复合沟道 MOSFET ELM16601EA-S ■概要 ■特点 ELM16601EA-S 是低输入电容、低工 N 沟道 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=30V P 沟道 ·Vds=-30V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=3.4A(Vgs=10V) ·Id=-2.3A(Vgs=-10V) ·Rds(on) < 60mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 135mΩ(Vgs=-10V) ·Rds(on) < 75mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 185mΩ(Vgs=-4.5V) ·Rds(on) < 115mΩ(Vgs=2.5V)·Rds(on) < 265mΩ(Vgs=-2.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 备注 漏极 - 源极电压 Vds 30 -30 V 栅极 - 源极电压 Vgs ±12 3.4 2.7 ±12 -2.3 -1.8 V A 1 30 1.15 0.73 -30 1.15 0.73 A 2 -55 ~ 150 -55 ~ 150 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） Id 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 Pd 结合部温度及保存温度范围 Tj,Tstg W ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 记号 t≤10s 稳定状态 稳定状态 t≤10s 稳定状态 稳定状态 Rθja 1 2 最大值 110 单位 N 106 64 78 150 80 110 ℃/W Rθja 106 64 150 80 ℃/W Rθjl P 备注 1 3 1 3 ■电路图 SOT-26(俯视图) 5 典型值 78 Rθjl ■引脚配置图 6 沟道 4 3 引脚编号 引脚名称 1 2 3 GATE1 SOURCE2 GATE2 4 DRAIN2 5 6 SOURCE1 DRAIN1 ·N 沟道 ·P 沟道 D1 G1 7-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D2 G2 S1 S2 复合沟道 MOSFET ELM16601EA-S ■电特性 (N 沟道 ) 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=24V, Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Ta=55℃ 1.4 V A 60 Vgs=4.5V, Id=3A 50 75 60 88 7.8 115 0.8 1.0 V 1.5 A Gfs 二极管正向压降 Vsd Is=1A, Vgs=0V Ciss 输出电容 反馈电容 栅极电阻 Coss Crss Rg μA 1.0 正向跨导 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 5 nA Vgs=2.5V, Id=2A Vds=5V, Id=3A 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 1 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V Rds(on) V 100 Vgs=10V, Id=3A 漏极 - 源极导通电阻 30 0.6 10 Ta=125℃ Is Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Qg 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=3A Qgd td(on) 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr Vgs=10V, Vds=15V td(off) RL=5Ω, Rgen=6Ω tf 75 mΩ S 390.0 pF 54.5 41.0 3 pF pF Ω 4.34 nC 1.38 0.60 4 nC nC ns 2 22 3 ns ns ns 寄生二极管反向恢复时间 trr If=3A, dlf/dt=100A/μs 11.0 ns 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr If=3A, dlf/dt=100A/μs 5.5 nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 7-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 复合沟道 MOSFET ELM16601EA-S AO6601 n-channel typical characteristics ■标准特性曲线 沟道 ) TYPICAL ELECTRICAL (N AND THERMAL CHARACTERISTICS 15 10 10V 3V Vds=5V 8 4.5V 25°C 9 Id (A) Id (A) 12 2.5V 6 3 125°C 6 4 2 Vgs=2V 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 150 1.5 2 2.5 3 3.5 Normalized On-Resistance 1.8 125 Rds(on) (m� ) 1 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics Vgs=2.5V 100 Vgs=4.5V 75 50 Vgs=10V 25 1.6 Vgs=4.5V Vgs=10V 1.4 1.2 Vgs=2.5V 1 0 0 2 4 6 8 0.8 10 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 200 1.0E+00 Id=2A 1.0E-01 100 Is (A) Rds(on) (m� ) 150 125°C 125°C 1.0E-02 1.0E-03 50 25°C 25°C 1.0E-04 1.0E-05 0 0 2 4 6 8 10 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage Alpha and Omega Semiconductor, Ltd. 7-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 复合沟道 MOSFET AO6601 n-channel typical characteristics ELM16601EA-S TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 5 500 Capacitance (pF) 4 Vgs (Volts) 600 Vds=15V Id=3.4A 3 2 1 Ciss 400 300 200 0 0 1 2 3 4 5 0 6 0 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Rds(on) limited 100�s 1ms 10s DC 1 Vds (Volts) 10 100 30 10 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=110°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z �ja Normalized Transient Thermal Resistance 25 Tj(max.)