Effektivstrom (pro Phase) / RMS current (per arm) MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 9(9)