elm14406aa

シングル N チャンネル MOSFET
ELM14406AA-N
■概要
■特長
ELM14406AA-N は低ゲート入力電荷、 低いゲー
• Vds=30V
ト電圧、 低いオン抵抗及び早いスイッチングという特
• Id=11.5A (Vgs=10V)
性を備えた MOSFET です。
• Rds(on) < 14mΩ (Vgs=10V)
• Rds(on) < 16.5mΩ (Vgs=4.5V)
• Rds(on) < 26mΩ (Vgs=2.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Ta=70℃
Idm
アバランシェ電流
繰り返しアバランシェ エネルギー
Iav
Eav
最大許容損失
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
11.5
Id
パルス ・ ドレイン電流
L=0.1mH
Tc=25℃
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
30
V
±12
V
Pd
Tj, Tstg
9.6
80
25
78
3.0
A
1
A
2
A
mJ
2, 5
2, 5
W
2.1
- 55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
記号
t≦10s
定常状態
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
Typ.
23
Max.
40
単位
℃/W
48
12
65
16
℃/W
℃/W
備考
1
3
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
端子番号
端子記号
1
SOURCE
�
�
2
SOURCE
�
�
�
�
3
4
5
SOURCE
GATE
DRAIN
�
�
6
7
8
DRAIN
DRAIN
DRAIN
4-1
D
G
S
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14406AA-N
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
30
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=24V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
0.003 1.000
μA
5.000
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
0.8
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
60
Vgs=10V, Id=12A
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
Gfs
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
Vsd
Is
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
Coss
Crss
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=10A
Vgs=2.5V, Id=8A
Vds=5V, Id=10A
Is=10A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=15V
Id=11.5A
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=1.2Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
If=10A, dlf/dt=100A/μs
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=10A, dlf/dt=100A/μs
V
25
1.0
100
nA
1.5
V
A
11.5
16.0
14.0
19.2
13.5
19.5
38
16.5
26.0
0.83
1.00
4.5
V
A
1630 2300
pF
201
142
0.8
18.0
2.5
mΩ
S
1.8
24.0
pF
pF
Ω
nC
nC
5.5
4.0
5.0
6.0
7.5
nC
ns
ns
32.0
5.0
18.7
50.0
10.0
24.0
ns
ns
ns
12.5
15.0
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14406AA-N
■標準特性と熱特性曲線
50
10V
2.5V
3V
40
20
30
15
20
2V
0
1
2
3
4
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
25°C
5
Vgs=1.5V
0
125°C
10
10
0
5
0
30
0.5
1.5
2
2.5
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
3
Id=10A
Normalized On-Resistance
Vgs=2.5V
20
10
0
5
Vgs=2.5V
1.2
Vgs=10V
0
Vgs=4.5V
1.4
Vgs=4.5V
15
Vgs=10V
1.6
5
1
0.8
10
15
20
25
30
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
1.0E+01
40
Id=10A
Vgs=0V
1.0E+00
30
125°C
1.0E-01
125°C
Is (A)
Rds(ON) (m� )
1
1.8
25
Rds(on) (m� )
Vds=5V
25
Id(A)
Id (A)
30
4.5V
1.0E-02
20
25°C
1.0E-03
25°C
10
1.0E-04
0
0.00
1.0E-05
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
0.0
0.2
0.4 Vsd (Volts)
0.6
0.8
1.0
Figure 6: Body-Diode Characteristics
1.2
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14406AA-N
5
2250
2000
Capacitance (pF)
4
Vgs (Volts)
2500
Vds=15V
Id=11.5A
3
2
1
1750
Ciss
1500
1250
1000
750
Coss
Crss
500
250
0
0
4
8
12
16
20
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
24
0
100.0
Rds(on)
limited
1ms
10.0
Power (W)
Id (Amps)
0.1s
1s
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
1
10
Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
30
20
0
0.001
DC
0.1
0.1
30
10
10s
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
15
20
25
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
40
10ms
1.0
10
50
10�s
100�s
5
D=T on/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=40°C/W
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
Single Pulse
0.0001
T
1
10
0.1
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
0.001
0.01
4-4
100
1000
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