=150°C Ta=25°C 0 0.001 0.1 10 20 5 1s 0.1 15 15 10�s 0.1s 10ms 1.0 10 20 Tj(max.)=150°C Ta=25°C 10.0 5 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) Id (Amps) 100.0 Crss Coss 100 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton T Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000 复合沟道 MOSFET ELM16601EA-S ■电特性 (P 沟道 ) 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=-24V, Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Ta=55℃ -1.4 V A 107 135 Vgs=-4.5V, Id=-2A 135 185 195 8 265 -0.85 -1.00 V -1.35 A Gfs 二极管正向压降 Vsd Is=-1A, Vgs=0V Ciss 输出电容 反馈电容 栅极电阻 Coss Crss Rg -0.6 -10 Ta=125℃ Is Qg μA -1.0 正向跨导 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 -5 nA Vgs=-2.5V, Id=-1A Vds=-5V, Id=-2.3A 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 -1 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V Rds(on) V ±100 Vgs=-10V, Id=-2.3A 漏极 - 源极导通电阻 -30 Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=-4.5V, Vds=-15V 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Id=-2.5A Qgd td(on) 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr Vgs=-10V, Vds=-15V td(off) RL=6Ω, Rgen=6Ω tf mΩ S 409 pF 55 42 12 pF pF Ω 4.80 nC 1.34 0.72 13 nC nC ns 10 28 13 ns ns ns 寄生二极管反向恢复时间 trr If=-2.5A, dlf/dt=100A/μs 26.0 ns 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr If=-2.5A, dlf/dt=100A/μs 15.6 nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 7-5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 复合沟道 MOSFET AO6601, AO6601L ELM16601EA-S ■标准特性曲线 沟道 ) AND THERMAL CHARACTERISTICS P-CHANNEL: TYPICAL(P ELECTRICAL 10 20 -5V -10V 8 25°C -4V Vgs=-3.5V -Id (A) -Id (A) 15 Vds=-5V -4.5V 10 -3V 6 125°C 4 -2.5V 5 2 -2V 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 250 1.5 2 2.5 3 3.5 4 1.6 225 Normalized On-Resistance Vgs=-2.5V 200 Rds(on) (m� ) 1 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 175 150 Vgs=-4.5V 125 100 Vgs=-10V 75 Vgs=-4.5V, Vgs=-10V 1.4 Vgs=-2.5V 1.2 Id=-2A 1 50 0 1 2 3 4 5 0.8 6 0 350 1.0E+01 300 1.0E+00 Id=-2A 250 200 1.0E-01 125°C 150 100 0 1.0E-06 6 8 100 125 150 175 125°C 1.0E-03 1.0E-05 4 75 1.0E-02 50 2 50 25°C 1.0E-04 25°C 0 25 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature -Is (A) Rds(on) (m� ) -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 10 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage Alpha and Omega Semiconductor, Ltd. 7-6 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 复合沟道 MOSFET AO6601 p-channel typical characteristics ELM16601EA-S TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 5 500 Capacitance (pF) 4 -Vgs (Volts) 600 Vds=-15V Id=-2.0A 3 2 1 400 Ciss 300 200 0 0 1 2 3 4 5 0 6 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 1ms 0.1s 10ms 1.0 10s 1 DC Z �ja Normalized Transient Thermal Resistance 25 30 Tj(max.)=150°C Ta=25°C 10 0 0.001 -Vds (Volts) 10 100 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=110°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 20 5 0.1 0.1 15 15 Power (W) -Id (Amps) 10�s 100�s 1s 10 20 Tj(max.)=150°C Ta=25°C Rds(on) limited 5 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 100.0 10.0 Crss Coss 100 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton T Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7-7 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000