シングル N チャンネル MOSFET ELM14406AA-N ■概要 ■特長 ELM14406AA-N は低ゲート入力電荷、 低いゲー • Vds=30V ト電圧、 低いオン抵抗及び早いスイッチングという特 • Id=11.5A (Vgs=10V) 性を備えた MOSFET です。 • Rds(on) < 14mΩ (Vgs=10V) • Rds(on) < 16.5mΩ (Vgs=4.5V) • Rds(on) < 26mΩ (Vgs=2.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Ta=70℃ Idm アバランシェ電流 繰り返しアバランシェ エネルギー Iav Eav 最大許容損失 Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 11.5 Id パルス ・ ドレイン電流 L=0.1mH Tc=25℃ 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 30 V ±12 V Pd Tj, Tstg 9.6 80 25 78 3.0 A 1 A 2 A mJ 2, 5 2, 5 W 2.1 - 55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - リード 記号 t≦10s 定常状態 定常状態 Rθja Rθjl ■端子配列図 Typ. 23 Max. 40 単位 ℃/W 48 12 65 16 ℃/W ℃/W 備考 1 3 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) 端子番号 端子記号 1 SOURCE � � 2 SOURCE � � � � 3 4 5 SOURCE GATE DRAIN � � 6 7 8 DRAIN DRAIN DRAIN 4-1 D G S シングル N チャンネル MOSFET ELM14406AA-N ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 30 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=24V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 0.003 1.000 μA 5.000 Ta=55℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 0.8 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 60 Vgs=10V, Id=12A ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) 順方向相互コンダクタンス Gfs ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 Vsd Is 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 Coss Crss Rg スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs Ta=125℃ Vgs=4.5V, Id=10A Vgs=2.5V, Id=8A Vds=5V, Id=10A Is=10A, Vgs=0V Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=4.5V, Vds=15V Id=11.5A ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 Qgd td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 td(off) RL=1.2Ω, Rgen=3Ω tf trr If=10A, dlf/dt=100A/μs 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr If=10A, dlf/dt=100A/μs V 25 1.0 100 nA 1.5 V A 11.5 16.0 14.0 19.2 13.5 19.5 38 16.5 26.0 0.83 1.00 4.5 V A 1630 2300 pF 201 142 0.8 18.0 2.5 mΩ S 1.8 24.0 pF pF Ω nC nC 5.5 4.0 5.0 6.0 7.5 nC ns ns 32.0 5.0 18.7 50.0 10.0 24.0 ns ns ns 12.5 15.0 nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 シングル N チャンネル MOSFET ELM14406AA-N ■標準特性と熱特性曲線 50 10V 2.5V 3V 40 20 30 15 20 2V 0 1 2 3 4 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 25°C 5 Vgs=1.5V 0 125°C 10 10 0 5 0 30 0.5 1.5 2 2.5 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 3 Id=10A Normalized On-Resistance Vgs=2.5V 20 10 0 5 Vgs=2.5V 1.2 Vgs=10V 0 Vgs=4.5V 1.4 Vgs=4.5V 15 Vgs=10V 1.6 5 1 0.8 10 15 20 25 30 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 0 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 40 Id=10A Vgs=0V 1.0E+00 30 125°C 1.0E-01 125°C Is (A) Rds(ON) (m� ) 1 1.8 25 Rds(on) (m� ) Vds=5V 25 Id(A) Id (A) 30 4.5V 1.0E-02 20 25°C 1.0E-03 25°C 10 1.0E-04 0 0.00 1.0E-05 2.00 4.00 6.00 8.00 10.00 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 0.0 0.2 0.4 Vsd (Volts) 0.6 0.8 1.0 Figure 6: Body-Diode Characteristics 1.2 シングル N チャンネル MOSFET ELM14406AA-N 5 2250 2000 Capacitance (pF) 4 Vgs (Volts) 2500 Vds=15V Id=11.5A 3 2 1 1750 Ciss 1500 1250 1000 750 Coss Crss 500 250 0 0 4 8 12 16 20 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 0 24 0 100.0 Rds(on) limited 1ms 10.0 Power (W) Id (Amps) 0.1s 1s Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 1 10 Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 Tj(max)=150°C Ta=25°C 30 20 0 0.001 DC 0.1 0.1 30 10 10s Tj(max)=150°C Ta=25°C 15 20 25 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 40 10ms 1.0 10 50 10�s 100�s 5 D=T on/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=40°C/W 100 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton Single Pulse 0.0001 T 1 10 0.1 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 0.001 0.01 4-4 100 1000