elm16601ea

复合沟道 MOSFET
ELM16601EA-S
■概要
■特点
ELM16601EA-S 是低输入电容、低工
N 沟道
作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=30V
P 沟道
·Vds=-30V
同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=3.4A(Vgs=10V)
·Id=-2.3A(Vgs=-10V)
·Rds(on) < 60mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 135mΩ(Vgs=-10V)
·Rds(on) < 75mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 185mΩ(Vgs=-4.5V)
·Rds(on) < 115mΩ(Vgs=2.5V)·Rds(on) < 265mΩ(Vgs=-2.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 备注
漏极 - 源极电压
Vds
30
-30
V
栅极 - 源极电压
Vgs
±12
3.4
2.7
±12
-2.3
-1.8
V
A
1
30
1.15
0.73
-30
1.15
0.73
A
2
-55 ~ 150
-55 ~ 150
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
Pd
结合部温度及保存温度范围
Tj,Tstg
W
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≤10s
稳定状态
稳定状态
t≤10s
稳定状态
稳定状态
Rθja
1
2
最大值
110
单位
N
106
64
78
150
80
110
℃/W
Rθja
106
64
150
80
℃/W
Rθjl
P
备注
1
3
1
3
■电路图
SOT-26(俯视图)
5
典型值
78
Rθjl
■引脚配置图
6
沟道
4
3
引脚编号
引脚名称
1
2
3
GATE1
SOURCE2
GATE2
4
DRAIN2
5
6
SOURCE1
DRAIN1
·N 沟道
·P 沟道
D1
G1
7-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D2
G2
S1
S2
复合沟道 MOSFET
ELM16601EA-S
■电特性 (N 沟道 )
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=24V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Ta=55℃
1.4
V
A
60
Vgs=4.5V, Id=3A
50
75
60
88
7.8
115
0.8
1.0
V
1.5
A
Gfs
二极管正向压降
Vsd
Is=1A, Vgs=0V
Ciss
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss
Crss
Rg
μA
1.0
正向跨导
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
5
nA
Vgs=2.5V, Id=2A
Vds=5V, Id=3A
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
1
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Rds(on)
V
100
Vgs=10V, Id=3A
漏极 - 源极导通电阻
30
0.6
10
Ta=125℃
Is
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=3A
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) RL=5Ω, Rgen=6Ω
tf
75
mΩ
S
390.0
pF
54.5
41.0
3
pF
pF
Ω
4.34
nC
1.38
0.60
4
nC
nC
ns
2
22
3
ns
ns
ns
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=3A, dlf/dt=100A/μs
11.0
ns
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=3A, dlf/dt=100A/μs
5.5
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
7-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
复合沟道 MOSFET
ELM16601EA-S
AO6601 n-channel typical characteristics
■标准特性曲线
沟道
)
TYPICAL
ELECTRICAL (N
AND
THERMAL
CHARACTERISTICS
15
10
10V
3V
Vds=5V
8
4.5V
25°C
9
Id (A)
Id (A)
12
2.5V
6
3
125°C
6
4
2
Vgs=2V
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
150
1.5
2
2.5
3
3.5
Normalized On-Resistance
1.8
125
Rds(on) (m� )
1
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Vgs=2.5V
100
Vgs=4.5V
75
50
Vgs=10V
25
1.6
Vgs=4.5V
Vgs=10V
1.4
1.2
Vgs=2.5V
1
0
0
2
4
6
8
0.8
10
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
1.0E+01
200
1.0E+00
Id=2A
1.0E-01
100
Is (A)
Rds(on) (m� )
150
125°C
125°C
1.0E-02
1.0E-03
50
25°C
25°C
1.0E-04
1.0E-05
0
0
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Alpha and Omega Semiconductor, Ltd.
7-3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.2
复合沟道 MOSFET
AO6601 n-channel typical characteristics
ELM16601EA-S
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
5
500
Capacitance (pF)
4
Vgs (Volts)
600
Vds=15V
Id=3.4A
3
2
1
Ciss
400
300
200
0
0
1
2
3
4
5
0
6
0
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Rds(on)
limited
100�s
1ms
10s
DC
1
Vds (Volts)
10
100
30
10
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=110°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z �ja Normalized Transient
Thermal Resistance
25
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
0
0.001
0.1
10
20
5
1s
0.1
15
15
10�s
0.1s 10ms
1.0
10
20
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
10.0
5
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
Id (Amps)
100.0
Crss
Coss
100
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
T
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
100
1000
复合沟道 MOSFET
ELM16601EA-S
■电特性 (P 沟道 )
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-24V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Ta=55℃
-1.4
V
A
107
135
Vgs=-4.5V, Id=-2A
135
185
195
8
265
-0.85
-1.00
V
-1.35
A
Gfs
二极管正向压降
Vsd
Is=-1A, Vgs=0V
Ciss
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss
Crss
Rg
-0.6
-10
Ta=125℃
Is
Qg
μA
-1.0
正向跨导
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
-5
nA
Vgs=-2.5V, Id=-1A
Vds=-5V, Id=-2.3A
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
-1
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
Rds(on)
V
±100
Vgs=-10V, Id=-2.3A
漏极 - 源极导通电阻
-30
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-4.5V, Vds=-15V
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs
Id=-2.5A
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) RL=6Ω, Rgen=6Ω
tf
mΩ
S
409
pF
55
42
12
pF
pF
Ω
4.80
nC
1.34
0.72
13
nC
nC
ns
10
28
13
ns
ns
ns
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=-2.5A, dlf/dt=100A/μs
26.0
ns
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=-2.5A, dlf/dt=100A/μs
15.6
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
7-5
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
复合沟道 MOSFET
AO6601, AO6601L
ELM16601EA-S
■标准特性曲线
沟道 ) AND THERMAL CHARACTERISTICS
P-CHANNEL:
TYPICAL(P
ELECTRICAL
10
20
-5V
-10V
8
25°C
-4V
Vgs=-3.5V
-Id (A)
-Id (A)
15
Vds=-5V
-4.5V
10
-3V
6
125°C
4
-2.5V
5
2
-2V
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
250
1.5
2
2.5
3
3.5
4
1.6
225
Normalized On-Resistance
Vgs=-2.5V
200
Rds(on) (m� )
1
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
175
150
Vgs=-4.5V
125
100
Vgs=-10V
75
Vgs=-4.5V, Vgs=-10V
1.4
Vgs=-2.5V
1.2
Id=-2A
1
50
0
1
2
3
4
5
0.8
6
0
350
1.0E+01
300
1.0E+00
Id=-2A
250
200
1.0E-01
125°C
150
100
0
1.0E-06
6
8
100
125
150
175
125°C
1.0E-03
1.0E-05
4
75
1.0E-02
50
2
50
25°C
1.0E-04
25°C
0
25
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
-Is (A)
Rds(on) (m� )
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Alpha and Omega Semiconductor, Ltd.
7-6
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.2
复合沟道 MOSFET
AO6601 p-channel typical characteristics
ELM16601EA-S
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
5
500
Capacitance (pF)
4
-Vgs (Volts)
600
Vds=-15V
Id=-2.0A
3
2
1
400
Ciss
300
200
0
0
1
2
3
4
5
0
6
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
1ms
0.1s
10ms
1.0
10s
1
DC
Z �ja Normalized Transient
Thermal Resistance
25
30
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
10
0
0.001
-Vds (Volts)
10
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=110°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
20
5
0.1
0.1
15
15
Power (W)
-Id (Amps)
10�s
100�s
1s
10
20
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
Rds(on)
limited
5
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
100.0
10.0
Crss
Coss
100
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
T
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7-7
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
100
1000
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