elm14604aa

复合沟道 MOSFET
ELM14604AA-N
■概要
■特点
ELM14604AA-N 是低输入电容、低工
N 沟道
作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=30V
P 沟道
·Vds=-30V
同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=6.9A(Vgs=10V)
·Id=-5A(Vgs=-10V)
·Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 52mΩ(Vgs=-10V)
·Rds(on) < 42mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 87mΩ(Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
容许功耗
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj,Tstg
如没有特别注明时, Ta=25℃
N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 备注
30
-30
V
±20
6.9
5.8
±20
-5.0
-4.2
V
A
1
30
2.00
-20
2.00
A
2
1.44
1.44
-55 ~ 150
-55 ~ 150
W
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≤10s
稳定状态
稳定状态
t≤10s
稳定状态
稳定状态
Rθja
沟道
典型值
48.0
最大值
62.5
单位
N
74.0
35.0
48.0
110.0
40.0
62.5
℃/W
74.0
35.0
110.0
40.0
℃/W
Rθjl
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
P
备注
1
3
1
3
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
引脚名称
1
2
3
SOURCE2
GATE2
SOURCE1
4
5
6
GATE1
DRAIN1
DRAIN1
7
8
DRAIN2
DRAIN2
·N 沟道
·P 沟道
D2
G2
7-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D1
G1
S2
S1
复合沟道 MOSFET
ELM14604AA-N
■电特性 (N 沟道 )
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=24V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
漏极 - 源极导通电阻
30
0.004
Ta=55℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Rds(on)
Vgs=10V, Id=6.9A
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
栅极电阻
开关特性
总栅极电荷 (10V)
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
Gfs
Vsd
1.0
20
Ta=125℃
Vds=5V, Id=6.9A
Is=1A
10.0
Crss
Rg
Qg
Qg
μA
100
nA
1.9
3.0
V
A
22.5
31.3
34.5
28.0
38.0
42.0
15.4
0.76
Is
Ciss
Coss
1.000
5.000
Vgs=4.5V, Id=5A
正向跨导
二极管正向压降
V
mΩ
1.00
S
V
3
A
820
pF
pF
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
680
102
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
77
3.0
3.6
pF
Ω
13.84
6.74
17.00
8.10
nC
nC
Vgs=10V, Vds=15V, Id=6.9A
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) RL=2.2Ω, Rgen=3Ω
tf
1.82
3.20
4.6
nC
nC
ns
4.1
20.6
5.2
ns
ns
ns
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=6.9A, dlf/dt=100A/μs
16.5
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=6.9A, dlf/dt=100A/μs
7.8
20.0
ns
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
7-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
AO4604
复合沟道 MOSFET
ELM14604AA-N
N-CHANNEL: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
■标准特性曲线 (N 沟道 )
20
30
10V
25
6V
5V
4.5V
12
15
Id (A)
Id (A)
20
3.5V
8
10
125°C
Vgs=3V
5
4
0
0
1
2
3
4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
1.6
Normalized On-Resistance
60
50
Rds(on) (m� )
25°C
0
5
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Vgs=4.5V
40
30
Vgs=10V
20
Vgs=10V
Id=5A
1.5
1.4
Vgs=4.5V
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
10
0
5
10
15
0
20
50
100
150
200
Temperature ( °C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
Id (Amps)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
70
1.0E+01
1.0E+00
Is Amps
Id=5A
60
Rds(on) (m� )
Vds=5V
16
4V
50
125°C
40
1.0E-01
1.0E-02
125°C
1.0E-03
30
25°C
1.0E-04
25°C
20
1.0E-05
0.0
10
2
4
6
8
10
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body diode characteristics
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7-3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.0
AO4604
复合沟道 MOSFET
ELM14604AA-N
N-CHANNEL: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
f=1MHz
Vgs=0V
900
800
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
1000
Vds=15V
Id=6.9A
6
4
2
700
Ciss
600
500
400
300
200
Coss
100
0
0
2
4
6
8
10
12
Crss
0
14
0
5
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge characteristics
100
10ms
1s
DC
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
20
0
0.001
Vds (Volts)
10
30
10
10s
0.1
25
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
30
10�s
0.1s
1
20
40
Power W
Id (Amps)
100�s
1ms
10
15
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
Rds(on)
limited
10
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
1
0.1
Pd
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
100
1000
复合沟道 MOSFET
ELM14604AA-N
■电特性 (P 沟道 )
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-24V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
漏极 - 源极导通电阻
-30
-1
Ta=55℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
Rds(on)
Vgs=-10V, Id=-5A
-5
-1.0
-20
Ta=125℃
Vgs=-4.5V, Id=-4A
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
栅极电阻
开关特性
总栅极电荷 (10V)
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
Gfs
Vsd
V
Vds=-5V, Id=-5A
Is=-1A, Vgs=0V
6.0
±100
nA
-1.8
-3.0
V
A
39
54
67
52
70
87
8.6
-0.77
Is
Ciss
Coss
Crss
Rg
Qg
Qg
μA
mΩ
-1.00
S
V
-2.8
A
900
pF
pF
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
700
120
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
75
10
15
pF
Ω
14.7
7.6
19.0
10.0
nC
nC
Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-5A
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) RL=3Ω, Rgen=3Ω
tf
2.0
3.8
8.3
nC
nC
ns
5.0
29.0
14.0
ns
ns
ns
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
23.5
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
13.4
30.0
ns
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
7-5
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
复合沟道 MOSFET
AO4604
ELM14604AA-N
■标准特性曲线
(PELECTRICAL
沟道 )
P-CHANNEL:
TYPICAL
AND THERMAL CHARACTERISTICS
20
-10V
-6V
-4.5V
15
Vds=-5V
8
-4V
10
-Id (A)
-Id (A)
10
-5V
-3.5V
Vgs=-3V
5
6
4
125°C
2
25°C
-2.5V
0
0.00
0
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
0
1
3
4
1.60E+00
80
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
100
Vgs=-4.5V
60
Vgs=-10V
40
20
Vgs=-4.5V
1.40E+00
Vgs=-10V
1.20E+00
1.00E+00
Id=-5A
8.00E-01
1
3
5
7
9
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1E+01
160
140
1E+00
Id=-5A
120
1E-01
100
1E-02
-Is (A)
Rds(on) (m� )
2
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
125°C
80
125°C
1E-03
25°C
1E-04
60
25°C
40
1E-05
1E-06
20
2
4
6
8
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
0.0
7-6
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.2
AO4604
复合沟道 MOSFET
ELM14604AA-N
P-CHANNEL: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
1000
Capacitance (pF)
8
-Vgs (Volts)
1200
Vds=-15V
Id=-5A
6
4
2
Ciss
800
600
400
Coss
200
0
0
2
4
6
8
10
12
14
Crss
0
16
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
10ms
10s
0.1
1
DC
20
-Vds (Volts)
10
0
0.001
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
30
10
1s
10
25
30
100�s
1ms
0.1
20
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
10�s
0.1s
1
15
40
Rds(on)
limited
10
10
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
-Id (Amps)
100
5
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
T
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7-7
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
100
1000
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